一种太阳能电池的钝化接触结构及太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术适用太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池的钝化接触结构及太阳能电池，该太阳能电池的钝化接触结构包括：硅片；设于硅片之上的隧穿介质层；设于隧穿介质层之上的P型Poly

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池的钝化接触结构及太阳能电池


[0001]本技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种太阳能电池的钝化接触结构及太阳能电池。

技术介绍

[0002]随着太阳能电池技术的不断发展，人们对电池光电转换效率的要求也越来越高。为了降低复合速率、延长少子寿命、提高电池光电转换效率，通常在硅片表面形成钝化接触结构以降低表面载流子的复合，以减小因硅片内部缺陷所带来的影响。其中，常见的钝化接触结构是将超薄的SiOx隧穿氧化层与P型Poly
‑
Si层相结合，通过SiOx的化学钝化作用降低硅片与P型Poly
‑
Si层之间的界面复合，同时SiOx也可以起到较好的隧穿作用，使得多数载流子通过隧穿原理实现运输，而少数载流子则因为较高的势垒难以隧穿通过SiOx层进入P型Poly
‑
Si层中被复合。
[0003]现有技术中，由于现有的金属浆料无法与P型Poly
‑
Si很好地适配，难以控制金属浆料在太阳能电池的钝化接触结构的P型Poly
‑
Si层的烧穿深度，使太阳能电池的钝化接触结构的P型Poly
‑
Si层无法与市面上现售的金属浆料形成良好的欧姆接触，金属浆料在P型Poly
‑
Si层印刷金属电极后，P型Poly
‑
Si层与金属电极接触电阻大，影响电池性能。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种太阳能电池的钝化接触结构，旨在解决现有技术中的太阳能电池的钝化接触结构的P型Poly
‑
Si层无法与市面上现售的金属浆料形成良好的欧姆接触，P型Poly
‑
Si层与金属电极接触电阻大，影响电池性能的问题。
[0005]本技术是这样实现的，提供一种太阳能电池的钝化接触结构，包括：
[0006]硅片；
[0007]设于所述硅片之上的隧穿介质层；
[0008]设于所述隧穿介质层之上的P型Poly
‑
Si层；以及
[0009]设于所述P型Poly
‑
Si层之上、并用于与金属电极接触的N型Poly
‑
Si层；或，设于所述P型Poly
‑
Si层之上的阻挡层、及设于所述阻挡层之上并用于与金属电极接触的N型Poly
‑
Si层。
[0010]优选的，所述N型Poly
‑
Si层的厚度为10
‑
500nm。
[0011]优选的，所述N型Poly
‑
Si层的厚度为50
‑
300nm。
[0012]优选的，所述N型Poly
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Si层的掺杂浓度自所述N型Poly
‑
Si层至所述P型Poly
‑
Si层方向逐渐减小或保持恒定。
[0013]优选的，所述隧穿介质层为隧穿氧化层或隧穿氮化物层或隧穿碳化物层。
[0014]优选的，所述阻挡层为氧化物阻挡层。
[0015]优选的，所述阻挡层的孔洞密度小于所述隧穿介质层的孔洞密度。
[0016]优选的，所述阻挡层的厚度为0.5
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10nm。
[0017]优选的，所述阻挡层的厚度为2nm。
[0018]本技术还提供一种太阳能电池，包括上述的太阳能电池的钝化接触结构。
[0019]本技术提供的一种太阳能电池的钝化接触结构通过在P型Poly
‑
Si层之上设置用于与金属电极接触的N型Poly
‑
Si层；或在P型Poly
‑
Si层之上设置阻挡层，并在阻挡层之上设置用于与金属电极接触的N型Poly
‑
Si层，利用P型Poly
‑
Si层与N型Poly
‑
Si层之间形成的隧穿结可以促进载流子进行输运，且利用N型Poly
‑
Si层与金属电极接触，利用现有金属浆料可以与N型Poly
‑
Si很好地适配的特点，采用金属浆料在N型Poly
‑
Si层印刷金属电极时，便于控制金属浆料在N型Poly
‑
Si层的烧穿深度，可以有效改善P型Poly
‑
Si层与金属电极之间的欧姆接触，可以减小接触电阻，从而可以提升太阳能电池性能。
附图说明
[0020]图1为本技术实施例一提供的一种太阳能电池的钝化接触结构的示意图；
[0021]图2为本技术实施例一提供的另一种太阳能电池的钝化接触结构的示意图；
[0022]图3为本技术实施例二提供的一种太阳能电池的钝化接触结构的示意图。
具体实施方式
[0023]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0024]本技术实施例提供的一种太阳能电池的钝化接触结构通过在P型Poly
‑
Si层之上设置用于与金属电极接触的N型Poly
‑
Si层；或在P型Poly
‑
Si层之上设置阻挡层，并在阻挡层之上设置用于与金属电极接触的N型Poly
‑
Si层，利用P型Poly
‑
Si层与N型Poly
‑
Si层之间形成的隧穿结可以促进载流子进行输运，且利用N型Poly
‑
Si层与金属电极接触，利用现有金属浆料可以与N型Poly
‑
Si很好地适配的特点，采用金属浆料在N型Poly
‑
Si层印刷金属电极时，便于控制金属浆料在N型Poly
‑
Si层的烧穿深度，可以有效改善P型Poly
‑
Si层与金属电极之间的欧姆接触，从而可以提升太阳能电池性能。
[0025]实施例一
[0026]请参照图1和图2，本实施例提供一种太阳能电池的钝化接触结构，包括：
[0027]硅片1；
[0028]设于硅片1之上的隧穿介质层2；
[0029]设于隧穿介质层2之上的P型Poly
‑
Si层3；以及
[0030]设于P型Poly
‑
Si层3之上、并用于与金属电极接触的N型Poly
‑
Si层5。
[0031]本技术实施例中，硅片1为晶体硅。其中，隧穿介质层2设于硅片1的靠近金属电极的一侧。
[0032]本技术实施例中，隧穿介质层2一方面可以起到阻挡N型Poly
‑
Si层5的掺杂剂扩散到P型Poly
‑
Si层3里面；另一方面，隧穿介质层2起到晶体硅表面的化学钝化作用，降低表面复合，同时可以阻碍本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的钝化接触结构，其特征在于，包括：硅片；设于所述硅片之上的隧穿介质层；设于所述隧穿介质层之上的P型Poly
‑
Si层；以及设于所述P型Poly
‑
Si层之上、并用于与金属电极接触的N型Poly
‑
Si层；或，设于所述P型Poly
‑
Si层之上的阻挡层、及设于所述阻挡层之上并用于与金属电极接触的N型Poly
‑
Si层。2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的钝化接触结构，其特征在于，所述N型Poly
‑
Si层的厚度为10
‑
500nm。3.根据权利要求2所述的一种太阳能电池的钝化接触结构，其特征在于，所述N型Poly
‑
Si层的厚度为50
‑
300nm。4.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的钝化接触结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱开富，林文杰，王永谦，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：