一种全包封功率器件提升绝缘等级的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种全包封功率器件提升绝缘等级的工艺方法；将绝缘胶水采用高频振射注入到托针孔内进行填充，再经过温度130℃／时间20min的烘烤；等待自然冷却后拿出。热膨胀系数（PPM/℃）60，断裂伸长率（%）3.5，剪切强度（MPa）8，导热系数(W/m℃)0.23，体积导电率（Ω.cm）6.3*105。产品结构上托针孔深度为0.68

【技术实现步骤摘要】
一种全包封功率器件提升绝缘等级的工艺方法


[0001]本专利技术涉及全包封功率器件绝缘提升相关的领域，具体来讲涉及的是一种全包封功率器件提升绝缘等级的工艺方法。

技术介绍

[0002]目前产品锁螺丝孔周边的托针孔点上绝缘胶水，在操作过程中，产品在工作的环境影响下产生高压差；势必造成影响，故需要加以改进。

技术实现思路

[0003]因此，为了解决上述不足，本专利技术在此提供一种全包封功率器件提升绝缘等级的工艺方法；产品锁螺丝孔周边的托针孔点上绝缘胶水，烘干后固化；提高锁螺丝孔绝缘，避免通过高电压后放电打火；产品在工作的环境影响下避免外界物产生高压差，因而放电打火。
[0004]本专利技术是这样实现的，构造一种全包封功率器件提升绝缘等级的工艺方法，其特征在于；实施过程如下；将胶水高频振射到孔上，再烘烤；自然冷却后拿出。
[0005]根据本专利技术所述一种全包封功率器件提升绝缘等级的工艺方法，其特征在于；烘烤时按照130℃、20min的标准烘烤。
[0006]根据本专利技术所述一种全包封功率器件提升绝缘等级的工艺方法，其特征在于；实施时，按照热膨胀系数（PPM/℃）60，断裂伸长率（%）3.5，剪切强度（MPa）8，导热系数（W/m℃）0.23，体积导电率（Ω.cm）6.3*105。
[0007]根据本专利技术所述一种全包封功率器件提升绝缘等级的工艺方法，其特征在于；托针孔深0.68
±
0.1mm，最小点胶量高度0.45mm，最大点胶量于圆孔面上凸0.1mm；托针孔周围溢胶，溢胶量不得大于2/3 D尺寸，溢胶面积不得大于2/3 S面积；D为托针孔最大直径，S为托针孔最大面。
[0008]根据本专利技术所述一种全包封功率器件提升绝缘等级的工艺方法，其特征在于；在高压AC=3000v或DC=4000V的环境下避免外界产生高压差，因而放电打火。
[0009]本专利技术具有如下优点：本专利技术在此提供一种全包封功率器件提升绝缘等级的工艺方法；产品锁螺丝孔周边的托针孔点上绝缘胶水，烘干后固化；提高锁螺丝孔绝缘，避免通过高电压后放电打火；产品在工作的环境影响下避免外界物产生高压差，因而放电打火。
附图说明
[0010]图1是托针孔深状态示意图（垂直面）图2是托针孔深状态示意图（剖面）。
具体实施方式
[0011]下面将结合附图1
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图2对本专利技术进行详细说明，对本专利技术实施例中的技术方案进
行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0012]本专利技术通过改进在此提供一种本专利技术在此提供一种全包封功率器件提升绝缘等级的工艺方法；实施如下：将胶水高频振射到孔上，再130℃20min烘烤。自然冷却后拿出。
[0013]热膨胀系数（PPM/℃）60，断裂伸长率（%）3.5，剪切强度（MPa）8，导热系数(W/m℃) 0.23，体积导电率（Ω.cm）6.3*105。
[0014]托针孔深0.68
±
0.1mm，最小点胶量高度0.45mm，最大点胶量于圆孔面上凸0.1mm；托针孔周围溢胶，溢胶量不得大于2/3 D尺寸，溢胶面积不得大于2/3 S面积；D为托针孔最大直径，S为托针孔最大面；如图1所示。
[0015]在高压AC=3000v或DC=4000V的环境下避免外界产生高压差，因而放电打火。
[0016]实施例：假片的点胶操作手法（手动）实施例：取线上FIR4N65F
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XYD6504Y产品点胶操作手法（手动）
本专利技术在此提供一种全包封功率器件提升绝缘等级的工艺方法；产品锁螺丝孔周边的托针孔点上绝缘胶水，烘干后固化；提高锁螺丝孔绝缘，避免通过高电压后放电打火；产品在工作的环境影响下避免外界物产生高压差，因而放电打火。
[0017]图2是托针孔深状态示意图（剖面），其中托针孔深0.68
±
0.1mm，最小点胶量高度0.45mm，最大点胶量于圆孔面上凸0.1mm。
[0018]本专利技术公开了一种半导体产品，用环氧树脂材料进行全包封封装的功率器件提升产品绝缘等级的工艺方法；将绝缘胶水采用高频振射注入到托针孔内进行填充，再经过温度130℃／时间20min的烘烤；等待自然冷却后拿出。热膨胀系数（PPM/℃）60，断裂伸长率（%）3.5，剪切强度（MPa）8，导热系数(W/m℃) 0.23，体积导电率（Ω.cm）6.3*105。产品结构上托针孔深度为0.68
±
0.1mm，最小点胶量高度0.45mm，最大点胶量于产品托针孔面上凸出高度少于0.1mm。产品承受高压AC=3000v或DC=4000V的环境下避免外界产生高压差，因而放电打火。产品锁螺丝孔位置的托针孔注入绝缘胶水，整体进行烘干后固化工艺；提高产品锁螺丝孔位置绝缘性能，避免在通过高电压后产品放电打火；产品在工作的环境影响下避免外界物产生高压差，因而放电打火。
[0019]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本专利技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本专利技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本专利技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种全包封功率器件提升绝缘等级的工艺方法，其特征在于；实施过程如下；将胶水高频振射到孔上，再烘烤；自然冷却后拿出。2.根据权利要求1所述一种全包封功率器件提升绝缘等级的工艺方法，其特征在于；烘烤时按照130℃、20min的标准烘烤。3.根据权利要求1所述一种全包封功率器件提升绝缘等级的工艺方法，其特征在于；实施时，按照热膨胀系数（PPM/℃）60，断裂伸长率（%）3.5，剪切强度（MPa）8，导热系数（W/m℃）0.23，体积导电率（Ω.cm）6.3*105。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗云红，黄晓波，郑海迎，王安均，
申请(专利权)人：泸州龙芯微科技有限公司，
类型：发明
国别省市：