热敏电阻元件及电磁波传感器制造技术

本发明专利技术的热敏电阻元件具备：热敏电阻膜；一对第一电极，与热敏电阻膜的一面接触地设置；绝缘膜，设置于一对第一电极的与热敏电阻膜接触的一侧的相反侧；和至少一个以上的开口部，位于在俯视时与一对第一电极分别重叠的区域内，贯通绝缘膜，第一电极具有：位于在俯视时与开口部重叠的区域内的第一部分；和位于在俯视时与开口部重叠的区域外的第二部分，并且，遍及第一部分和第二部分之间，与热敏电阻膜的一面接触而设置。一面接触而设置。一面接触而设置。

【技术实现步骤摘要】
热敏电阻元件及电磁波传感器


[0001]本专利技术涉及热敏电阻元件及电磁波传感器。

技术介绍

[0002]例如有使用了热敏电阻元件的温度传感器(例如，参照下述专利文献1。)。另外，有使用了热敏电阻元件的电磁波传感器(例如，参照下述专利文献2。)。
[0003]热敏电阻元件具有的热敏电阻膜根据热敏电阻膜的温度变化而变化。在电磁波传感器中，入射到热敏电阻膜的红外线(电磁波)被热敏电阻膜或热敏电阻膜周围的材料吸收，从而热敏电阻膜的温度发生变化。由此，热敏电阻元件检测红外线(电磁波)。
[0004]在此，根据斯特藩＝玻尔兹曼法则，在测定对象的温度和从该测定对象通过热辐射放出的红外线(辐射热)之间存在相关关系。因此，通过使用热敏电阻元件检测从测定对象释放的红外线，可以通过非接触来测定测定对象的温度。
[0005]另外，这样的热敏电阻元件通过呈阵列状排列有多个，被应用于二维地检测(拍摄)测定对象的温度分布的红外线拍摄元件(红外线图像传感器)等电磁波传感器。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2012
‑
156274号公报
[0009]专利文献2：国际公开第2019/171488号

技术实现思路

[0010]专利技术所要解决的问题
[0011]但是，作为上述的热敏电阻元件的元件结构，有在热敏电阻膜的面内方向流通电流的CIP(Current
‑
In
‑
Plane)结构、和在热敏电阻膜的法线方向上流通电流的CPP(Current
‑
Perpendicular
‑
to
‑
Plane)结构。
[0012]其中，在CIP结构中，热敏电阻膜的电阻值变高。另一方面，在CPP结构中，热敏电阻膜可以比CIP结构低电阻化。
[0013]但是，例如，在上述专利文献1所记载的热敏电阻元件中，电极通过贯通绝缘膜的开口部与热敏电阻膜接触。该情况下，不能充分取得电极和热敏电阻膜的接触面积，在可靠性方面存在问题。
[0014]本专利技术是鉴于这种现有的情况而提出的，其目的在于，提供能够增大电极和热敏电阻膜的接触面积的热敏电阻元件、以及通过具备这样的热敏电阻元件而能够提高可靠性的电磁波传感器。
[0015]用于解决问题的技术方案
[0016]为了实现上述目的，本专利技术提供以下技术方案。
[0017][1]一种热敏电阻元件，其特征在于，
[0018]具备：
[0019]热敏电阻膜；
[0020]一对第一电极，与所述热敏电阻膜的一面接触地设置；
[0021]绝缘膜，设置于所述一对第一电极的与所述热敏电阻膜接触的一侧的相反侧；和
[0022]至少一个以上的开口部，位于在俯视时与所述一对第一电极分别重叠的区域内，贯通所述绝缘膜，
[0023]所述第一电极具有：位于在俯视时与所述开口部重叠的区域内的第一部分；和位于在俯视时与所述开口部重叠的区域外的第二部分，并且，遍及所述第一部分和所述第二部分之间，与所述热敏电阻膜的所述一面接触而设置。
[0024][2]根据上述[1]所述的热敏电阻元件，其特征在于，
[0025]具备：配线层，与所述第一电极电连接，
[0026]所述配线层与所述第一部分接触而设置。
[0027][3]根据上述[2]所述的热敏电阻元件，其特征在于，
[0028]所述配线层由选自铝、钨、钛、钽、氮化钛、氮化钽、氮化铬及氮化锆中的至少一种构成。
[0029][4]根据上述[1]～[3]中任一项所述的热敏电阻元件，其特征在于，
[0030]具备：第二电极，与所述热敏电阻膜的另一面接触地设置。
[0031][5]根据上述[1]～[4]中任一项所述的热敏电阻元件，其特征在于，
[0032]在俯视时，所述开口部的面积小于所述第二部分的面积。
[0033][6]一种电磁波传感器，其特征在于，
[0034]具备上述[1]～[5]中任一项所述的热敏电阻元件。
[0035][7]根据权利要求[6]所述的电磁波传感器，其特征在于，
[0036]所述热敏电阻元件呈阵列状排列有多个。
[0037]专利技术的效果
[0038]根据本专利技术，可以提供一种能够增大电极和热敏电阻膜的接触面积的热敏电阻元件、以及通过具备这种热敏电阻元件而能够提高可靠性的电磁波传感器。
附图说明
[0039]图1是表示本专利技术的一个实施方式所涉及的电磁波传感器的结构的俯视图。
[0040]图2是表示图1所示的电磁波传感器的结构的分解立体图。
[0041]图3是表示图1所示的电磁波传感器的结构的截面图。
[0042]图4是表示电磁波传感器所具备的热敏电阻元件的结构的俯视图。
[0043]图5是由图4中所示线段A
‑
A截取的热敏电阻元件的截面图。
[0044]图6A～图6C是表示开口部的变形例的俯视图。
[0045]图7是用于依次说明图4所示的热敏电阻元件的制造工序的截面图。
[0046]图8是用于依次说明图4所示的热敏电阻元件的制造工序的截面图。
[0047]图9是用于依次说明图4所示的热敏电阻元件的制造工序的截面图。
[0048]图10是用于依次说明图4所示的热敏电阻元件的制造工序的截面图。
[0049]图11是用于依次说明图4所示的热敏电阻元件的制造工序的截面图。
[0050]图12是用于依次说明图4所示的热敏电阻元件的制造工序的截面图。
[0051]图13是用于依次说明图4所示的热敏电阻元件的制造工序的截面图。
[0052]图14是用于依次说明图4所示的热敏电阻元件的制造工序的截面图。
[0053]图15是表示热敏电阻元件的另一结构的截面图。
[0054]图16是表示热敏电阻元件的另一结构的截面图。
具体实施方式
[0055]以下，参照附图详细说明本专利技术的实施方式。
[0056]另外，在以下说明中使用的附图中，为了容易观察各构成要素，有时根据构成要素使尺寸的比例尺不同而进行表示，不限于各构成要素的尺寸比例等与实际相同。另外，以下的说明中例示的材料等是一例，本专利技术未必限定于此，能够在不变更其主旨的范围内适当地变更来实施。
[0057]另外，在以下所示的附图中，设定XYZ正交坐标系，将X轴方向设为电磁波传感器的特定的面内的第一方向X，将Y轴方向设为在电磁波传感器的特定的面内与第一方向X正交的第二方向Y，将Z轴方向设为与电磁波传感器的特定的面内正交的第三方向Z来分别表示。
[0058]〔电磁波传感器〕
[0059]首先，作为本专利技术的一个实施方式，例如对图1～图3所示的电磁波传感器1进行说明。
[0060]此外，图1是表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热敏电阻元件，其特征在于，具备：热敏电阻膜；一对第一电极，与所述热敏电阻膜的一面接触地设置；绝缘膜，设置于所述一对第一电极的与所述热敏电阻膜接触的一侧的相反侧；和至少一个以上的开口部，位于在俯视时与所述一对第一电极分别重叠的区域内，贯通所述绝缘膜，所述第一电极具有：位于在俯视时与所述开口部重叠的区域内的第一部分；和位于在俯视时与所述开口部重叠的区域外的第二部分，并且，遍及所述第一部分和所述第二部分之间，与所述热敏电阻膜的所述一面接触而设置。2.根据权利要求1所述的热敏电阻元件，其特征在于，具备：配线层，与所述第一电极电连接，所述配线层与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：青木进，原晋治，太田尚城，城川真生子，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：