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本发明提供一种阱离子注入方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成底部抗反射层；在所述底部抗反射层上涂敷光刻胶；在所述光刻胶上形成顶部抗反射层；图形化所述顶部抗反射层和所述光刻胶，形成具有注入窗口的掩膜；对所述掩膜进行等离子...
该专利属于芯恩（青岛）集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩（青岛）集成电路有限公司授权不得商用。

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