一种提高吸收效率的红外热电堆传感器及其MEMS工艺制造方法技术

本发明专利技术涉及一种提高吸收效率的红外热电堆传感器及其MEMS工艺制造方法，属于红外热电堆传感器制造领域；本发明专利技术相较于传统的红外热电堆传感器加入了衬底，空心区域以及氮化硅吸收区域，由于传感器的热阻只受悬臂梁的影响，所以增加的氮化硅吸收区域部分不会因为和传统热电堆相比的热阻变化，影响到传感器的因热阻变化引起的输出信号改变。同时氮化硅吸收区域可以对被测物体的红外辐射进行额外的能量吸收，厚度越厚吸收的红外辐射越多，转化成更多的热量，增强热电堆的输出信号；同时氮化硅吸收区域的形成，利用了MEMS制造工艺，根据硅各项异性腐蚀特性，氮化硅不易被硅腐蚀液腐蚀，遂构成了一种硅腐蚀自终止技术，氮化硅区域得到保留。域得到保留。域得到保留。

【技术实现步骤摘要】
一种提高吸收效率的红外热电堆传感器及其MEMS工艺制造方法


[0001]本专利技术涉及一种提高吸收效率的红外热电堆传感器及其MEMS工艺制造方法，属于红外热电堆传感器制造领域。

技术介绍

[0002]红外热电堆传感器是一种利用塞贝克效应，将红外辐射能量转换为电信号输出的传感器。利用MEMS工艺，可以将红外热电堆传感器制造成CMOS兼容的单点温度采集芯片并应用于红外体温计中，相比传统水银温度计，红外体温计具有更安全，读数直观，时间短，精度高等优点，防控方面发挥了重大作用。利用MEMS 和CMOS工艺想结合，还可以将红外热电堆传感器制造成一定规模的红外阵列传感器芯片，将一定区域内的所有被测物体探测以二维平面的方式，展现出各自的温度分布状态，广泛应用于各类智能家居产品中，如可自动调节功率的微波炉，自动控温节能冰箱，风随人动的空调等，拥有可观的市场潜力。
[0003]传统具有代表性的红外电堆传感器的结构及其MEMS工艺如专利US 8592765中的图 2至图5，可同时适用于单点和红外阵列传感器。结构中间的悬空薄膜用于吸收红外辐射，两边的悬臂梁用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高吸收效率的红外热电堆传感器，包括：设置于各种区域中间的悬空薄膜、以及第一悬臂梁和第二悬臂梁，其特征在于，所述悬空薄膜下方设有氮化硅吸收区域，所述氮化硅吸收区域可以对被测物体的红外辐射进行额外的能量吸收，厚度越厚吸收的红外辐射越多，转化成更多的热量，增强热电堆的输出信号；所述氮化硅吸收区域的底部设有衬底，所述氮化硅吸收区域与所述衬底之间设有空心区域。2.根据权利要求1所述一种提高吸收效率的红外热电堆传感器，其特征在于，所述氮化硅吸收区域采用MEMS制造工艺。3.一种提高吸收效率的红外热电堆传感器的MEMS工艺制造方法，其特征在于，包括权利要求2中所述的MEMS制造工...

【专利技术属性】
技术研发人员：王焕焕，葛斌，吴逸飞，
申请(专利权)人：常州元晶电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：