光学邻近修正方法、掩模版及掩模版制作方法技术

本公开提供一种光学邻近修正方法、掩模版及掩模版制作方法，修正方法包括：提供当层图形和与所述当层图形相邻的前层图形，所述当层图形包括多个图形单元；根据每个所述图形单元的设计参数，以及所述前层图形对每个所述图形单元的光学影响系数，将所述多个图形单元进行分组，得到多个图形组；对不同的所述图形组采用不同的光学邻近修正模型进行修正，获得修正后的掩模版图形。本公开在对当层图形进行光学邻近修正时考虑了前层图形的光学影响，可以减少因前层图形的光学影响而产生的图形错误，从而提高了光学邻近修正的精度。而提高了光学邻近修正的精度。而提高了光学邻近修正的精度。

【技术实现步骤摘要】
光学邻近修正方法、掩模版及掩模版制作方法


[0001]本公开涉及半导体
，具体涉及一种光学邻近修正方法、掩模版及掩模版制作方法。

技术介绍

[0002]在光刻工艺中，掩模版上的图形通过曝光系统投影在光刻胶上，由于光学系统的不完善性和衍射效应，光刻胶上的图形和掩模版上的图形不完全一致。这些失真如果不纠正，可能大大改变生产出来的电路的电学性能。光学邻近修正(Optical Proximity Correction,OPC)就是使用计算方法对掩模版上的图形做修正，使得投影到光刻胶上的图形尽量符合设计要求。
[0003]光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近修正模型(OPC Model)，根据光学邻近修正模型设计掩模版图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应掩模版图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近修正模型设计掩模版图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。
[0004]然而，半导体要经过多个阶段才能制作完成，在这样的阶段中，以光刻工艺为基准称为层(La本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供当层图形和与所述当层图形相邻的前层图形，所述当层图形包括多个图形单元；根据每个所述图形单元的设计参数，以及所述前层图形对每个所述图形单元的光学影响系数，将所述多个图形单元进行分组，得到多个图形组；对不同的所述图形组采用不同的光学邻近修正模型进行修正，获得修正后的掩模版图形。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图形单元的设计参数包括：图形大小、图形形状、图形密度、与周围图形的距离以及图形作用。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述光学影响系数的确定方式，包括：根据所述前层图形的图形大小和形状，确定所述前层图形对每...

【专利技术属性】
技术研发人员：李其衡，贺晓彬，杨涛，刘强，丁明正，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：