存储单元的检测方法及设备技术

本公开实施例提供一种存储单元的检测方法及设备，该方法包括：对存储单元写入第一数据；控制晶体管导通第一时长，以在存储单元的第一极板和存储单元的位线之间进行电荷共享，第一时长小于或等于预设阈值；对存储单元进行数据读取，以获取电荷共享后第一极板的电压对应的第二数据；根据第一数据和所述第二数据，确定存储电容是否失效。本公开实施例通过减小电荷共享的第一时长，以制造更多的读取错误，从而可以检测出来更多失效的存储电容。这样，就可以将漏电更小的离群存储电容检测出来。就可以将漏电更小的离群存储电容检测出来。就可以将漏电更小的离群存储电容检测出来。

【技术实现步骤摘要】
存储单元的检测方法及设备


[0001]本公开实施例涉及半导体
，尤其涉及一种存储单元的检测方法及设备。

技术介绍

[0002]DRAM(dynamic random access memory，动态随机存储器)是一种内部存储器，包括一个或多个存储阵列，每个存储阵列由M
×
N个的存储单元组成，每个存储单元可以存储一位数据。存储单元通过存储电容进行电荷的存储，电荷的存储量可以表示存储的数据的大小。
[0003]但是，存储电容存储的电量会随着时间的推移而变化，该过程称为漏电。在漏电程度较大时，会导致存储的数据发生变化，也就是说该存储单元失效。基于此，如何准确的检测出失效的存储单元的存储电容是亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种存储单元的检测方法及设备，以检测存储单元的存储电容是否失效。
[0005]第一方面，本公开实施例提供一种存储单元的检测方法，所述方法包括：
[0006]所述存储单元包括晶体管和存储电容，所述方法包括：
[0007]对所述存储单元写入第一数据；
[0008]控制所述晶体管导通第一时长，以在所述存储单元的第一极板和所述存储单元的位线之间进行电荷共享，所述第一时长小于或等于预设阈值；
[0009]对所述存储单元进行数据读取，以获取所述电荷共享后所述第一极板的电压对应的第二数据；
[0010]根据所述第一数据和所述第二数据，确定所述存储电容是否失效。
[0011]在一些实施例中，所述对所述存储单元写入第一数据之前，还包括：
[0012]对所述存储电容的第二极板施加电压，以使所述第一极板和所述第二极板形成压差，所述压差是使所述存储电容的极板产生漏电的条件。
[0013]在一些实施例中，所述根据所述第一数据和所述第二数据，确定所述存储电容是否失效，包括：
[0014]若所述第一数据和所述第二数据一致，则确定所述存储电容未失效；
[0015]若所述第一数据和所述第二数据不一致，则确定所述存储电容失效。
[0016]在一些实施例中，所述对所述存储电容的第二极板施加电压，包括：
[0017]当所述第一数据为低电平数据时，对所述存储电容的第二极板施加第一电压，所述第一电压大于预设电压阈值。
[0018]在一些实施例中，所述若所述第一数据和所述第二数据一致，则确定所述存储电容未失效，包括：
[0019]若所述第一数据和所述第二数据一致，则确定所述第二极板未失效；
[0020]所述若所述第一数据和所述第二数据不一致，则确定所述存储电容失效，包括：
[0021]若所述第一数据和所述第二数据不一致，则确定所述第二极板失效。
[0022]在一些实施例中，所述对所述存储电容的第二极板施加电压，包括：
[0023]当所述第一数据为高电平数据时，对所述存储电容的第二极板施加第二电压，所述第二电压小于预设电压阈值。
[0024]在一些实施例中，所述若所述第一数据和所述第二数据一致，则确定所述存储电容未失效，包括：
[0025]若所述第一数据和所述第二数据一致，则确定所述第一极板未失效；
[0026]所述若所述第一数据和所述第二数据不一致，则确定所述存储电容失效，包括：
[0027]若所述第一数据和所述第二数据不一致，则确定所述第一极板失效。
[0028]在一些实施例中，所述对所述存储单元进行数据读取，包括：
[0029]在等待第二时长之后，对所述存储单元进行数据读取。
[0030]在一些实施例中，所述控制所述晶体管导通第一时长之前，还包括：
[0031]调整所述第一时长，以进入所述控制所述晶体管导通第一时长的步骤。
[0032]在一些实施例中，所述控制所述晶体管导通第一时长之前，还包括：
[0033]等待第三时长，所述第三时长是使所述存储电容的极板产生漏电的条件。
[0034]在一些实施例中，所述根据所述第一数据和所述第二数据，确定所述存储电容是否失效之后，还包括：
[0035]更新失效检测次数，所述失效检测次数用于表示确定是否失效的次数；
[0036]若所述失效检测次数小于预设次数阈值，则进入所述等待第三时长的步骤。
[0037]在一些实施例中，所述控制所述晶体管导通第一时长之前，还包括：
[0038]对所述存储单元的位线和互补位线进行预充电，以使所述位线和所述互补位线达到标准电压；
[0039]所述对所述存储单元进行数据读取，以获取所述电荷共享后所述第一极板的电压对应的第二数据，包括：
[0040]对所述电荷共享后所述位线的当前电压和所述互补位线的所述标准电压进行感测放大，以确定所述第二数据。
[0041]第二方面，本公开实施例提供一种存储单元的检测装置，所述存储单元包括晶体管和存储电容，所述装置包括：
[0042]第一数据写入模块，用于对所述存储单元写入第一数据；
[0043]电荷共享模块，用于控制所述晶体管导通第一时长，以在所述存储单元的第一极板和所述存储单元的位线之间进行电荷共享，所述第一时长小于或等于预设阈值；
[0044]数据读取模块，用于对所述存储单元进行数据读取，以获取所述电荷共享后所述第一极板的电压对应的第二数据；
[0045]失效确定模块，用于根据所述第一数据和所述第二数据，确定所述存储电容是否失效。
[0046]在一些实施例中，所述装置还包括：
[0047]电压施加模块，用于在所述对所述存储单元写入第一数据之前，对所述存储电容的第二极板施加电压，以使所述第一极板和所述第二极板形成压差，所述压差是使所述存
储电容的极板产生漏电的条件。
[0048]在一些实施例中，所述失效确定模块还用于：
[0049]若所述第一数据和所述第二数据一致，则确定所述存储电容未失效；
[0050]若所述第一数据和所述第二数据不一致，则确定所述存储电容失效。
[0051]在一些实施例中，所述电压施加模块还用于：
[0052]当所述第一数据为低电平数据时，对所述存储电容的第二极板施加第一电压，所述第一电压大于预设电压阈值。
[0053]在一些实施例中，所述失效确定模块还用于：
[0054]若所述第一数据和所述第二数据一致，则确定所述第二极板未失效；
[0055]若所述第一数据和所述第二数据不一致，则确定所述第二极板失效。
[0056]在一些实施例中，所述电压施加模块还用于：
[0057]当所述第一数据为高电平数据时，对所述存储电容的第二极板施加第二电压，所述第二电压小于预设电压阈值。
[0058]在一些实施例中，所述失效确定模块还用于：
[0059]若所述第一数据和所述第二数据一致，则确定所述第一极板未失效；
[0060]若所述第一数据和所述第二数据本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储单元的检测方法，其特征在于，所述存储单元包括晶体管和存储电容，所述方法包括：对所述存储单元写入第一数据；控制所述晶体管导通第一时长，以在所述存储单元的第一极板和所述存储单元的位线之间进行电荷共享，所述第一时长小于或等于预设阈值；对所述存储单元进行数据读取，以获取所述电荷共享后所述第一极板的电压对应的第二数据；根据所述第一数据和所述第二数据，确定所述存储电容是否失效。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述存储单元写入第一数据之前，还包括：对所述存储电容的第二极板施加电压，以使所述第一极板和所述第二极板形成压差，所述压差是使所述存储电容的极板产生漏电的条件。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一数据和所述第二数据，确定所述存储电容是否失效，包括：若所述第一数据和所述第二数据一致，则确定所述存储电容未失效；若所述第一数据和所述第二数据不一致，则确定所述存储电容失效。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述存储电容的第二极板施加电压，包括：当所述第一数据为低电平数据时，对所述存储电容的第二极板施加第一电压，所述第一电压大于预设电压阈值。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述若所述第一数据和所述第二数据一致，则确定所述存储电容未失效，包括：若所述第一数据和所述第二数据一致，则确定所述第二极板未失效；所述若所述第一数据和所述第二数据不一致，则确定所述存储电容失效，包括：若所述第一数据和所述第二数据不一致，则确定所述第二极板失效。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述存储电容的第二极板施加电压，包括：当所述第一数据为高电平数据时，对所述存储电容的第二极板施加第二电压，所述第二电压小于预设电压阈值。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述若所述第一数据和所述第二数据一致，则确定所述存储电容未失效，包括：若所述第一数据和所述第二数据一致，则确定所述第一极板未失效；所述若所述第一数据和所述第二数据不一致，则确定所述存储电容失效，包括：若所述第一数据和所述第二数据不一致，则确定所述第一极板失效。8.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，所述对所述存储单元进行数据读取，包括：在等待第二时长之后，对所述存...

【专利技术属性】
技术研发人员：楚西坤，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：