发光器件、制造其的方法、和其操作方法技术

提供发光器件、制造其的方法、和其操作方法，其中所述发光器件包括第一导电层和由式1表示的发光基团，式1的详细描述与本说明书中描述的相同。式1*

【技术实现步骤摘要】
发光器件、制造其的方法、和其操作方法
[0001]对相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2021年3月4日提交的韩国专利申请No.10
‑
2021
‑
0029052的优先权，将其公开内容全部通过引用引入本文中。


[0003]本公开内容涉及发光器件、制造所述发光器件的方法、和所述发光器件的操作方法。

技术介绍

[0004]近来，已经积极地进行了关于可用在器件例如各种显示器和光源中的各种发光器件的研究。从这些器件之中，有机发光器件为自发射器件，并且在视角、响应时间、亮度、驱动电压和响应速度方面具有优异的特性且可产生全色图像。
[0005]在实例中，有机发光器件包括阳极、阴极、以及位于阳极和阴极之间的有机层，其中所述有机层包括发射层。空穴传输区域可位于阳极和发射层之间，且电子传输区域可位于发射层和阴极之间。从阳极提供的空穴可通过空穴传输区域朝着发射层移动，且从阴极提供的电子可通过电子传输区域朝着发射层移动。空穴和电子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态以由此产生光。
[0006]同时，存在开发不同于这些有机发光器件的具有与有机发光器件的那些不同的结构和发光机理的下一代发光器件的需要。

技术实现思路

[0007]提供发光器件、制造发光器件的方法、和发光器件的操作方法。
[0008]额外的方面将部分地在随后的描述中阐明，且部分地将由所述描述明晰，或者可通过公开内容的所呈现的实施方式的实践获悉。r/>[0009]根据一种或多种实施方式，发光器件包括
[0010]第一导电层，和
[0011]由式1表示的发光基团，其中
[0012]所述发光基团化学键合至在所述第一导电层的表面上的原子。
[0013]式1
[0014]*
‑
A3‑
(A1)
m1
‑
(A2)
m2
。
[0015]在式1中，
[0016]*表示与在所述第一导电层的表面上的原子的化学结合位点，
[0017]A3为键合至在所述第一导电层的表面上的原子的原子，
[0018]A1为连接基团，
[0019]A2为发光部分(moiety)，和
[0020]m1和m2可各自独立地为1
‑
10的整数，其中，当m1为2或更大时，两个或更多个A1可
彼此相同或不同，和当m2为2或更大时，两个或更多个A2可彼此相同或彼此不同。
[0021]根据另一方面，提供制造发光器件的方法，所述方法包括
[0022]提供第一导电层，和
[0023]通过使所述第一导电层与由式1A表示的化合物接触而使由式1表示的发光基团化学键合至在所述第一导电层的表面上的原子。
[0024]式1A
[0025]A4‑
A3‑
(A1)
m1
‑
(A2)
m2
[0026]式1
[0027]*
‑
A3‑
(A1)
m1
‑
(A2)
m2
[0028]在式1A和1中，A4为部分，并且*、A3、A1、A2、m1、和m2与以上描述的相同。
[0029]根据一种或多种实施方式，发光器件的操作方法包括控制施加至所述发光器件的第一导电层的电压。
附图说明
[0030]由结合附图考虑的以下描述，本公开内容的一些实施方式的以上和其它方面、特征和优势将更加明晰，其中：
[0031]图1显示根据示例性实施方式的发光器件的示意性横截面图；
[0032]图2显示根据示例性实施方式的发光器件的示意性横截面图；和
[0033]图3为显示根据施加至在实施例1中制造的发光器件1的电压的光致发光(PL)光谱的图。
具体实施方式
[0034]现在将对实施方式详细地进行介绍，其实例说明于附图中，其中在说明书中相同的附图标记始终指的是相同的元件。在这点上，本实施方式可具有不同的形式且不应被解释为限于本文中阐明的描述。因此，下面仅通过参考附图描述实施方式以说明方面。如本文中使用的，术语“和/或”包括相关列举项目的一个或多个的任何和全部组合。表述例如“的至少一个(种)”当在要素列表之前或之后时，修饰整个要素列表且不修饰所述列表的单独要素。
[0035]将理解，当一个元件被称作“在”另外的元件“上”时，其可直接在所述另外的元件上或者其间可存在中间元件。相反，当一个元件被称作“直接在”另外的元件“上”时，不存在中间元件。
[0036]将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用来描述各种元件、组分、区域、层和/或部分，但是这些元件、组分、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用来使一个元件、组分、区域、层或部分区别于另外的元件、组分、区域、层或部分。因此，在不背离本文中的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“组分”、“区域”、“层”或“部分”可称为第二元件、组分、区域、层或部分。
[0037]本文中使用的术语仅用于描述具体实施方式的目的且不意图为限制性的。如本文中使用的，“一个(种)(不定冠词)(a，an)”、“所述(该)”和“至少一个(种)”不表示量的限制，且意图覆盖单数和复数两者，除非上下文清楚地另外指明。例如，“(一个)元件”具有与“至
少一个元件”相同的含义，除非上下文清楚地另外指明。
[0038]“或”意味着“和/或”。如本文中使用的，术语“和/或”包括相关列举项目的一个或多个的任何和全部组合。将进一步理解，术语“包含”或“包括”当用在本说明书中时，表明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组分，但是不排除存在或添加一种或多种另外的特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组分、和/或其集合。
[0039]此外，在本文中可使用相对术语例如“下部”或“底部”以及“上部”或“顶部”来描述如图中所示的一个元件与另外的元件的关系。将理解，除图中所示的方位之外，相对术语还意图包括器件的不同方位。例如，如果图之一中的器件翻转，描述为在其它元件“下部”侧上的元件则将定向在所述其它元件的“上部”侧上。因此，取决于图的具体方位，示例性术语“下部”可包括“下部”和“上部”两种方位。类似地，如果图之一中的器件翻转，描述为“在”其它元件“下面”或“之下”的元件则将定向“在”所述其它元件“上方”。因此，示例性术语“在
……
下面”或“在
……
之下”可包括在
……
上方和在
……
下面两种方位。
[0040]如本文中使用的“约”或“大约”包括所陈述的值且意味着在如由本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的限制)而确定的对于具体值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可意味着相对于所陈述的值本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光器件，包括：第一导电层；和由式1表示的发光基团，其中所述发光基团化学键合至在所述第一导电层的表面上的原子：式1*
‑
A3‑
(A1)
m1
‑
(A2)
m2
其中，在式1中，*表示与在所述第一导电层的表面上的原子的化学结合位点，A3为键合至在所述第一导电层的表面上的原子的原子，A1为连接基团，A2为发光部分，和m1和m2各自独立地为1
‑
10的整数，其中，当m1为2或更大时，两个或更多个A1彼此相同或不同，和当m2为2或更大时，两个或更多个A2彼此相同或彼此不同。2.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电层包括镁(Mg)、钙(Ca)、钪(Sc)、钇(Y)、镧(La)、锕(Ac)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铈(Ce)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、钕(Nd)、锰(Mn)、铼(Re)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锌(Zn)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、铊(Tl)、锡(Sn)、铋(Bi)、硼(B)、硅(Si)、锗(Ge)、砷(As)、锑(Sb)、碲(Te)、碳、氮、氧、或其任意组合。3.如权利要求1所述的发光器件，其中包括多个发光基团的单层位于所述第一导电层的表面上，和其中所述包括多个发光基团的单层与所述第一导电层的表面直接接触。4.如权利要求3所述的发光器件，其中所述单层的厚度为约0.1nm
‑
约5.0nm。5.如权利要求3所述的发光器件，其中所述单层为自组装的单层。6.如权利要求1所述的发光器件，其中式1中的*表示与在所述第一导电层的表面上的金属、准金属、碳、氮、或氧的化学结合位点。7.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电层包括银(Ag)、金(Au)、锌(Zn)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、铊(Tl)、锡(Sn)、或其任意组合，和式1中的*表示与在所述第一导电层的表面上的银(Ag)、金(Au)、锌(Zn)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、铊(Tl)、或锡(Sn)的化学结合位点。8.如权利要求1所述的发光器件，其中式1的A3为O或S。9.如权利要求1所述的发光器件，其中式1的A1为单键、取代或未取代的C2‑
C
60
亚烷基、取代或未取代的C2‑
C
60
亚炔基、取代或未取代的C2‑
C
60
亚烯基、取代或未取代的C5‑
C
30

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：韩国科学技术院，
类型：发明
国别省市：