增强型垂直HEMT器件结构制造技术

本申请提供了一种增强型垂直HEMT器件结构，包括漏极、通道层、势垒层、栅极和源极，通道层位于漏极的一侧；势垒层位于通道层背离漏极的一侧，势垒层包括与通道层接触的第一表面、第二表面和第三表面，第二表面连接第一表面和第三表面，第一表面和第二表面相对于第三表面朝向漏极凸出设置，第三表面沿第一方向延伸，第二表面沿第二方向延伸，第一方向和第二方向相交设置；栅极位于势垒层背离通道层的一侧；源极位于势垒层背离通道层的一侧，源极和栅极沿第二方向间隔设置。上述增强型垂直HEMT器件结构通过对栅极施加正电压便可使得器件处于关态，从而实现了器件的增强型工作方式，进而降低了电路设计时的复杂度。降低了电路设计时的复杂度。降低了电路设计时的复杂度。

【技术实现步骤摘要】
增强型垂直HEMT器件结构


[0001]本申请属于半导体器件
，更具体地说，是涉及一种增强型垂直HEMT器件结构。

技术介绍

[0002]目前的HEMT(High Electron Mobility Transistor)，高电子迁移率晶体管按结构可分为横向结构和垂直结构，其中垂直结构主要应用于高功率模块中。因为现有的电路结构较复杂，而将HEMT器件设置为增强型能够简化电路，因此，目前亟需应用于高功率模块的增强型垂直HEMT器件，以降低电路设计时的复杂度。

技术实现思路

[0003]本申请实施例的目的在于提供一种增强型垂直HEMT器件结构，以解决现有技术中的电路设计较复杂的技术问题。
[0004]为实现上述目的，本申请采用的技术方案是提供了一种增强型垂直HEMT器件结构，包括：
[0005]漏极；
[0006]通道层，位于所述漏极的一侧；
[0007]势垒层，位于所述通道层背离所述漏极的一侧，所述势垒层包括与所述通道层接触的第一表面、第二表面和第三表面，所述第二表面连接所述第一表面和所述第三本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种增强型垂直HEMT器件结构，其特征在于，包括：漏极；通道层，位于所述漏极的一侧；势垒层，位于所述通道层背离所述漏极的一侧，所述势垒层包括与所述通道层接触的第一表面、第二表面和第三表面，所述第二表面连接所述第一表面和所述第三表面，所述第一表面和所述第二表面相对于所述第三表面朝向所述漏极凸出设置，所述第三表面沿第一方向延伸，所述第二表面沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向相交设置；栅极，位于所述势垒层背离所述通道层的一侧；源极，位于所述势垒层背离所述通道层的一侧，所述源极和所述栅极沿所述第二方向间隔设置。2.如权利要求1所述的增强型垂直HEMT器件结构，其特征在于，所述势垒层包括第一半导体，所述第一半导体包括所述第二表面和所述第三表面，所述第三表面和所述通道层的交界处能够形成与所述源极连通的第一电子气沟道。3.如权利要求2所述的增强型垂直HEMT器件结构，其特征在于，所述第一半导体包括具有所述第二表面的第一连接部和具有所述第三表面的第二连接部，所述通道层背离所述漏极的一端具有凹部，所述第一连接部收容于所述凹部内，所述第二表面与所述凹部接触，所述第二连接部绕所述凹部设置。4.如权利要求2所述的增强型垂直HEMT器件结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王辉，
申请(专利权)人：瑞能半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：