形成半导体元件的方法技术

本发明专利技术公开一种形成半导体元件的方法，包含提供一基底，具有第一区域和围绕第一区域的第二区域，其中第一区域包含第一主动区域和在第一主动区域上的第一栅极；在第一区域周围的第二区域内的基板上设置虚设图案；在基板上设置光致抗蚀剂图案，遮盖第二区域并包含暴露第一区域的开口；进行离子注入制作工艺，经由开口将掺质注入到第一区域内未被第一栅极覆盖的第一主动区域中，从而在第一主动区域中形成掺杂区；进行光致抗蚀剂剥离制作工艺，在温度高于或等于摄氏度下，通过使用SPM溶液去除光致抗蚀剂图案；以及对基板进行清洁处理。理。理。

【技术实现步骤摘要】
形成半导体元件的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种形成半导体元件的方法。

技术介绍

[0002]已知，在半导体制作工艺中，进行离子注入(ion implantation)制作工艺时，例如，轻掺杂漏极(lightly doped drain，LDD)离子注入步骤，通常需要以光致抗蚀剂图案(resist pattern)覆盖住半导体基底上不希望被离子注入的区域。
[0003]当光致抗蚀剂图案厚度较厚时，如前述高剂量的LDD离子注入步骤会在光致抗蚀剂图案表层产生硬壳(crust)，此硬壳易崩裂而导致缺陷，尤其是形成在光致抗蚀剂图案边缘侧壁上的硬壳，最容易在后续清除光致抗蚀剂图案的过程中导致例如图案倒塌等缺陷，影响到生产良率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的是提供一种改良的形成半导体元件的方法，以解决上述现有技术的不足和缺点。
[0005]本专利技术一方面提供一种形成半导体元件的方法，包含：提供一基底，具有第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，其中所述第一区域包含至少一个第一主本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体元件的方法，包含：提供基底，具有第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，其中所述第一区域包含至少一个第一主动区域和在所述第一主动区域上的第一栅极；在所述第一区域周围的所述第二区域内的基板上设置虚设图案；在所述基板上设置光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案遮盖所述第二区域并包含暴露所述第一区域的开口；进行离子注入制作工艺，经由所述开口将掺质注入到所述第一区域内未被所述第一栅极覆盖的所述第一主动区域中，从而在所述第一主动区域中形成掺杂区；进行光致抗蚀剂剥离制作工艺，在温度高于或等于摄氏度下，通过使用硫酸和双氧水混合(SPM)溶液以去除所述光致抗蚀剂图案；以及对所述基板进行清洁处理。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二区域包含至少一个第二主动区域和在所述至少一个第二主动区域上的第二栅极。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂图案遮盖所述虚设图案、所述第二区域、所述至少一个第二主动区域和所述第二栅极。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述虚设图案设置在所述至少一个第一主动区域和所述至少一个第二主动区域之间。5.根据权利要求4所述的方法，其中执行所述离子注入制作工艺时，在所述光致抗蚀剂图案上产生硬壳，并且其中所述虚设图案避免了...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈致中，林伯璋，魏偟任，周伟伦，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：