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提供一种能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包含：第1～第3电极；第1、第2半导体区域；以及第1、第2绝缘构件。第1半导体区域包含Al
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该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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