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本发明公开一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置及其刻蚀方法，包括刻蚀箱、密封盖、激励线圈，刻蚀箱内设置隔板，隔板将刻蚀箱分为上方的刻蚀部和下方的排气部，隔板上开设通孔，通孔的左右两侧通过设置扭簧轴铰接隔离门，刻蚀箱底部设置升降缸，升降缸的活塞...
该专利属于南通优睿半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通优睿半导体有限公司授权不得商用。

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