本公开涉及照明和显示技术领域，尤其涉及一种发光器件、发光基板和发光装置。可以提高发光器件稳定性和发光效率。一种发光器件，包括：层叠的第一电极和第二电极，设置于第一电极和第二电极之间的多层功能层；多层功能层包括发光层，至少两层具有空穴传输功能的材料层，和至少一层具有电子传输功能的材料层；至少两层具有空穴传输功能的材料层包括电子阻挡层，发光层的材料包括客体材料；电子阻挡层的材料的LUMO能级与主体材料的LUMO能级之差大于或等于阈值；在同等的测试条件下，电子阻挡层的材料的空穴迁移率的数值的数量级，与至少一层具有电子传输功能的材料层的材料的电子迁移率的数值的数量级之比大于或等于1。子迁移率的数值的数量级之比大于或等于1。子迁移率的数值的数量级之比大于或等于1。
【技术实现步骤摘要】
发光器件、发光基板和发光装置
[0001]本公开涉及照明和显示
，尤其涉及一种发光器件、发光基板和发光装置。
技术介绍
[0002]OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光二极管)具有自发光、广视角、反应时间快、发光效率高、工作电压低、基板厚度薄、可制作大尺寸与可弯曲式基板及制程简单等特性，被誉为下一代的“明星”显示技术。
技术实现思路
[0003]本专利技术的主要目的在于，提供一种发光器件、发光基板和发光装置。可以提高发光器件稳定性和发光效率。
[0004]为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0005]一方面，提供一种发光器件，包括：层叠设置的第一电极和第二电极；以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的多层功能层；所述多层功能层包括发光层，以及位于所述发光层和所述第一电极之间的至少两层具有空穴传输功能的材料层，和位于所述发光层和所述第二电极之间的至少一层具有电子传输功能的材料层；所述至少两层具有空穴传输功能的材料层包括电子阻挡层，所述发光层的材料包括主体材料和客体材料；其中，所述电子阻挡层的材料的LUMO能级与所述主体材料的LUMO能级之差大于或等于0.3eV；在同等的测试条件下，所述电子阻挡层的材料的空穴迁移率的数值的数量级，与所述至少一层具有电子传输功能的材料层的材料的电子迁移率的数值的数量级之比大于或等于1；所述客体材料选自分子椭圆度大于1.8的化合物中的任一种。
[0006]在一些实施例中，在电场强度为5000V
1/2
/m
1/2
的测试条件下，所述至少一层具有电子传输功能的材料层的材料的电子迁移率为10
‑8cm2V
‑1s
‑1～10
‑7cm2V
‑1s
‑1，所述电子阻挡层的材料的空穴迁移率为10
‑8cm2V
‑1s
‑1～10
‑6cm2V
‑1s
‑1。
[0007]在一些实施例中，所述电子阻挡层的材料选自如下通式(I)所示结构中的任一种；
[0008][0009]其中，Ar1、Ar2相同或不同，分别独立地选自取代或未取代的C6～C
30
的芳基、取代或未取代的C2～C
30
的杂芳基中的任一种；L独立的选自单键、取代或未取代的C6～C
30
的亚芳基、取代或未取代的C2～C
30
的亚杂芳基中的任一种。
[0010]在一些实施例中，所述电子阻挡层的材料选自如下结构式中的任一种：
～C
30
的杂芳基中的任一种；X1和X2相同或不同，分别独立地选自N(R)，R选自氢、取代或未取代的C6～C
30
的芳基、取代或未取代的C2～C
30
的杂芳基和取代或未取代的C1～C
30
的烷基中的任一种。
[0016]在一些实施例中，A、B和C分别独立地选自苯基、二联苯基和如下结构式中的任一种：
[0017][0018][0019]其中，X选自O、S、Se或者N
‑
R，R选自H、取代或未取代的C6～C
30
的芳基、取代或未取代的C2～C
30
的杂芳基和取代或未取代的C1～C
30
的烷基中的任一种。
[0020]在一些实施例中，所述客体材料选自如下结构式中的任一种：
[0021][0022]另一方面，提供一种发光基板，包括：衬底；以及设置于所述衬底上的多个发光器件；其中，至少一个发光器件为如上所述的发光器件。
[0023]在一些实施例中，所述第一电极相对于所述第二电极靠近所述衬底，所述第二电极可透光；所述发光基板还包括：设置于所述第二电极远离衬底一侧的光取出层；所述光取出层的折射率大于与所述光取出层相邻且位于所述光取出层靠近所述第二电极一侧的材
料层的折射率。
[0024]在一些实施例中，对于波长为620nm的光而言，所述光取出层的折射率大于或等于1.8。
[0025]在一些实施例中，所述光取出层的材料选自如下通式(III)中的任一种；
[0026][0027]其中，Ar3、Ar4相同或不同，分别独立地选自取代或未取代的C6～C
30
的芳基、取代或未取代的C2～C
30
的杂芳基中的任一种；X选自O、S、Se或者N
‑
R，R选自H、取代或未取代的C6～C
30
的芳基、取代或未取代的C2～C
30
的杂芳基和取代或未取代的C1～C
30
的烷基中的任一种；L1选自单键、取代或未取代的C6～C
30
的亚芳基、取代或未取代的C2～C
30
的亚杂芳基中的任一种，L2选自单键、取代或未取代的C6～C
30
的芳基，和取代或未取代的C2～C
30
的杂芳基中的任一种。
[0028]在一些实施例中，所述光取出层的材料选自如下结构式中的任一种：
[0029][0030][0031]又一方面，提供一种发光装置，包括：如上所述的发光基板。
[0032]本专利技术实施例提供一种发光器件、发光基板和发光装置。通过对电子阻挡层的材料进行选择，使得电子阻挡层具有较高的LUMO能级，可以有效阻挡电子向空穴传输层扩散，防止空穴传输层中的C
‑
N键发生断裂，并可减少电子淬灭，将激子限制在发光区域内。同时，通过对电子阻挡层的材料的空穴迁移率进行合理设置，使激子复合区域向发光层的中心移动，可以大幅提高器件的效率和寿命。同时，在以上减少电子淬灭，并使激子复合区域向发光层的中心移动的情况下，采用分子椭圆度大于1.8的化合物，还可以使客体材料在薄膜状态下具有良好的取向，也即，分子的长轴(也即分子可以看作是椭圆形的分子，椭圆形的长轴即为分子的长轴)平行于薄膜所在平面进行排列，有利于光取出，从而能够进一步提高发光效率。也即，本公开的实施例提供的电子阻挡层的材料选择与客体材料的材料选择共同决定了该发光器件具有较高的效率。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
[0034]图1为根据一些实施例的发光基板的剖视结构图；
[0035]图2为根据一些实施例的发光基板的俯视结构图。
具体实施方式
[0036]下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光器件，包括：层叠设置的第一电极和第二电极；设置于所述第一电极和所述第二电极之间的多层功能层；所述多层功能层包括发光层，以及位于所述发光层和所述第一电极之间的至少两层具有空穴传输功能的材料层，和位于所述发光层和所述第二电极之间的至少一层具有电子传输功能的材料层；所述至少两层具有空穴传输功能的材料层包括电子阻挡层，所述发光层的材料包括主体材料和客体材料；其中，所述电子阻挡层的材料的LUMO能级与所述主体材料的LUMO能级之差大于或等于0.3eV；在同等的测试条件下，所述电子阻挡层的材料的空穴迁移率的数值的数量级，与所述至少一层具有电子传输功能的材料层的材料的电子迁移率的数值的数量级之比大于或等于1；所述客体材料选自分子椭圆度大于1.8的化合物中的任一种。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在电场强度为5000V
1/2
/m
1/2
的测试条件下，所述至少一层具有电子传输功能的材料层的材料的电子迁移率为10
‑8cm2V
‑1s
‑1～10
‑7cm2V
‑1s
‑1，所述电子阻挡层的材料的空穴迁移率为10
‑8cm2V
‑1s
‑1～10
‑6cm2V
‑1s
‑1。3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述电子阻挡层的材料选自如下通式(I)所示结构中的任一种；其中，Ar1、Ar2相同或不同，分别独立地选自取代或未取代的C6～C
30
的芳基、取代或未取代的C2～C
30
的杂芳基中的任一种；L独立的选自单键、取代或未取代的C6～C
30
的亚芳基、取代或未取代的C2～C
30
的亚杂芳基中的任一种。4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述电子阻挡层的材料选自如下结构式中的任一种：
5.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述客体材料选自如下通式(II)所示结构中的任一种；
其中，A、B和C分别独立地选自取代或未取代的C6～C
30
的芳基、取代或未取代的C2～C
30
的杂芳基中的任一种；X1和X2相同或不同，分别独立地选自N(R)，R选自氢、取代或未取代的C6～C
30
的芳基、取代或未取代的C2～C
【专利技术属性】
技术研发人员：张东旭，孙玉倩，高荣荣，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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