半导体存储器设备、控制器及其操作方法技术

公开了一种控制器的操作方法，该控制器用于控制包括多个存储器单元的半导体存储器设备的操作。在控制器的该操作方法中，生成要被存储在半导体存储器设备的被选择的页中的编程数据，并且控制半导体存储器设备，以将编程数据编程在被选择的页中。编程数据中的预定位置处的位数据是用于允许对应的存储器单元的阈值电压维持擦除状态的数据。阈值电压维持擦除状态的数据。阈值电压维持擦除状态的数据。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器设备、控制器及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年2月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10
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2021
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0022127的优先权，上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。


[0003]本公开总体上涉及电子设备，并且更具体地，涉及半导体存储器设备、控制器及其操作方法。

技术介绍

[0004]半导体存储器设备可以以串在其中平行于半导体衬底被布置的二维结构形成，或者可以以串在其中垂直于半导体衬底被布置的三维结构形成。例如，三维存储器设备是被设计为克服二维半导体存储器设备中的集成度限制的半导体存储器设备，并且三维存储器设备可以包括竖直地堆叠在半导体衬底上方的多个存储器单元。此外，控制器可以控制半导体存储器设备的操作。

技术实现思路

[0005]一些实施例涉及一种半导体存储器设备，该半导体存储器设备能够快速检查在其中存储数据的存储器块的阈值电压分布是否已经降级。
[0006]一些实施例还涉及一种控制器，该控制器能够快本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种控制器的操作方法，所述控制器用于控制包括多个存储器单元的半导体存储器设备，所述方法包括：生成要被存储在所述半导体存储器设备的被选择的页中的编程数据；以及控制所述半导体存储器设备，以将所述编程数据编程在所述被选择的页中，其中所述编程数据中的预定位置处的位数据是用于允许对应的存储器单元的阈值电压维持擦除状态的数据。2.根据权利要求1所述的方法，其中根据从主机接收的用户数据来生成所述编程数据。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述编程数据中的所述预定位置处的所述位数据是1。4.根据权利要求3所述的方法，还包括：向所述半导体存储器设备传输针对包括所述被选择的页的被选择的存储器块的检测读取命令；从所述半导体存储器设备接收读取数据；以及确定所述读取数据中的预定位置处的位数据是否是1。5.根据权利要求4所述的方法，还包括：响应于确定所述读取数据中的所述预定位置处的所述位数据是1，确定所述被选择的存储器块中包括的存储器单元的阈值电压分布未降级。6.根据权利要求4所述的方法，还包括：响应于确定所述读取数据中的所述预定位置处的所述位数据是0，确定所述被选择的存储器块中包括的存储器单元的阈值电压分布已经降级。7.根据权利要求6所述的方法，还包括将存储在所述被选择的存储器块中的数据移动到另一个存储器块。8.一种包括多个存储器块的半导体存储器设备的操作方法，所述方法包括：接收来自控制器的读取命令；检查所述读取命令的类型并且获得检查结果；以及基于所述检查结果，对所述多个存储器块中的被选择的存储器块执行与所述读取命令相对应的读取操作。9.根据权利要求8所述的方法，其中当所述读取命令的类型是正常读取命令时，执行所述读取操作包括：将读取电压施加到与所述被选择的存储器块连接的多个字线中的、与成为所述正常读取命令的目标的页连接的字线；以及将读取通过电压施加到与所述被选择的存储器块连接的所述多个字线中的其它字线。10.根据权利要求8所述的方法，其中当所述读取命令的类型是检测读取命令时，执行所述读取操作包括：将读取电压施加到与所述被选择的存储器块连接的多个字线。11.根据权利要求10所述的方法，还包括：将通过执行所述读取操作获得的读取数据传输到所述控制器。12.一种用于控制半导体存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员：李芸相，徐文植，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：