存储器、存储器的编程方法及存储器系统技术方案

本公开实施例公开了一种存储器及系统、编程方法，方法包括：对目标态为第i态的选定存储单元施加第N脉冲；施加第N脉冲后，对选定存储单元执行第一子验证和第N次第二子验证，获得第一子结果和第N个第二子结果；第一子结果指示选定存储单元的阈值电压是否小于预设电压，第N个第二子结果指示选定存储单元的阈值电压是否小于第i态目标阈值电压；根据第N个第二子结果，确定目标态为第i态的存储单元中需施加第N+1脉冲的存储单元；第N+1脉冲与第N脉冲的差大于或等于目标阈值电压与预设电压的差；对需施加第N+1脉冲的存储单元施加第N+1脉冲；施加第N+1脉冲后，第一子结果指示第一子验证的失败比特数小于第一预设值时，确定第i态编程通过。通过。通过。

【技术实现步骤摘要】
存储器、存储器的编程方法及存储器系统


[0001]本公开实施例涉及但不限于半导体领域，尤其涉及一种存储器、存储器的编程方法及存储器系统。

技术介绍

[0002]快闪存储器作为例如移动电话、数字相机等便携式电子设备的存储媒介而被广泛使用。快闪存储器通常使用允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的单晶体管存储器单元。通过对电荷存储结构(例如，浮栅或电荷阱)或其它物理现象(例如，相变或铁电)进行编程，存储器单元的阈值电压的改变决定每个存储器单元的数据状态(例如，数据值)。
[0003]相关技术中，对存储器施加编程脉冲以进行编程后，需要进行验证操作，施加编程脉冲的次数以及进行验证操作的次数，是决定编程时间的重要因素。因此，如何在保证编程质量高的前提下，缩短编程时间，成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种存储器、存储器的编程方法及存储器系统。
[0005]根据本公开实施例的第一方面，提供一种存储器的编程方法，所述存储器包括待编程的多个存储单元；所述编程方法包括：
[0006]对目标态为第i本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的编程方法，其特征在于，所述存储器包括待编程的多个存储单元；所述编程方法包括：对目标态为第i态的选定存储单元施加第N编程脉冲；其中，i为自然数，N为正整数；在施加所述第N编程脉冲后，对所述选定存储单元执行第一子验证和第N次第二子验证，对应获得第一子结果和第N个第二子结果；其中，所述第一子结果指示所述选定存储单元的阈值电压是否小于预设电压，所述第N个第二子结果指示所述选定存储单元的阈值电压是否小于所述第i态的目标阈值电压，所述目标阈值电压大于所述预设电压；根据所述第N个第二子结果，确定目标态为所述第i态的存储单元中需要施加第N+1编程脉冲的存储单元；其中，所述第N+1编程脉冲与所述第N编程脉冲的差值，大于或等于所述目标阈值电压与所述预设电压的差值；对所述需要施加第N+1编程脉冲的存储单元施加第N+1编程脉冲；其中，在施加所述第N+1编程脉冲后，且所述第一子结果指示所述第一子验证的失败比特数小于第一预设值时，确定对所述第i态编程通过。2.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，所述存储单元包括单级存储单元；和/或，所述存储单元包括多级存储单元，所述编程方法应用于对所述存储单元的最高态进行编程。3.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，所述存储单元包括三级存储单元或者四级存储单元，所述存储单元的目标编程态包括最低态、中间态和最高态；所述编程方法应用于对所述中间态进行编程。4.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，所述在施加所述第N编程脉冲后，对所述选定存储单元执行第一子验证和第N次第二子验证，对应获得第一子结果和第N个第二子结果，包括：在施加所述第N编程脉冲后，基于第一感测时长，对所述选定存储单元执行所述第一子验证，获得所述第一子结果；在施加所述第N编程脉冲后，基于第二感测时长，对所述选定存储单元执行所述第N次第二子验证，获得所述第N个第二子结果；其中，所述第二感测时长大于所述第一感测时长。5.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，所述在施加所述第N编程脉冲后，对所述选定存储单元执行第一子验证和第N次第二子验证，对应获得第一子结果和第N个第二子结果，包括：在施加所述第N编程脉冲后，向所述选定存储单元耦合的字线施加第一子验证电压，以对所述选定存储单元执行所述第一子验证，获得所述第一子结果；其中，所述第一子验证电压等于所述预设电压；在施加所述第N编程脉冲后，向所述选定存储单元耦合的字线施加第二子验证电压，以对所述选定存储单元执行所述第N次第二子验证，获得所述第N个第二子结果；其中，所述第二子验证电压等于所述目标阈值电压。6.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，所述在施加所述第N编程脉冲后，对所述选定存储单元执行第一子验证和第N次第二子验证，对应获得第一子结果和第N个第二子
结果，包括：在施加所述第N编程脉冲后，向所述选定存储单元耦合的位线施加第一预充电电压，并基于预设感测时长对所述选定存储单元执行所述第一子验证，获得所述第一子结果；在施加所述第N编程脉冲后，向所述选定存储单元耦合的位线施加第二预充电电压，并基于所述预设感测时长对所述选定存储单元执行所述第N次第二子验证，获得所述第N个第二子结果；其中，所述第二预充电电压大于所述第一预充电电压。7.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，所述根据所述第N个第二子结果，确定目标态为所述第i态的存储单元中需要施加第N+1编程脉冲的存储单元，包括：当所述第N个第二子结果指示所述选定存储单元的阈值...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭晓江，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：