一种基于TOPCon电池的刻蚀方法及电池制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于TOPCon电池的刻蚀方法及电池制备方法，涉及太阳能电池技术领域，通过碱溶液刻蚀TOPCon电池片正面的多晶硅层，避免富硝酸刻蚀溶液的使用，可以有效降低工艺成本及化学品消耗量；而在刻蚀去除TOPCon电池片正面的PSG层、多晶硅层以及BSG层时，交替使用酸刻蚀溶液以及碱刻蚀溶液，可以有效对各个刻蚀溶液的使用时长以及温度等参数进行精确控制，从而降低过刻蚀的风险。从而降低过刻蚀的风险。从而降低过刻蚀的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种基于TOPCon电池的刻蚀方法及电池制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，特别是涉及一种基于TOPCon电池的刻蚀方法以及一种TOPCon电池的制备方法。

技术介绍

[0002]伴随化石能源的日趋消耗殆尽，以及由于社会的快速发展，工业上过多的消耗能源也出现了一些不可避免的环境问题，我国作为人口大国和工业大国在进入21世纪后处于快速发展的状态，所以对于能源的需求特别大而工业的快速发展不可避免的会破坏生态环境。这对经济的可持续发展和人类环境健康造成严重的影响，同时生态环境遭到破坏和传统能源面临枯竭，致使人们迫切需要一种清洁的，无污染的，可持续开发的一种绿色能源，太阳能作为最具潜力的开持续开发的清洁能源就格外重要；
[0003]由于TOPCon(隧穿氧化层钝化接触)电池有一层超薄的氧化层与一层重掺杂的多晶硅层组成，用于对双面太阳能电池背表面钝化，并进行选择性载流子收集，同时与目前PERC(Passivated Emitter Rear Cell，发射极及背面钝化)技术路线兼容性极高。但是TOPCon电池在制备过程中，现阶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于TOPCon电池的刻蚀方法，其特征在于，包括：获取待刻蚀TOPCon电池片；所述待刻蚀TOPCon电池片形成有TOPCon结构；通过酸溶液刻蚀去除所述待刻蚀TOPCon电池片正面的PSG层；在去除所述待刻蚀TOPCon电池片正面的PSG层后，通过碱溶液刻蚀去除所述待刻蚀TOPCon电池片正面裸露的多晶硅层；在去除所述待刻蚀TOPCon电池片正面裸露的多晶硅层后，通过酸溶液去除所述待刻蚀TOPCon电池片正面裸露的BSG层，以及所述待刻蚀TOPCon电池片背面的PSG层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过碱溶液刻蚀去除所述待刻蚀TOPCon电池片正面裸露的多晶硅层包括：通过氢氧化钠混合溶液刻蚀去除所述待刻蚀TOPCon电池片正面裸露的多晶硅层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过氢氧化钠混合溶液刻蚀去除所述待刻蚀TOPCon电池片正面裸露的多晶硅层包括：通过氢氧化钠与添加剂的混合溶液刻蚀去除所述待刻蚀TOPCon电池片正面裸露的多晶硅层；通过氢氧化钠与双氧水的混合溶液去除所述添加剂和金属残留物。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述氢氧化钠与添加剂的混合溶液中，氢氧化钠的体积百分比为4％至5％，包括端点值；所述添加剂的体积百分比为0.4％至1.1％，包括端点值。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过碱溶液刻蚀去除所述待刻蚀TOPCon电池片正面裸露的多晶硅层包括：通过槽式碱刻蚀机对所述待刻蚀TOPCon电池片进行碱刻蚀，去除所述待刻蚀TOPCon电池片正面裸露的多晶硅层；所述通过酸溶液去除所述待刻蚀TOPCon电池片正面裸露的BSG层，以及所述待刻蚀TOPCon电池片背面的PSG层包括：通过所述槽式碱刻蚀机对所述待刻蚀TOPCon电池片进行酸刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：王泊温，付少剑，郁寅珑，
申请(专利权)人：上饶捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：