一种半导体加热器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体加热器，其特征在于，包括：导向部和吹扫部，所述吹扫部通过出气口与镀膜反应室连通，所述吹扫部内流通有保护气体，所述保护气体通过出气口进入镀膜反应室，并在导向部暴露于镀膜反应室内的表面形成气体帘。在导向部表面形成的气体帘，可防止晶圆淀积过程中在导向部的表面形成膜质导致等离子体发生倾斜，避免发生放电现象，提高了晶圆淀积的质量。晶圆淀积的质量。晶圆淀积的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体加热器


[0001]本技术涉及半导体化学气相淀积装置
，具体而言，涉及一种半导体加热器。

技术介绍

[0002]近年来，随着半导体技术的发展，半导体被广泛应用于各行各业，如集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域，对半导体的需求大幅增加，为了保证产品运行问题，对半导体制作质量也提出了更高的要求。
[0003]现有的半导体制作工艺中，通常采用化学气相淀积(CVD)进行晶圆的淀积，具体方法是把含有构成薄膜元素的气态反应剂引入反应室，在晶圆表面发生化学反应，从而生成所需的固态薄膜并淀积在其表面。而生产过程中，为了改善工艺质量，通常需要在反应室的加热器上设置导向杆，以便准确的放置晶圆。则采用化学气相淀积方法时，由于反应室内充满反应气体，在高温环境下与导向杆的表面接触在导向杆的表面淀积膜质，导向杆上淀积的膜质将会引起等离子体倾斜，从而产生电弧放电，影响晶圆淀积质量。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在采用化学气相淀积方法容易在导向杆表面淀积膜质，导致等离子体倾斜，引发电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体加热器，其特征在于，包括：导向部(1)和吹扫部(2)，所述吹扫部(2)通过出气口(21)与镀膜反应室(3)连通，所述吹扫部(2)内流通有保护气体，所述保护气体通过出气口(21)进入镀膜反应室(3)，并在导向部(1)暴露于镀膜反应室(3)内的表面形成气体帘。2.根据权利要求1所述的一种半导体加热器，其特征在于，所述吹扫部(2)贯穿于所述导向部(1)与镀膜反应室(3)连通，所述出气口(21)设于导向部(1)暴露于镀膜反应室(3)内的表面。3.根据权利要求2所述的一种半导体加热器，其特征在于，所述保护气体的压力不低于所述镀膜反应室(3)内反应气体的压力，所述气体帘形成于反应气体与导向部(1)之间。4.根据权利要求3所述的一种半导体加热器，其特征在于，至少两个所述出气口(21)均匀设置于导向部(1)暴露于镀膜反应室(3)内的表面。5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐康元，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：新型
国别省市：