发光器件及其制备方法以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种发光器件及其制备方法，以及包含该发光器件的显示装置。所述发光器件包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极和第二电极之间的发光功能层；其中发光功能层包括发光层，位于所述发光层和所述第一电极之间的第一阻挡层，位于所述发光层和所述第二电极之间的第二阻挡层；且所述发光层包括主体材料和客体材料；所述第一阻挡层和所述第二阻挡层中的至少一层掺杂有所述客体材料。本发明专利技术的发光器件在不引入新材料的前提下，通过对发光功能层掺杂客体材料，可以拓宽激子分布区域，有效提高发光器件的发光效率，改善效率滚降的现象，提高器件寿命。提高器件寿命。提高器件寿命。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制备方法以及显示装置


[0001]本专利技术属于显示
，尤其涉及一种发光器件，该发光器件的制备方法，以及包括该发光器件的显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode,OLED)由于其优异的显示性能在显示
具有广泛应用，并引起业内高度关注。根据所使用发光材料的不同，可将OLED分为荧光OLED、磷光OLED和热活化延迟荧光(TADF)OLED，目前商业上使用较多的是荧光OLED和磷光OLED。在电激发状态下，有机发光材料将产生占激子总数25％的单线态激子和75％的三线态激子。根据自旋守恒原则，荧光材料只有25％的单线态激子能够通过辐射跃迁产生光子。与荧光材料不同，由于重金属的自旋轨道耦合作用，磷光材料的三线态激子能通过辐射跃迁发射光子，使得磷光OLED最高内量子效率理论上可达到100％，大大提高了器件效率。
[0003]然而，与单线态激子相比，三线态激子寿命较长，发生辐射跃迁之前，有一定概率发生三线态
‑
三线态湮灭(TTA)和三线态
‑
极化子湮灭(TPA)，这会造成三线态激子的损失，进而造成器件效率的降低。与低亮度(或低电流密度)相比，高亮度(或高电流密度)时三线态激子和极化子浓度更高，TTA和TPA过程更为严重，器件效率将出现大幅度降低，这就是绝大多数磷光OLED都面临的共同问题：效率滚降。TTA和TPA过程产生的热量会降低磷光OLED器件的使用寿命，器件效率的降低也会导致能耗的增大，这些都不利于磷光OLED的商业使用。
[0004]对于OLED器件中相同数目的激子和极化子，激子复合区域越宽，则复合区域内激子和极化子浓度越低。拓宽激子复合区域(电子和空穴复合形成激子的区域)是降低激子和极化子浓度、改善磷光OLED效率滚降的有效方法。早期的磷光OLED多使用单一主体结构(Single EML,S
‑
EML)，由于单一主体传输空穴和电子的能力通常不平衡，因此空穴和电子将在靠近阳极侧(或靠近阴极侧)复合形成激子，激子复合区域较窄，效率滚降严重。从拓宽激子复合区域的角度出发，科研工作者开发出一系列磷光OLED器件结构，这些器件结构包括：双发光层结构(Double EML,D
‑
EML)、共混主体发光层结构(Mixed EML,M
‑
EML)、梯度掺杂主体发光层结构(Graded EML,G
‑
EML)等。然而这些器件结构仍然存在不少问题，如D
‑
EML激子复合区域很窄，效率滚降仍然很严重；M
‑
EML和G
‑
EML涉及主体材料的共蒸镀，制备工艺复杂、不同批次间重复性差等。
[0005]另外，从材料开发角度考虑，从只使用一种主体材料的S
‑
EML，到使用两种主体材料的D
‑
EML、M
‑
EML和G
‑
EML都涉及到新主体材料的引入。不同客体材料所需主体材料光电性质不尽相同，因此对于商业上使用的不同的客体材料，从S
‑
EML到D
‑
EML、M
‑
EML和G
‑
EML都需要开发新的不同的主体材料，这就增大了开发成本和开发难度。
[0006]综上所述，为了改善磷光器件的效率滚降现象，提高器件效率，延长器件使用寿命，有必要设计简单、普适的新型器件结构

技术实现思路

[0007]本专利技术提供一种发光器件，其制备方法，以及包括该发光器件的显示装置，以解决相关技术存在的问题，技术方案如下：
[0008]第一方面，本专利技术提供了一种发光器件，包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极和第二电极之间的发光功能层；其中，所述发光功能层包括发光层，位于所述发光层和所述第一电极之间的第一阻挡层，位于所述发光层和所述第二电极之间的第二阻挡层；且所述发光层包括主体材料和客体材料；所述第一阻挡层和所述第二阻挡层中的至少一层掺杂有所述客体材料。
[0009]根据一个优选实施方式，当所述主体材料的电子迁移率大于空穴迁移率时，所述第一阻挡层掺杂有客体材料。其中，所述主体材料选自(8
‑
羟基喹啉铝)、(1,3,5
‑
三(1
‑
苯基
‑
1H
‑
苯并咪唑
‑2‑
基)苯)和(3
‑
(联苯
‑4‑
基)
‑5‑
(4
‑
叔丁基苯基)
‑4‑
苯基
‑
4H
‑
1,2,4
‑
三唑)中的一种或多种。
[0010]根据另一个优选实施方式，当所述主体材料的电子迁移率小于空穴迁移率时，所述第二阻挡层掺杂有客体材料。其中，所述主体材料为(4,4
′‑
双(N
‑
咔唑基)
‑
9,9
′‑
螺二芴。
[0011]根据又一个优选实施方式，当所述主体材料的电子迁移率与空穴迁移率基本相同时，所述第一阻挡层和第二阻挡层掺杂有客体材料。其中，所述主体为1,3,5
‑
三(1
‑
苯基
‑
1H
‑
苯并咪唑
‑2‑
基)苯和(4,4
′‑
双(N
‑
咔唑基)
‑
9,9
′‑
螺二芴的共混物。
[0012]优选地，所述发光功能层还包括位于所述第一阻挡层和第一电极之间的第一传输层；其中，所述第一传输层掺杂有所述客体材料。
[0013]进一步地，所述客体材料为金属铱配合物。优选地，所述金属铱配合物为选自双(2
‑
(2
′‑
苯并噻吩基)吡啶
‑
N,C3
′
)(乙酰丙酮)合铱、三(2
‑
苯基吡啶)合铱、乙酰丙酮酸二(2
‑
苯基吡啶)合铱和三[2
‑
(对甲苯基)吡啶]合铱中的一种或多种。
[0014]优选地，所述客体材料的掺杂浓度分别为0.5
‑
3％。
[0015]第二方面，本专利技术提供了一种显示装置，包括至少一个子像素，所述至少一个子像素包括所述发光器件。
[0016]第三方面，本专利技术提供了一种发光器件的制备方法，包括依次形成第二电极、发光功能层和第一电极。其中，形成所述发光功能层包括依次形成第二阻挡层、发光层和第一阻挡层，所述发光层包括主体材料和客体材料。所述制备方法还包括采用所述客体材料对所述第一阻挡层和第二阻挡层中的一者或二者进行掺杂。
[0017]根据一个具体实施方式，当所述主体材料的电子迁移率小于空穴迁移率时，采用所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极和第二电极之间的发光功能层；其中，所述发光功能层包括发光层，位于所述发光层和所述第一电极之间的第一阻挡层，位于所述发光层和所述第二电极之间的第二阻挡层；且所述发光层包括主体材料和客体材料；其特征在于，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层中的至少一层掺杂有所述客体材料。2.根据权利要求1所述的发光器件，当所述主体材料的电子迁移率小于空穴迁移率时，所述第一阻挡层掺杂有客体材料。3.根据权利要求2所述的发光器件，所述主体材料为(4,4
′‑
双(N
‑
咔唑基)
‑
9,9
′‑
螺二芴。4.根据权利要求1所述的发光器件，当所述主体材料的电子迁移率大于空穴迁移率时，所述第二阻挡层掺杂有客体材料。5.根据权利要求4所述的发光器件，所述主体材料选自(8
‑
羟基喹啉铝)、(1,3,5
‑
三(1
‑
苯基
‑
1H
‑
苯并咪唑
‑2‑
基)苯)和(3
‑
(联苯
‑4‑
基)
‑5‑
(4
‑
叔丁基苯基)
‑4‑
苯基
‑
4H
‑
1,2,4
‑
三唑)中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的发光器件，当所述主体材料的电子迁移率与空穴迁移率基本相同时，所述第一阻挡层和第二阻挡层掺杂有客体材料。7.根据权利要求6所述的发光器件，所述主体材料为1,3,5
‑
三(1
‑
苯基
‑
1H
‑
苯并咪唑
‑2‑
基)苯和(4,4
′‑
双(N
‑
咔唑基)
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈永红，李彦松，杜小波，周辉，马立辉，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：