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本发明公开一种形成半导体元件的方法，包含提供一基底，具有第一区域和围绕第一区域的第二区域，其中第一区域包含第一主动区域和在第一主动区域上的第一栅极；在第一区域周围的第二区域内的基板上设置虚设图案；在基板上设置光致抗蚀剂图案，遮盖第二区域并包...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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