一种硼扩SE结构的高效N型TOPCon电池制作方法技术

本发明专利技术涉及本发明专利技术提供了一种硼扩SE结构的高效N型TOPCon电池制作方法，具体包含S1、清洗制绒；S2、硼扩轻掺杂；S3、背面抛光；S4、生长隧穿氧化层+Poly

【技术实现步骤摘要】
一种硼扩SE结构的高效N型TOPCon电池制作方法


[0001]本专利技术属于太阳能电池
，具体涉及一种硼扩SE结构的高效N型TOPCon电池制作方法。

技术介绍

[0002]相对P型晶硅电池，N型晶硅电池的少子寿命高，无光致衰减，弱光效应好，温度系数小，是晶硅太阳能电池迈向理论最高效率的希望。TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触(Tunnel Oxide Passivated Contact)太阳能电池技术，其电池结构为N型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合。但在Top Con电池正面金属诱导复合是太阳能组件中总复合损失的重要组成部分。在P型PERC电池中，通过缩小电池背面的金属接触面积，可有效降低金属化造成的复合损失。正面通过叠加激光SE可有效在金属栅线(电极)与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。这样的结构可降低扩散层复合，由此可提高光线的短波响应，同时减少前金属电极与硅的接触电阻，使得短路电流、填充因子都本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硼扩SE结构的高效N型TOPCon电池制作方法，其特征在于，采用硼扩轻掺杂与丝网印刷硼浆重掺杂的相结合的制作方法，使得该电池正面结构使得非印刷区为轻掺高方阻，提高光线的短波响应，同时丝网印刷区为重掺低方阻，减少前金属电极的接触电阻，使得短路电流和填充因子都得到较好的改善，从而提高转换效率。2.根据权利要求1所述的一种硼扩SE结构的高效N型TOPCon电池制作方法，其特征在于，所述N型硅片作为衬底材料，通过清洗制绒使硅片表面产生金字塔状表面结构，反射率不超过10％。3.根据权利要求1所述的一种硼扩SE结构的高效N型TOPCon电池制作方法，其特征在于，所述硼扩轻掺杂区扩散方阻控制在120ohm/squ～160ohm/squ。4.根据权利要求1所述的一种硼扩SE结构的高效N型TOPCon电池制作方法，其特征在于，所述背面抛光后反射率＞30％。5.根据权利要求1所述的一种硼扩SE结构的高效N型TOP...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧文凯，董思敏，向亮睿，
申请(专利权)人：普乐新能源科技徐州有限公司，
类型：发明
国别省市：