制作U型硅沟槽的方法技术

本发明专利技术提供一种制作U型硅沟槽的方法，提供硅衬底，衬底上形成有叠层及覆盖叠层的光刻胶层，通过光刻打开光刻胶层定义出离子注入区，之后对离子注入区进行离子注入，用以将叠层两侧的硅衬底形成为第一非晶化硅结构，之后去除光刻胶层；在衬底上形成覆盖叠层且依次叠加的第一、二保护层；对衬底进行退火，用以将第一非晶化硅结构形成为U型的第二非晶化硅结构；去除第二保护层以及除叠层侧壁之外的第一保护层，使第二非晶化硅结构裸露；去除第二非晶化硅结构。本发明专利技术通过注入能量可灵活控制沟槽深度；硅刻蚀时未使用干法刻蚀，硅沟槽内的损伤较少；无需其他特殊工艺和设备，低成本实现U型沟槽制程。现U型沟槽制程。现U型沟槽制程。

【技术实现步骤摘要】
制作U型硅沟槽的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种制作U型硅沟槽的方法。

技术介绍

[0002]CMOS半导体器件工艺的不断快速发展以及按比例尺寸不断缩小，为更好地满足器件性能，引入了应力硅工艺。
[0003]应力硅工艺的引入，极大地提高了半导体器件性能。NMOS和PMOS分别引入了SiP(嵌入式磷硅)和SiGe(嵌入式锗硅)工艺，提供器件性能。SiP和SiGe工艺需要在硅片上挖取硅沟槽，然后填充，获得拉应力或者压应力。目前获得U型沟槽主要是通过干法等离子刻蚀实现，但干法刻蚀容易对硅单晶造成损伤，影响后续的填充。
[0004]为解决上述问题，需要一种新型的U型硅沟槽的制作方法。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种制作U型硅沟槽的方法，用于解决现有技术中获得U型沟槽主要是通过干法等离子刻蚀实现，但干法刻蚀容易对硅单晶造成损伤，影响后续的填充的问题。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种制作U型硅沟槽的方法，包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制作U型硅沟槽的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供硅衬底，所述衬底上形成有叠层及覆盖所述叠层的光刻胶层，通过光刻打开所述光刻胶层定义出离子注入区，之后对所述离子注入区进行离子注入，用以将所述叠层两侧的所述硅衬底形成为第一非晶化硅结构，之后去除所述光刻胶层；步骤二、在所述衬底上形成覆盖所述叠层且依次叠加的第一、二保护层；步骤三、对所述衬底进行退火，用以将所述第一非晶化硅结构形成为U型的第二非晶化硅结构；步骤四、去除所述第二保护层以及除所述叠层侧壁之外的所述第一保护层，使所述第二非晶化硅结构裸露；步骤五、去除所述第二非晶化硅结构。2.根据权利要求1所述的制作U型硅沟槽的方法，其特征在于：步骤一中利用大于1E15的...

【专利技术属性】
技术研发人员：鹿方园，陶芬芬，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：