本申请提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，显示面板包括像素定义层、公共电极层和络合物层。像素定义层设置有像素开口，公共电极层设置于像素定义层的出光侧，公共电极层形成有镂空区域，镂空区域与像素开口错位设置。络合物层的至少部分设置在镂空区域，络合物层的透光率大于公共电极层的透光率。公共电极层包括既定导电材料，络合物层由既定导电材料反应生成。本申请实施例提供的显示面板，在保证显示面板的透光率的同时，有利于提高显示面板的封装稳定性。于提高显示面板的封装稳定性。于提高显示面板的封装稳定性。
【技术实现步骤摘要】
显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
[0001]本申请涉及显示面板制造
，特别是涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。
技术介绍
[0002]随着电子设备的快速发展，用户对屏占比的要求越来越高，使得电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。
[0003]传统的电子设备如手机、平板电脑等，由于需要集成诸如前置摄像头、听筒以及红外感应元件等。现有技术中，可通过在显示屏上开槽(Notch)或开孔，外界光线可通过屏幕上的开槽或开孔进入位于屏幕下方的感光元件。但是这些电子设备均不是真正意义上的全面屏，并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示，例如其前置摄像头对应区域不能显示画面。
技术实现思路
[0004]本申请提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，实现显示面板的至少部分可透光且可显示，便于感光组件的屏下集成。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种显示面板，包括像素定义层，设置有像素开口；公共电极层，设置于像素定义层的出光侧，公共电极层形成有镂空区域，镂空区域与像素开口错位设置；络合物层，至少部分设置在镂空区域，络合物层的透光率大于公共电极层的透光率；公共电极层包括既定导电材料，络合物层由既定导电材料反应生成。
[0006]在一些实施例中，显示面板还包括介质层，介质层与公共电极层相邻设置，介质层朝向公共电极层的一侧具有络合物开口，络合物开口与镂空区域对应设置，络合物层的部分设置于络合物开口内。
[0007]在一些实施例中，介质层包括第一子层，第一子层位于公共电极层背离像素定义层的一侧；和/或，介质层包括第二子层，第二子层位于公共电极层朝向像素定义层的一侧；可选地，第一子层包括偏光片；可选地，第二子层包括离子注入层。
[0008]在一些实施例中，还包括遮挡子层，位于像素定义层背离公共电极层的一侧，遮挡子层具有沿显示面板的厚度方向贯穿设置的通孔，像素开口沿厚度方向的正投影位于遮挡子层沿厚度方向的正投影之内，通孔沿厚度方向的正投影与像素开口沿厚度方向的正投影错位设置。
[0009]第二方面，本申请实施例提供一种显示装置，包括上述任一实施例提供的显示面板。
[0010]第三方面本申请实施例提供一种显示面板的制备方法，制备方法包括：提供基板，基板包括像素定义层，像素定义层设置有像素开口；在像素定义层的出光侧制备导电层，导电层包括既定导电材料；激光辐照导电层，使得导电层转变为公共电极层和络合物层，络合物层由既定导电材料反应生成，其中，公共电极层形成有镂空区域，镂空区域与像素开口错
位设置，络合物层至少部分设置在镂空区域，络合物层的透光率大于公共电极层的透光率。
[0011]在一些实施例中基板包括位于像素定义层背离出光侧的遮挡子层，遮挡子层具有沿显示面板的厚度方向贯穿设置的通孔，遮挡子层沿厚度方向的正投影覆盖像素开口沿厚度方向的正投影，通孔沿厚度方向的正投影与像素开口沿厚度方向的正投影错位设置；激光辐照导电层的步骤中，激光由遮挡子层背离像素定义层的一侧穿过通孔对导电层进行激光辐照。
[0012]在一些实施例中，基板还包括设置于位于像素定义层背离出光侧设置的像素电极，像素开口沿显示面板的厚度方向的正投影位于像素电极沿厚度方向的正投影之内；激光辐照导电层步骤中，激光从像素电极背离导电层的一侧对导电层进行激光辐照。
[0013]在一些实施例中，激光辐照导电层的步骤之前，显示面板的制备方法还包括：在导电层背离基板的一侧加工形成封装层，封装层沿显示面板的厚度方向的正投影覆盖导电层沿厚度方向的正投影。
[0014]在一些实施例中，在像素定义层的出光侧制备导电层的步骤前或后，显示面板的制备方法还包括：
[0015]在导电层的一侧形成介质材料层，介质材料层包括给电子络合基团；
[0016]激光辐照导电层的步骤中，介质材料层与导电层发生反应形成络合物层、公共电极层和介质层，介质层朝向公共电极层的一侧形成有络合物开口，络合物开口与镂空区对应设置，络合物层设置于镂空区域和络合物开口内。
[0017]在一些实施例中，介质层包括第一子层，在像素定义层的出光侧制备导电层的步骤之后，显示面板的制备方法还包括：在导电层背离像素定义层的一侧加工形成第一材料子层，第一材料子层的材料包括给电子络合基团，给电子络合基团包括吡啶、嘧啶、嗪基以及羟基中的至少一者；激光辐照导电层的步骤中，导电层和第一材料子层发生反应形成公共电极层、络合物层和第一子层，第一自层朝向导电层的一侧形成有第一络合物开口，第一络合物开口与镂空区域对应设置，络合物层形成于第一络合物开口和镂空区域内。
[0018]在一些实施例中，介质层包括第二子层，在像素定义层的出光侧制备导电层的步骤之前，显示面板的制备方法还包括：在像素定义层的一侧形成第二材料子层，第二材料子层的材料包括给电子络合基团，给电子络合基团包括邻菲咯啉；激光辐照导电层的步骤中，导电层和第一材料子层发生反应形成公共电极层、络合物层和第二子层，第二子层朝向公共电极层的一侧形成有第二络合物开口，第二络合物开口与镂空区域对应设置，络合物层形成在镂空区域和第二络合物开口内。
[0019]本申请实施例提供的显示装置、显示面板及其制备方法，显示面板的公共电极层形成有与像素开口错位设置的镂空区域，络合物层的至少部分设置在镂空区域，且络合物层的透光率大于公共电极层的透光率，从而在不影响公共电极层的正常功能的同时，提高公共电极层中镂空区域的透光率，而不必通过对公共电极层进行图形化处理的方式来提高公共电极层的透光率，从而降低了公共电极层在图形化处理的过程中发生翘曲的风险，有利于提高显示面板的封装可靠性。
附图说明
[0020]下面将参考附图来描述本申请示例性实施例的特征、优点和技术效果。在附图中，
相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。
[0021]图1为本申请实施例提供的一种显示面板的主视图；
[0022]图2为图1沿B
‑
B的一种剖视结构示意图；
[0023]图3为图1沿B
‑
B的另一种剖视结构示意图；
[0024]图4为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程框图；
[0025]图5为本申请实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程框图；
[0026]图6为本申请实施例提供的又一种显示面板的制备方法的流程框图；
[0027]图7为本申请实施例提供的还一种显示面板的制备方法的流程框图；
[0028]图8为本申请实施例提供的再一种显示面板的制备方法的流程框图之一；
[0029]图9为本申请实施例提供的再一种显示面板的制备方法的流程框图之二。
[0030]附图标记说明：
[0031]100、显示面板；
[0032]110、衬底层；111、遮挡子层；111a、通孔；
[0033]120、像素定义层；120a、像素开口；
[0034本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括：像素定义层，设置有像素开口，其特征在于，所述显示面板还包括：公共电极层，设置于所述像素定义层的出光侧，所述公共电极层形成有镂空区域，所述镂空区域与所述像素开口错位设置；络合物层，至少部分设置在所述镂空区域，所述络合物层的透光率大于所述公共电极层的透光率；所述公共电极层包括既定导电材料，所述络合物层由所述既定导电材料反应生成。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括介质层，所述介质层与所述公共电极层相邻设置，所述介质层的材料包括给电子络合基团，所述介质层朝向所述公共电极层的一侧具有络合物开口，所述络合物开口与所述镂空区域对应设置，所述络合物层的部分设置于所述络合物开口内。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述介质层包括第一子层，所述第一子层位于所述公共电极层背离所述像素定义层的一侧；和/或所述介质层包括第二子层，所述第二子层位于所述公共电极层朝向所述像素定义层的一侧；优选的，所述第一子层包括偏光片；优选的，所述第二子层包括离子注入层。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括遮挡子层，位于所述像素定义层背离所述公共电极层的一侧，所述遮挡子层具有沿所述显示面板的厚度方向贯穿设置的通孔，所述像素开口沿所述厚度方向的正投影位于所述遮挡子层沿所述厚度方向的正投影之内，所述通孔沿所述厚度方向的正投影与所述像素开口沿所述厚度方向的正投影错位设置。5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至4任一项所述的显示面板。6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供基板，所述基板包括像素定义层，所述像素定义层设置有像素开口；在所述像素定义层的出光侧制备导电层，所述导电层包括既定导电材料；激光辐照所述导电层，使得所述导电层转变为公共电极层和络合物层，所述络合物层由所述既定导电材料反应生成，其中，所述公共电极层形成有镂空区域，所述镂空区域与所述像素开口错位设置，所述络合物层至少部分设置在所述镂空区域，所述络合物层的透光率大于所述公共电极层的透光率。7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述基板包括位于所述像素定义层背离所述出光侧的遮挡子层，所述遮挡子层具有沿所述显示面板的厚度方向贯穿设置的通孔，所述遮挡子层沿所述厚度方向的正投影覆盖所述像素开口沿所述厚度方向的正投影，所述通孔沿所述厚度方向的正投影与所述像素开口沿所述厚度方向的正投影错位设置；所述激光辐照所述导电层的步骤中，激光由所述遮挡子层背离...
【专利技术属性】
技术研发人员：颜志敏，段炼，王妍，高思明，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：
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