半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

提供一种能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包含：第1～第3电极；第1、第2半导体区域；以及第1、第2绝缘构件。第1半导体区域包含Al

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
[0001]本申请以日本专利申请2021
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006881(申请日2021年1月20日)及日本专利申请2021
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115503(申请日2021年7月13日)为基础，并从这些申请享受优先的利益。本申请通过参照这些申请，包含这些申请的全部内容。


[0002]本专利技术的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0003]例如，在晶体管等半导体装置中，期望特性的提高。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施方式提供能够提高特性的半导体装置及其制造方法。
[0005]用于解决课题的手段
[0006]根据本专利技术的实施方式，半导体装置包含第1电极、第2电极、第3电极、第1半导体区域、第2半导体区域、第1绝缘构件以及第2绝缘构件。从所述第1电极到所述第2电极的方向沿第1方向。所述第3电极包含第1电极部分。所述第1电极部分的第1方向上的位置在所述第1电极的所述第1方向上的位置与所述第2电极的所述第1方向上的位置之间。所述第1半导体区域包含Al...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极，从所述第1电极到所述第2电极的方向沿第1方向；包含第1电极部分的第3电极，所述第1电极部分的第1方向上的位置处于所述第1电极的所述第1方向上的位置与所述第2电极的所述第1方向上的位置之间；包含Al
x1
Ga1‑
x1
N的第1半导体区域，所述第1半导体区域包含第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域以及第5部分区域，从所述第1部分区域到所述第1电极的方向沿与第1方向交叉的第2方向，从所述第2部分区域到所述第2电极的方向沿所述第2方向，从所述第3部分区域到所述第1电极部分的方向沿所述第2方向，所述第4部分区域在所述第1方向上处于所述第1部分区域与所述第3部分区域之间，所述第5部分区域在所述第1方向上处于所述第3部分区域与所述第2部分区域之间，其中，0≤x1<1；包含Al
x2
Ga1‑
x2
N的第2半导体区域，所述第2半导体区域包含第1半导体部分以及第2半导体部分，从所述第4部分区域到所述第1半导体部分的方向沿所述第2方向，从所述第5部分区域到所述第2半导体部分的方向沿所述第2方向，其中，x1<x2≤1；包含硅和铝中的至少任一个以及氧的第1绝缘构件，所述第1绝缘构件包含第1绝缘部分，所述第1绝缘部分处于所述第3部分区域与所述第1电极部分之间；以及包含硅以及氮的第2绝缘构件，所述第2绝缘构件包含第1绝缘区域以及第2绝缘区域，所述第1绝缘区域的所述第1方向上的位置处于所述第1电极的所述第1方向上的所述位置与所述第1电极部分的所述第1方向上的所述位置之间，所述第2绝缘区域的所述第1方向上的位置处于所述第1绝缘区域的所述第1方向上的所述位置与所述第1电极部分的所述第1方向上的所述位置之间，所述第1半导体部分处于所述第4部分区域与所述第1绝缘区域之间以及所述第4部分区域与所述第2绝缘区域之间，所述第2绝缘区域具有比所述第1绝缘区域中的第1氮浓度更高的第2氮浓度、比所述第1绝缘区域中的第1氢浓度更低的第2氢浓度以及比所述第1绝缘区域中的第1密度更高的第2密度中的至少任一个。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第2绝缘构件包含第3绝缘区域以及第4绝缘区域，所述第3绝缘区域的所述第1方向上的位置处于所述第1电极部分的所述第1方向上的所述位置与所述第2电极的所述第1方向上的所述位置之间，所述第4绝缘区域的所述第1方向上的位置处于所述第3绝缘区域的所述第1方向上的所述位置与所述第2电极的所述第1方向上的所述位置之间，所述第2半导体部分处于所述第5部分区域与所述第3绝缘区域之间以及所述第5部分区域与所述第4绝缘区域之间，所述第3绝缘区域具有比所述第4绝缘区域中的第4氮浓度更高的第3氮浓度、比所述第4绝缘区域中的第4氢浓度更低的第3氢浓度以及比所述第4绝缘区域中的第4密度更高的第3密度中的至少任一个。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第3绝缘区域中的硅的浓度相对于氮的浓度的比低于0.75。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第4绝缘区域中的硅的浓度相对于氮的浓度的比高于0.75。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第2绝缘区域的沿所述第2方向的第2厚度比所述第1绝缘区域的沿所述第2方向的第1厚度更薄。6.根据权利要求5所述的半导体装置，还具备：第1导电构件；以及第3绝缘构件，所述第1绝缘区域的至少一部分处于所述第1半导体部分与所述第1导电构件之间，所述第3绝缘构件的至少一部分处于所述第1绝缘构件的所述至少一部分与所述第1导电构件之间，所述第1导电构件与所述第2电极以及所述第3电极中的任意电极电连接，或者能够与所述第2电极以及所述第3电极中的所述任意电极电连接。7.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶原瑛祐，大野浩志，加藤大望，向井章，藏口雅彦，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：