半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种能够较好地制造的半导体存储装置。本发明专利技术的实施方式的半导体存储装置具备具有排列于第1方向的第1区域及第2区域的衬底。第1区域具备：多个第1字线层，积层于第2方向；第1半导体层，沿第2方向延伸并具有与多个第1字线层对向的外周面；及第1电荷蓄积膜，设置于多个第1字线层与第1半导体层之间。第2区域具备：多个第1字线层的一部分，积层于第2方向；多个第1绝缘层，在第3方向上与多个第1字线层分开并积层于第2方向；第1接点，沿第2方向延伸并具有与多个第1绝缘层对向的外周面；第2半导体层，设置于多个第1字线层及多个第1绝缘层之间并沿第1方向及第2方向延伸；及第2电荷蓄积膜，设置于多个第1绝缘层与第2半导体层之间。第2半导体层之间。第2半导体层之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
[0001][相关申请][0002]本申请案享有以日本专利申请案2021
‑
36035号(申请日：2021年3月8日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参考所述基础申请案而包含基础申请案的全部内容。


[0003]本实施方式涉及一种半导体存储装置。

技术介绍

[0004]已知一种半导体存储装置，具备：半导体衬底；多个导电层，沿与半导体衬底的表面交叉的方向积层；半导体层，沿与半导体衬底的表面交叉的方向延伸并与所述多个导电层对向；及栅极绝缘膜，设置于导电层及半导体层之间。

技术实现思路

[0005]实施方式提供一种高品质的半导体存储装置。
[0006]一实施方式的半导体存储装置具备具有排列于第1方向的第1区域及第2区域的衬底。第1区域具备：多个第1字线层，积层于与衬底的表面交叉的第2方向；第1半导体层，沿第2方向延伸并具有与多个第1字线层对向的外周面；及第1电荷蓄积膜，设置于多个第1字线层与第1半导体层之间。第2区域具备：多个第1字线层的一部分，积层于第2方向；多个第1绝缘层，在与第1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其具备：具有排列于第1方向的第1区域及第2区域的衬底；且所述第1区域具备：多个第1字线层，积层于与所述衬底的表面交叉的第2方向；第1半导体层，沿所述第2方向延伸，具有与所述多个第1字线层对向的外周面；及第1电荷蓄积膜，设置于所述多个第1字线层、与所述第1半导体层之间；且所述第2区域具备：所述多个第1字线层的一部分，积层于所述第2方向；多个第1绝缘层，在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上与所述多个第1字线层分开，并积层于所述第2方向；第1接点，沿所述第2方向延伸，并具有与所述多个第1绝缘层对向的外周面；第2半导体层，设置于所述多个第1字线层及所述多个第1绝缘层之间，并沿所述第1方向及所述第2方向延伸；及第2电荷蓄积膜，设置于所述多个第1绝缘层、与所述第2半导体层之间。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其具备：比所述多个第1字线层距所述衬底更远的多个第2字线层；且所述第1半导体层具备：第1部分，沿所述第2方向延伸，并与所述多个第1字线层对向；第2部分，沿所述第2方向延伸，并与所述多个第2字线层对向；及第3部分，连接于所述第1部分及所述第2部分；且所述第3部分的所述第3方向的宽度大于所述第1部分及所述第2部分的所述第3方向的宽度；且所述第2半导体层具备：第4部分，沿所述第2方向延伸，并与所述多个第1字线层对向；第5部分，沿所述第2方向延伸，并与所述多个第2字线层对向；及第6部分，连接于所述第4部分及所述第5部分；且所...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木拓也，伊豫田健，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：