一种快恢复二极管结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种快恢复二极管结构及其制备方法，阳极区（2）和电阻区（3）均固定设置在N型漂移区（1）正面，阳极区（2）位于电阻区（3）左侧，多个电阻区（3）间隔分布，在N型漂移区（1）正面进行光刻形成阳极区（2）和电阻区（3），向阳极区（2）和电阻区（3）注入P型杂质进行杂质掺杂。采用本发明专利技术方法制备快恢复二极管结构，电阻区采用间隔开的多个注入条设计，与阳极区一起注入和推进，实现低电阻的同时减少了工艺步骤和时间，解决了现有技术工艺步骤多和工艺时间长的问题。的问题。的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种快恢复二极管结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种快恢复二极管结构及其制备方法，属于功率半导体器件


技术介绍

[0002]现有技术中在漂移区上设置阳极、电阻区和保护环区，在漂移区下方设置阴极区或电场终止层，快恢复二极管的阳极边缘需要长的电阻区来降低反向恢复时边缘电流，需要两次光刻、注入和推进，具有工艺步骤多和工艺时间长的缺点。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种快恢复二极管结构及其制备方法。
[0004]为达到上述目的，本专利技术提供一种快恢复二极管结构，包括N型漂移区、阳极区和电阻区，阳极区和电阻区均固定设置在N型漂移区正面，阳极区位于电阻区左侧，多个电阻区间隔分布，在N型漂移区正面进行光刻形成阳极区和电阻区，向阳极区和电阻区注入P型杂质进行杂质掺杂。
[0005]优先地，包括P 型保护环区，P 型保护环区固定设置在N型漂移区正面，P 型保护环区位于电阻区右侧；在N型漂移区正面进行光刻、注入并推进P 型杂质，获得P 型保护环区。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种快恢复二极管结构，其特征在于，包括N型漂移区（1）、阳极区（2）和多个电阻区（3），阳极区（2）和电阻区（3）均固定设置在N型漂移区（1）正面，阳极区（2）位于电阻区（3）左侧，多个电阻区（3）间隔分布，在N型漂移区（1）正面进行光刻形成阳极区（2）和电阻区（3），向阳极区（2）和电阻区（3）注入P型杂质进行杂质掺杂。2.根据权利要求1所述的一种快恢复二极管结构，其特征在于，包括P 型保护环区（4），P 型保护环区（4）固定设置在N型漂移区（1）正面，P 型保护环区（4）位于电阻区（3）右侧；在N型漂移区（1）正面进行光刻、注入并推进P 型杂质，获得P 型保护环区（4）。3.根据权利要求2所述的一种快恢复二极管结构，其特征在于，包括场板台阶（5），场板台阶（5）固定设置在N型漂移区（1）正面，场板台阶（5）位于P 型保护环区（4）右侧；在N型漂移区（1）正面生长氧化层；对氧化层进行光刻，形成场板台阶（5）。4.根据权利要求3所述的一种快恢复二极管结构，其特征在于，包括多晶场板（6），多晶场板（6）固定设置在场板台阶（5）上；在N型漂移区（1）、阳极区（2）、电阻区（3）、P 型保护环区（4）和场板台阶（5）正面生长栅氧化层，然后在栅氧化层上淀积多晶硅，获得多晶场板（6）；在N型漂移区（1）、阳极区（2）、电阻区（3）、P 型保护环区（4）、场板台阶（5）和多晶场板（6）正面淀积介质层（11），对介质层（11）进行光刻，介质层（11）上腐蚀形成接触孔。5.根据权利要求4所述的一种快恢复二极管结构，其特征在于，包括金属场板（8），金属场板（8）固定设置在P 型保护环区（4）正面和多晶场板（6）正面；在P 型保护环区（4）上进行金属溅射；在阳极区（2）进行光刻、刻蚀或腐蚀，形成阳极（7）；在P 型保护环区（4）、介质层（11）、场板台阶（5）和多晶场板（6）之间的区域进行光刻、刻蚀或腐蚀，形成金属场板（8）。6.根据权利要求5所述的一种快恢复二极管结构，其特征在于，包括阴极区（9），阴极区（9）固定设置在N型漂移区（1）背面；在N型漂移区（1）背面注入N型杂质并采用激光退火激...

【专利技术属性】
技术研发人员：高东岳，叶枫叶，
申请(专利权)人：南瑞联研半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：