太阳能电池及其制作方法、太阳能组件技术

技术编号:34871392 阅读:45 留言:0更新日期:2022-09-10 13:23
本发明专利技术实施例提供一种太阳能电池及其制作方法、太阳能组件,太阳能电池包括:N型基底以及位于所述基底前表面的P型发射极;位于所述基底前表面且在远离所述P型发射极的方向上依次设置有第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层,其中所述第一钝化层包括第一氮氧化硅SiO

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制作方法、太阳能组件


[0001]本专利技术实施例涉及半导体领域,特别涉及一种太阳能电池及其制作方法、太阳能组件。

技术介绍

[0002]电池界面复合是抑制电池效率提升的关键因素。目前业内钝化晶硅太阳能电池,常采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在硅片表面生长一层氮化硅薄膜,通过调整多层氮化硅膜层的折射率,使其获得最优的界面钝化效果和光学减反效果。但是,该钝化材料具有较高的固定正电荷,仅可应用在P型电池的磷扩散层表面和非扩散表面,无法被应用于N型电池的硼扩散层表面钝化。
[0003]为解决该问题,行业内引入带有固定负电荷的氧化铝薄膜材料,当氧化铝沉积在P型电池的磷扩散层表面时,可提供足够数量的固定负电荷以钝化电池界面的缺陷,从而提升电池的钝化效果。然而在N型硅片的硼扩散层上沉积氧化铝薄膜,将会带来较高的界面态缺陷密度,弱化氧化铝的场钝化效果,需要通过电退火等过程才能提升其钝化效果。于是,沉积氧化铝薄膜所需的设备以及退火工序,无疑增加了N型电池制备的设备成本和工艺时长,且对电池良率管控造成不良影响。因此,希望开发一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:N型基底以及位于所述基底前表面的P型发射极;位于所述基底前表面且在远离所述P型发射极的方向上依次设置有第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层,其中所述第一钝化层包括第一氮氧化硅SiO
x
N
y
材料,其中x>y,所述第二钝化层包括第一氮化硅Si
m
N
n
材料,其中m>n,所述第三钝化层包括第二氮氧化硅SiO
i
N
j
材料,其中i/j∈[0.97,7.58];位于所述基底后表面的钝化接触结构。2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,在垂直于所述基底的方向上,所述第一钝化层的厚度为8nm~20nm。3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池,其特征在于,在垂直于所述基底的方向上,所述第二钝化层的厚度为40nm~60nm。4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,在垂直于所述基底的方向上,所述第三钝化层的厚度不大于50nm。5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,在垂直于所述基底的方向上,所述第三钝化层的厚度为10nm~20nm。6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二钝化层的第二折射率大于所述第一钝化层的第一折射率以及所述第三钝化层的第三折射率。7.根据权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一折射率为1.61~1.71,所述第二折射率为1.98~2.2,所述第三折射率为1.56~1.87。8.根据权利要求6或7所述的太阳能电池,其特征在于,x/y的第一比值为1.53~2.58,m/n的第二比值为3.12~5.41。9.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,还包括:第四钝化层,覆盖所述钝化接触结构背离所述基底的表面,所述第四钝化层的材料包括第二氮化硅Si
a
N
b
材料,其中a/b∈[3....

【专利技术属性】
技术研发人员:李文琪杨洁张昕宇金浩
申请(专利权)人:晶科能源股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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