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半导体装置结构包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一栅极结构、第二栅极结构、第一电极、场板以及温度敏感组件。第二氮化物半导体层安置在第一氮化物半导体层上。第一栅极结构安置在第二氮化物半导体层上。第二栅极结构安置在第二氮化物半导体层...该专利属于英诺赛科(珠海)科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英诺赛科(珠海)科技有限公司授权不得商用。
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半导体装置结构包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一栅极结构、第二栅极结构、第一电极、场板以及温度敏感组件。第二氮化物半导体层安置在第一氮化物半导体层上。第一栅极结构安置在第二氮化物半导体层上。第二栅极结构安置在第二氮化物半导体层...