一种阱离子注入方法技术

本发明专利技术提供一种阱离子注入方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成底部抗反射层；在所述底部抗反射层上涂敷光刻胶；在所述光刻胶上形成顶部抗反射层；图形化所述顶部抗反射层和所述光刻胶，形成具有注入窗口的掩膜；对所述掩膜进行等离子体处理，增加所述注入窗口侧壁的粗糙度，并使所述注入窗口的侧壁向外倾斜；经由所述注入窗口进行离子注入，在所述半导体衬底中形成阱区。本发明专利技术在阱离子注入前采用等离子体处理掩膜，使注入窗口的侧壁粗糙、硬化并呈现倾斜的形状，从而使侧壁处注入的离子不易落入半导体衬底中，可减少散射离子进入半导体阱区的边缘，从而有效抑制阱邻近效应，提高阱区掺杂的均匀性。提高阱区掺杂的均匀性。提高阱区掺杂的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种阱离子注入方法


[0001]本专利技术涉及集成电路
，特别是涉及一种阱离子注入方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的阱离子注入工艺中，通常需要利用光刻胶作为掩膜，使离子注入到需要的区域。而在离子注入时，离子会在光刻胶上发生散射，光刻胶边缘的散射离子进入到半导体表面，从而会影响边缘区域的掺杂浓度。阱邻近效应(Well Edge
‑
Proximity Effect，WPE)是指当晶体管位于阱掩模光刻胶边缘附近时，由于掺杂离子在光刻胶上散射而进入阱区的边缘，使得附近区域的掺杂剂量增加，从而导致晶体管的阈值电压(Vt)和其他晶体管特性随相邻阱的位置和形状发生变化。器件越靠近阱边界区域，器件的阈值电压(Vt)越高，而器件沟道到阱区边缘的距离小于3μm时，器件阈值电压(Vt)的变化更为敏感。
[0003]随着集成电路的发展，半导体器件的关键尺寸越来越小，当半导体器件的关键尺寸小于90nm后，阱邻近效应造成的问题随着半导体器件的关键尺寸的不断缩小而越来越严峻，尤其对于小尺寸的半导体器件，阱邻近效应的影响越来越大。因此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阱离子注入方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成底部抗反射层；在所述底部抗反射层上涂敷光刻胶；在所述光刻胶上形成顶部抗反射层；图形化所述顶部抗反射层和所述光刻胶，形成具有注入窗口的掩膜；对所述掩膜进行等离子体处理，增加所述注入窗口侧壁的粗糙度，并使所述注入窗口的侧壁向外倾斜；经由所述注入窗口进行离子注入，在所述半导体衬底中形成阱区。2.根据权利要求1所述的阱离子注入方法，其特征在于：在进行所述离子注入之前，在所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构。3.根据权利要求1所述的阱离子注入方法，其特征在于：所述底部抗反射层的厚度小于250nm。4.根据权利要求1所述的阱离子注入方法，其特征在于：所述顶部抗反射层的厚度小于100nm。5.根据权利要求1所述的阱离子注入方法，其特征在于：所述等离子体处理采用包括Ar、H、C、N、O、F、Cl中的一种或多种等离子体。6.根据权利要求1所述的阱离子注入方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文娅，徐怀花，刘聪慧，季明华，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：