半导体装置结构制造方法及图纸

半导体装置结构包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一栅极结构、第二栅极结构、第一电极、场板以及温度敏感组件。第二氮化物半导体层安置在第一氮化物半导体层上。第一栅极结构安置在第二氮化物半导体层上。第二栅极结构安置在第二氮化物半导体层上。第一电极安置在第二氮化物半导体层上，并且位在第一栅极结构与第二栅极结构之间。场板自第一电极延伸至第一栅极结构以及第二栅极结构的上方。温度敏感组件位在第一电极的正上方。温度敏感组件的高度大于第一栅极结构以及第二栅极结构的高度，且温度敏感组件低于场板的上表面的高度。高度。高度。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置结构
本申请是2020年08月28日提交的题为“半导体装置结构和其制造方法”的中国专利申请202080002805.3的分案申请。


[0001]本公开涉及一种半导体装置结构，并且更具体地涉及一种包含温度敏感组件(temperature sensitive component)的半导体装置结构。

技术介绍

[0002]包含直接能隙半导体的组件，例如包含III
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V族材料或III
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V族化合物(类别：III
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V族化合物)的半导体组件可以在各种条件下或各种环境中(例如，在不同的电压和频率下)操作或工作。
[0003]半导体组件可以包含异质结双极性晶体管(HBT，heterojunction bipolar transistor)、异质结场效应晶体管(HFET，heterojunction field effect transistor)、高电子迁移率晶体管(HEMT，high
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electron
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mobility transisto本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层安置在所述第一氮化物半导体层上，并且所述第二氮化物半导体层的能隙大于所述第一氮化物半导体层的能隙；第一栅极结构，所述第一栅极结构安置在所述第二氮化物半导体层上；第二栅极结构，所述第二栅极结构安置在所述第二氮化物半导体层上；第一电极，所述第一电极安置在所述第二氮化物半导体层上，并且位在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间；场板，自所述第一电极延伸至所述第一栅极结构以及所述第二栅极结构的上方；以及温度敏感组件，所述温度敏感组件安置在所述第二氮化物半导体层上，所述温度敏感组件位在所述第一电极的正上方，其中所述温度敏感组件相对所述第二氮化物半导体层的高度大于所述第一栅极结构以及所述第二栅极结构相对所述第二氮化物半导体层的高度，且所述温度敏感组件相对所述第二氮化物半导体层的高度低于所述场板的上表面相对所述第二氮化物半导体层的高度。2.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，还包括介电层，安置在所述第一电极上，并位在所述第一电极与所述温度敏感组件之间。3.根据权利要求2所述的半导体装置结构，其特征在于，所述介电层位在所述场板与所述温度敏感组件之间。4.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，其中所述温度敏感组件包括单层结构。5.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，还包括金属层，安置在所述场板以及所述温度敏感组件的上方。6.根据权利要求5所述的半导体装置结构，其特征在于，还包括通孔，自所述场板向上延伸至连接所述金属层。7.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，还包括一对第二电极，其中所述第一栅极结构、所述第二栅极结构以及所述第一电极位在所述一对第二电极之间。8.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，所述温度敏感组件与所述第一栅极结构以及所述第二栅极结构电隔离。9.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，所述温度敏感组件与所述第一电极电隔离。10.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，所述场板包括位在所述第一栅极结构上方的第一延伸部以及位在所述第二栅极结构上方的第二延伸部，所述温度敏感组件位在所述第一延伸部与所述第二延伸部之...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖航，何清源，周春华，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：