一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置及其刻蚀方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置及其刻蚀方法，包括刻蚀箱、密封盖、激励线圈，刻蚀箱内设置隔板，隔板将刻蚀箱分为上方的刻蚀部和下方的排气部，隔板上开设通孔，通孔的左右两侧通过设置扭簧轴铰接隔离门，刻蚀箱底部设置升降缸，升降缸的活塞杆端部设置连杆，连杆的顶部设置盛放板，盛放板位于通孔内，且与通孔间隙配合，盛放板上升时，将隔离门上顶打开，所述盛放板下降时，隔离门在扭簧轴的作用下自动关闭。本发明专利技术通过注入刻蚀气体，使待刻蚀硅晶片在激励线圈和偏压提供装置的相互配合作用下实现刻蚀，同时通过设置喷气管释放惰性气体，和吸管将产生的气体吸出，使更多的硅晶片与刻蚀气体接触完成刻蚀，提高装置的工作效率。装置的工作效率。装置的工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置及其刻蚀方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，具体涉及一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置及其刻蚀方法。

技术介绍

[0002]在半导体的制造过程中，硅晶片的刻蚀是一个十分重要的环节。传统刻蚀工艺为对所需刻蚀材料进行曝光显影后进行等离子刻蚀，日常生产中等离子刻蚀一般都是采用干法刻蚀机，干法刻蚀机中的硅片水平运行，机片高，且使用化学品刻蚀代替等离子刻蚀导致刻蚀成本增加，研究出一种等离子刻蚀装置降低刻蚀成本迫在眉睫。
[0003]现有技术中也出现了一些干法刻蚀装置，但是在等离子刻蚀过程中会形成气体产物，这些气体产物会覆盖在要硅晶片的表面，使底部的硅晶片不能与刻蚀气体充分接触，导致刻蚀效率低下，因此需要进行改进。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置及其刻蚀方法。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置，包括刻蚀箱、密封盖、激励线圈，其创新点在于：所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置，包括刻蚀箱、密封盖、激励线圈，其特征在于：所述刻蚀箱内设置隔板，所述隔板将刻蚀箱分为上方的刻蚀部和下方的排气部，所述隔板上开设通孔，所述通孔的左右两侧通过设置扭簧轴铰接隔离门，所述刻蚀箱底部设置升降缸，所述升降缸的活塞杆端部设置连杆，所述连杆的顶部设置盛放板，所述盛放板位于通孔内，且与通孔间隙配合，所述盛放板上升时，将隔离门上顶打开，所述盛放板下降时，隔离门在扭簧轴的作用下自动关闭；所述密封盖的上开设进气口；所述激励线圈围绕刻蚀部外壳设置；所述排气部的两侧设置多个喷气管，所述喷气管外接惰性气源，所述排气部的下方设置多个吸管，所述吸管外接真空泵。2.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置，其特征在于：所述进气口位于盛放板的正上方。3.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：许海渐，王海荣，
申请(专利权)人：南通优睿半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：