【技术实现步骤摘要】
一种硅片扩散方法以及电池片制备方法
[0001]本专利技术属于光伏设备领域，涉及一种硅片扩散方法以及电池片制备方法。
技术介绍
[0002]随着当今硅片市场的发展，大尺寸硅片更加符合当今市场的趋势，但也对设备提出了更高的挑战，尤其是热制程设备。硅片在高温下产生形变，尤其是18Xmm或者210mm硅片，在尺寸进一步加大后，硅片受热弯曲，相邻硅片甚至会贴合在一起，严重影响了产品扩散的均匀性，进而制约了大尺寸产品的发电效率的进一步提升，而解决这一问题的方法就是采用水平扩散替代竖直扩散。
[0003]但扩散的均匀性除了受到气体的影响，温度的影响也不可忽视，水平扩散由于上下热场的热辐射被硅片层层挡住，所以上下硅片的温度和中间硅片温度存在差异，这样会导致上下端的硅片方阻较低的问题，尤其是石英舟中上下第一片硅片靠近热场的那面方阻非常低。目前常采用装载假片或热场功率分段控制热辐射功率的方案去改善。装载假片的方案增加了生产成本，另外假片需要定期更换，随着扩散次数的增加，假片上源量达到饱和后，假片的效果会越来越差；热场功率分段控制的方案可以缓解热场热辐射的影响，但需要增加热场的成本，而且在现有的扩散设备上去更改热场，成本会更高。
技术实现思路
[0004]本专利技术为了克服现有技术的不足，提供一种较为简便的减少上下端热场热辐射影响的硅片扩散方法以及电池片制备方法。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种硅片扩散方法,包括以下步骤：
[0006]S01：装舟，将硅片分区插入石...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅片扩散方法,其特征在于：包括以下步骤：S01：装舟，将硅片分区插入石英舟，所述石英舟包括上单片区域、下单片区域以及双片区域，双片区域位于上单片区域和下单片区域之间，上单片区域以及下单片区域装载单片硅片，双片区域装载双片硅片；S02：磷扩散，对硅片进行磷扩散形成PN结。2.根据权利要求1所述的一种硅片扩散方法，其特征在于：步骤S02中，磷扩散包括以下步骤：S021：将载有硅片的石英舟送入石英炉管中；S022：抽真空检漏；S023：炉管升温至770
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790℃后，通入氧气和氮气，氧气流量1
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1.5L/min，氮气流量3
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3.5L/min，炉管压力为150
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170mbar，时间4
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6min；S024：恒温770
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790℃，氮气携带三氯氧磷，混合氧气和氮气从炉尾进气，氧气流量为0.8
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1L/min，炉管压力为150
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170mbar，时间为11
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13min；S025：由770℃斜率升温至845℃，氧气流量1
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1.5L/min，氮气流量3
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3.5L/min，炉管压力为150
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170mbar，时间9
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11min；S026：恒温845℃，在恒温的过程中，补充氮气，氮气流量为3
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3.5L/min，炉管压力为160mbar，时间9
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11min；S027：降温至800℃，通氮气回到常压，出炉。3.一种硅片扩散方法，其特征在于：包括以下步骤：S31：装舟，将硅片分区插入石英舟，所述石英舟包括上单片区域、下单片区域以及双片区域，双片区域位于上单片区域和下单片区域之间，上单片区域以及下单片区域装载单片硅片，双片区域装载双片硅片；S32：硼扩散，对硅片进行硼扩散形成PN结。4.根据权利要求3所述的一种硅片扩散方法，其特征在于：所述步骤S32中，硼扩散包括以下步骤：S3201：将载有硅片的石英舟送入石英炉管中；S3202：抽真空检漏；S3203：升温，由770℃斜率升温至800℃，通入氮气，炉管压力为140
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160mbar，时间14
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16min；S3204：前氧化，800℃下，通入氮气和氧气，氮气流量1
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1.5L/min，氧气流量2
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2.5L/min，时间9
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11min；S3205：升温800℃至850℃，升温过程中阶梯性通入氮气、氧气和三氯化硼；S3206：升温，由850℃斜率升温至950℃，升温过程中通入氮气，氮气流量2
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2.5L/min，炉管压力为390
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410mbar，时间19
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21min；S3207：恒温950℃，在恒温的过程中，补充氮气，氮气流量为2
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2.5L/min，炉管压力为400mbar，时间19
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21min；S3208：升温，由950℃斜率升温至1050℃，升温过程中通入氮气和氧气，氮气流量1
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1.5L/min，氧气流量10
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15L/min，炉管压力为590
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610mbar，时间9
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11min；S3209：氧化，在1...
【专利技术属性】
技术研发人员：祁文杰，梁笑，毛文龙，范伟，卢佳，
申请(专利权)人：拉普拉斯无锡半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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