晶舟及扩散设备制造技术

本申请公开了一种晶舟及扩散设备，包括：若干固定柱、固定板和承载结构，所述固定板与若干所述固定柱连接；所述承载结构设置有多个，多个所述承载结构设置在每一所述固定柱上，若干所述固定柱通过各所述固定柱上对应的所述承载结构共同承载晶圆；其中，所述固定柱设有第一通孔，所述第一通孔有多个，所述第一通孔位于同一所述固定柱上相邻两个所述承载结构之间。通过以上方式，本申请增加气体与晶圆的接触面积，改善晶圆表面与气体反应形成的镀膜的均匀性。镀膜的均匀性。镀膜的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
晶舟及扩散设备


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种晶舟及扩散设备。

技术介绍

[0002]多晶硅在半导体器件制造过程中，应用非常广泛，主要用为栅极、互连、填充材料；通常，多晶硅反应设备为立式炉管设备。随着半导体工艺的越发先进，而对于线宽更窄的器件来说，扩散工艺的均匀性也变得越来越重要，而影响扩散工艺均匀性的一个重要因素就是晶舟；
[0003]晶舟承载着晶圆进行氧化沉积。目前市面上晶舟造型种类繁多，可以供芯片代工厂选择余地也繁多，晶圆主要承载在晶舟的立柱上，立柱太多，而且基本上为实心立柱，这样就会影响气体流向晶圆，减少气体与晶圆的接触，从而导致部分区域没法反应到。

技术实现思路

[0004]本申请的目的是提供一种晶舟及扩散设备，可以增加气体与晶圆的接触面，改善晶圆表面形成镀膜的均匀性。
[0005]本申请公开了一种晶舟，包括：若干固定柱、固定板和承载结构，所述固定板与若干所述固定柱连接；所述承载结构设置有多个，多个所述承载结构设置在每一所述固定柱上，若干所述固定柱通过各所述固定柱上对应的所述承载结构共同承载晶圆；其中，所述固定柱设有第一通孔，所述第一通孔有多个，所述第一通孔位于同一所述固定柱上相邻两个所述承载结构之间。
[0006]可选的，所述承载结构包括卡托，所述卡托从所述固定柱向所述晶舟的中轴方向延伸凸起；各所述固定柱上对应的所述卡托高度相同，以共同水平承载所述晶圆。
[0007]可选的，所述卡托还设有第二通孔。
[0008]可选的，所述承载结构包括卡槽，所述卡槽设于所述固定柱，各所述固定柱上对应的所述卡槽的高度相同，以共同承载所述晶圆；其中，所述卡槽的高度大于所述晶圆的厚度。
[0009]可选的，所述固定柱还设有第三通孔，所述第三通孔的位置设置在所述卡槽的槽底，且位于相邻两个所述第一通孔之间。
[0010]可选的，所述第三通孔的轴向与所述固定柱的轴向垂直，且所述第三通孔的孔径小于或等于所述卡槽的高度，并大于所述晶圆的厚度。
[0011]可选的，各所述固定柱上对应的所述第一通孔的高度相同。
[0012]可选的，所述固定柱包括第一固定柱、第二固定柱和第三固定柱，所述第一固定柱、第二固定柱和第三固定柱呈正三角形设置；所述固定板包括第一固定板和第二固定板，所述第一固定板和所述第二固定板分别设于所述第一固定柱、第二固定柱和第三固定柱的两端，并分别与所述第一固定柱、第二固定柱和第三固定柱固定连接；所述晶舟还包括限位柱，所述限位柱设于所述第一固定柱和所述第二固定柱之间或所述第二固定柱和所述第三
固定柱之间，所述限位柱分别与所述第一固定板、所述第二固定板可拆卸连接。
[0013]可选的，所述限位柱上设置有第四通孔，所述第四通孔有多个，多个所述第四通孔与多个所述第一通孔的一一对应，且高度相同。
[0014]本申请还公开了一种扩散设备，包括：炉体、进气口和出气口以及上述的晶舟，所述炉体为内部中空结构；所述进气口和所述出气口分别位于所述炉体的底部的两侧；所述晶舟设置在所述炉体内。
[0015]相对于采用传统的晶舟，由于传统晶舟的立柱太多，而且基本上为实心立柱，这样就会影响气体流向晶圆，减少接触，从而导致部分区域没法反应到，本申请的一种晶舟，通过在晶舟上的固定柱上设置多个第一通孔，多个第一通孔设置在固定柱上，当气体流向晶圆时，会通过固定柱上的第一通孔与晶圆进行反应，气体不容易受到固定柱的阻挡，让晶圆表面能够与气体接触的更充分，在晶圆表面形成的镀膜更均匀。
附图说明
[0016]所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
[0017]图1是本申请的一实施例的扩散设备为工艺炉的结构示意图；
[0018]图2是本申请的一实施例的晶舟的结构示意图；
[0019]图3是本申请的另一实施例的晶舟的结构示意图；
[0020]图4是本申请的另一实施例的卡托上第二通孔的示意图；
[0021]图5是本申请的一实施例的第一固定板的结构示意图；
[0022]图6是本申请的一实施例的第二固定板的结构示意图；
[0023]图7是本申请的一实施例的晶舟承载晶圆的示意图；
[0024]图8是本申请的一实施例的卡槽的示意图；
[0025]图9是本申请的一实施例的卡槽上的通孔示意图；
[0026]图10是本申请的另一实施例的卡槽上的通孔示意图；
[0027]图11是本申请的又一实施例的卡槽上的通孔示意图。
[0028]其中，10、扩散设备；100、工艺炉；200、晶舟；210、固定柱；211、卡托/承载结构；216、卡槽；217、第一通孔；218、第一固定柱；219、第二固定柱；222、第三固定柱；220、限位柱；221、第四通孔；223、第二通孔；230、固定板；231、第一固定板；2311、第一固定半圆部；2312、第一开放半圆部；232、第二固定板；2321、第二固定半圆部；2322、第二开放半圆部；300、炉体；310、进气口；320、出气口；500、晶圆；800、转轴；441、第三通孔。
具体实施方式
[0029]需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。
[0030]在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对
重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
[0031]另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本申请的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0032]此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0033]下面参考附图和可选的实施例对本申本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶舟，其特征在于，包括：若干固定柱，固定板，与若干所述固定柱连接；承载结构，设置有多个，多个所述承载结构设置在每一所述固定柱上，若干所述固定柱通过各所述固定柱上对应的所述承载结构共同承载晶圆；其中，所述固定柱设有第一通孔，所述第一通孔有多个，所述第一通孔位于同一所述固定柱上相邻两个所述承载结构之间。2.如权利要求1所述的晶舟，其特征在于，所述承载结构包括卡托，所述卡托从所述固定柱向所述晶舟的中轴方向延伸凸起；各所述固定柱上对应的所述卡托高度相同，以共同水平承载所述晶圆。3.如权利要求1所述的晶舟，其特征在于，所述卡托还设有第二通孔。4.如权利要求1所述的晶舟，其特征在于，所述承载结构包括卡槽，所述卡槽设于所述固定柱，各所述固定柱上对应的所述卡槽的高度相同，以共同承载所述晶圆；其中，所述卡槽的高度大于所述晶圆的厚度。5.如权利要求3所述的晶舟，其特征在于，所述固定柱还设有第三通孔，所述第三通孔的位置设置在所述卡槽的槽底，且位于相邻两个所述第一通孔之间。6.如权利要求5所述的晶舟，其特征在于，所述第三通孔的轴向与所述固定柱的轴向垂直，且所述第三通孔的孔径小于或等于所述卡槽的高度，并大于所述晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋新和，任宏志，
申请(专利权)人：北海惠科半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：