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本发明公开了一种快恢复二极管结构及其制备方法，阳极区（2）和电阻区（3）均固定设置在N型漂移区（1）正面，阳极区（2）位于电阻区（3）左侧，多个电阻区（3）间隔分布，在N型漂移区（1）正面进行光刻形成阳极区（2）和电阻区（3），向阳极区（2...该专利属于南瑞联研半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过南瑞联研半导体有限责任公司授权不得商用。
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本发明公开了一种快恢复二极管结构及其制备方法，阳极区（2）和电阻区（3）均固定设置在N型漂移区（1）正面，阳极区（2）位于电阻区（3）左侧，多个电阻区（3）间隔分布，在N型漂移区（1）正面进行光刻形成阳极区（2）和电阻区（3），向阳极区（2...