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本申请提供了一种增强型垂直HEMT器件结构，包括漏极、通道层、势垒层、栅极和源极，通道层位于漏极的一侧；势垒层位于通道层背离漏极的一侧，势垒层包括与通道层接触的第一表面、第二表面和第三表面，第二表面连接第一表面和第三表面，第一表面和第二表面...
该专利属于瑞能半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑞能半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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