基于Fin-FET栅结构HEMT及其制作方法技术

本发明专利技术公开了基于Fin

【技术实现步骤摘要】
基于Fin
‑
FET栅结构HEMT及其制作方法


[0001]本专利技术涉及微电子与固体电子学
，尤其涉及一种基于Fin
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FET栅结构HEMT及其制作方法。

技术介绍

[0002]III族氮化物属于第三代半导体材料，具有禁带宽度大、电子饱和速度高、且耐高温、耐高压、抗辐射等优良特性，是制备电力电子器件的理想材料。GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)相较于基于Si、GaAs材料的电力电子器件在高温、高频、大功率领域具有更广阔的应用前景。异质结是GaN基HEMT器件的基本结构，由于GaN材料独特的自发极化和压电极化效应，GaN基HEMT器件沟道处天然存在高浓度的二维电子气。P型栅技术是通过在势垒层上生长一层p
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GaN来耗尽沟道处的二维电子气，此种方法工艺可控性强，能够大规模重复生产，是极有发展前景的一种增强型制作方法。
[0003]商用p
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GaN HEMT器件最常见栅极结构如图1所示，由上至下依次为栅金属/p
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GaN/AlGaN/GaN的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于Fin
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FET栅结构HEMT，包括沿器件垂直方向由下至上层叠生长的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、P
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GaN层和栅电极，沟道层两侧相对生长有源电极和漏电极，源电极、漏电极均为欧姆接触电极，栅电极为P
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GaN肖特基接触电极，其特征在于：通过p
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GaN层部分刻蚀与栅介质淀积，在由栅电极与P
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GaN层构成的肖特基二极管D
SJ
两端并联一由栅电极电压控制的常开型Fin
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FET，Fin
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FET一端通过欧姆接触与源电极连接。2.根据权利要求1所述的基于Fin
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FET栅结构HEMT，其特征在于：所述Fin
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FET具体为Fin
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MOSFET。3.根据权利要求2所述的基于Fin
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FET栅结构HEMT，其特征在于：所述P
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GaN层为鳍式结构P
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GaN层，且仅存于栅电极下方；P
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GaN层上由下至上分别生长有欧姆接触金属电极、介质层和栅电极，所述欧姆接触金属电极生长于P
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GaN层鳍表面；介质层覆盖欧姆接触金属电极以及P
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GaN层鳍的侧壁；栅电极覆盖介质层以及P
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GaN层表面。4.根据权利要求3所述的基于Fin
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FET栅结构HEMT，其特征在于：所述源电极和栅电极之间的区域、栅电极和漏电极之间的区域、以及栅电极、源电极、漏电极表面均淀积有钝化层。5.根据权利要求3所述的基于Fin
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FET栅结构HEMT，其特征在于：鳍式结构的长度为30nm

【专利技术属性】
技术研发人员：王中健，曹远迎，
申请(专利权)人：成都功成半导体有限公司，
类型：发明
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