一种电子电路用附载体极薄铜箔制造技术

本发明专利技术涉及一种电子电路用附载体极薄铜箔，由载体层、复合剥离层和超薄铜层构成；其中，所述复合剥离层的结构为碳合金层

【技术实现步骤摘要】
一种电子电路用附载体极薄铜箔


[0001]本专利技术属于极薄铜箔领域，特别涉及一种电子电路用附载体极薄铜箔。

技术介绍

[0002]极薄铜箔是超精细线路和IC封装等领域必须要用到的原料，是电子产品轻薄化、高度集成化的重要条件，因此极薄铜箔在高端电子产品产业链中具有重要的地位及巨大的市场。但是目前极薄铜箔的制造技术只掌握在极少数日本和韩国的企业中，同时目前的生产技术还存在合格率低、生产工艺复杂、工艺管控极其严苛等问题，因此一直以来极薄铜箔价格极高且在技术上受限于人。
[0003]目前，极薄铜箔的制造一般是通过附载体的方式实现，即附载体极薄铜箔。附载体极薄铜箔引入的载体层解决了极薄铜箔的强度差和支撑弱的问题，使极薄铜箔可以通过表面处理线进行一系列的表面处理加工过程。但是载体层的引入必须伴随的是剥离层的引入，即在压板后载体层必须顺利地从极薄铜层表面剥离，因此剥离层的剥离力控制极其关键。
[0004]常见的剥离层材料有两类：一类是苯并三氮唑(BTA)、巯基苯并噻唑(MBT)等有机小分子，这类有机小分子能够吸附在载体层表面，同时极薄的厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子电路用附载体极薄铜箔，其特征在于：由载体层、复合剥离层和超薄铜层构成；其中，所述复合剥离层的结构为碳合金层
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碳层
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碳合金层。2.根据权利要求1所述的极薄铜箔，其特征在于：所述载体层为金属箔材或聚合物薄膜，厚度为12～70μm。3.根据权利要求1所述的极薄铜箔，其特征在于：所述碳合金包括碳镍、碳钼、碳钽、碳钨和碳铬中的一种或几种。4.根据权利要求1或3所述的极薄铜箔，其特征在于：所述碳合金的主要成分为金属，重量占比不低于70％，碳重量占比不高于30％；所述碳为单质碳或者含有金属的碳合金，其中金属含量不高于10％。5.根据权利要求1所述的极薄铜箔，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴松，齐朋伟，吕吉庆，齐素杰，张杰，杨红光，金荣涛，
申请(专利权)人：九江德福科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：