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本公开提供一种光学邻近修正方法、掩模版及掩模版制作方法，修正方法包括：提供当层图形和与所述当层图形相邻的前层图形，所述当层图形包括多个图形单元；根据每个所述图形单元的设计参数，以及所述前层图形对每个所述图形单元的光学影响系数，将所述多个图形...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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