陶瓷-铜复合体、及陶瓷-铜复合体的制造方法技术

本发明专利技术的陶瓷

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】陶瓷
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铜复合体、及陶瓷
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铜复合体的制造方法


[0001]本专利技术涉及陶瓷
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铜复合体、及陶瓷
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铜复合体的制造方法。

技术介绍

[0002]目前为止，对陶瓷
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铜复合体进行了各种开发。作为此种技术，例如专利文献1中记载的技术是已知的。在专利文献1中，关于陶瓷电路基板的制造方法，记载了在印刷有钎料膏的氮化铝基板的表面和背面上分别按压Cu板并使其接触的状态下在真空气氛中于800℃的温度实施15分钟热处理的接合条件(专利文献1的0034段等)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2005
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101415号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]然而，本申请的专利技术人研究后判明，上述专利文献1记载的陶瓷
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铜复合体在热循环特性方面存在改善的余地。
[0008]用于解决课题的手段
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.陶瓷
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铜复合体，其为平板状的陶瓷
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铜复合体，具备陶瓷层、铜层和钎料层，所述钎料层存在于所述陶瓷层与所述铜层之间且包含Sn或In、和Ag，在将该陶瓷
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铜复合体沿着与其主面垂直的面切断时的切面的至少一者中，在所述钎料层的铜层侧形成有凹凸部，在至少一个凸部内，多个富Cu相以彼此隔开间隔的状态存在。2.如权利要求1所述的陶瓷
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铜复合体，其中，所述富Cu相的至少一个以上构成为条纹状。3.如权利要求2所述的陶瓷
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铜复合体，其中，所述富Cu相的长宽比超过1且为10以下。4.如权利要求1～3中任一项所述的陶瓷
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铜复合体，其中，所述富Cu相的个数密度为0.1个/μm2以上20个/μm2以下。5.如权利要求1～4中任一项所述的陶瓷
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铜复合体，其中，在所述切面的观察视野中，所述钎料层和所述铜层的界面部的线段的长度L2与观察视野的板宽方向的长度L1之比(L2/L1)为1.25以上5.0以下。6.如权利要求1～5中任一项所述的陶瓷
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铜复合体，其中，所述富Cu相包含0.3μm以上且小于1.0μm的微细相、和1.0...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤浅晃正，中村贵裕，江嶋善幸，小桥圣治，西村浩二，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：