用于测量被测器件的器件电流的装置和方法制造方法及图纸

本公开的各实施例总体上涉及用于测量被测器件的器件电流的装置和方法。一种用于测量被测器件的器件电流的装置包括第一电路，该第一电路包括用于耦合到DUT的第一连接端子的第一端子。第一电路被配置为针对第一端子提供第一测试电压并且输出在第一端子处感测的第一输出电压。该装置还包括第二电路，该第二电路包括用于耦合到DUT的第二连接端子的第二端子。第二电路被配置为针对第二端子提供第二测试电压并且输出在第二端子处感测的第二输出电压。该装置还包括第三电路，该第三电路被配置为基于第一输出电压、第二输出电压、第一测试电压和第二测试电压来确定DUT的器件电流。第一电路和第二电路相同。第一电路和第二电路相同。第一电路和第二电路相同。

【技术实现步骤摘要】
用于测量被测器件的器件电流的装置和方法


[0001]示例涉及用于测量被测器件的器件电流的装置和方法。

技术介绍

[0002]被测器件(DUT)可以是在制造时或在其生命周期后期作为正在进行的功能测试和校准检查的一部分而正在接受测试的制造产品。这可以包括用于确定产品是否按照原始产品规范执行的维修后测试。在电子工业中，DUT可以是任何被测电子组件。例如，从装配线上下来的手机可以以与之前测试个体芯片相同的方式进行最终测试。简而言之，每个被测手机都是DUT。在半导体测试中，DUT可以是晶片上的管芯或所得到的封装部件。
[0003]用于测量DUT的器件电流的常规装置可以包括测试电路。测试电路可以包括用于耦合到DUT的第一连接端子的端子。测试电路可以向端子提供测试电压，并且输出在端子处感测的输出电压。DUT的第二连接端子可以耦合到地。DUT的器件电流是基于输出电压和测试电压确定的。以这种方式，该装置可以确定DUT是否满足所需要的器件规范。
[0004]低器件电流很难在生产环境中测试。由于抗噪能力不足，利用测试组的试验在生产中失败。用于测量DUT的器件电流的装置本质上是高阻抗的，并且因此容易受到邻近电气设备的电磁干扰(EMI)的影响。EMI可能会导致噪声，并且从而降低DUT中低器件电流的测量精度。抑制EMI源可能是一种出路，但通常是不现实的。抑制EMI的已知方法是短测试线、屏蔽和驱动保护屏蔽。由非常短的线路执行的抑制可能需要为新DUT重建现有测试系统，从而导致灵活性低和工作量不可接受。增加集成时间也可以抑制EMI，但在测试吞吐量方面是不可取的。虽然某些应用可能需要测量DUT中的低器件电流，但常规系统中低器件电流的测量精度降低使得可能无法以期望精度执行测量。

技术实现思路

[0005]因此，需要提供一种用于测量DUT的器件电流的装置和方法，该装置和方法在高测试吞吐量下对DUT中的低器件电流具有高测量精度。
[0006]这种需要通过独立权利要求的主题来解决。
[0007]一个示例涉及一种用于测量DUT的器件电流的装置。该装置包括第一电路，该第一电路包括用于耦合到DUT的第一连接端子的第一端子。第一电路被配置为针对第一端子提供第一测试电压并且输出在第一端子处感测的第一输出电压。该装置还包括第二电路，该第二电路包括用于耦合到DUT的第二连接端子的第二端子。第二电路被配置为针对第二端子提供第二测试电压并且输出在第二端子处感测的第二输出电压。该装置还包括第三电路，该第三电路被配置为基于第一输出电压、第二输出电压、第一测试电压和第二测试电压来确定DUT的器件电流。第一电路和第二电路相同。通过使用相同的第一电路和第二电路，第一电路和第二电路经历相同EMI。因为第一电路和第二电路经历相同EMI，第三电路可以通过适当信号处理来消除EMI，例如利用第一输出电压、第二输出电压、第一测试电压和第二测试电压来确定DUT的器件电流。消除EMI可以允许在不增加集成时间的情况下测量DUT
的低器件电流，从而以合理成本快速测试DUT的器件电流。
[0008]另一示例涉及一种使用上述装置测量DUT的器件电流的方法。该方法包括将第一电路的第一端子与DUT的第一连接端子耦合。该方法还包括将第二电路的第二端子与DUT的第二连接端子耦合。该方法还包括向第一端子提供第一测试电压并且向第二端子提供第二测试电压。该方法还包括输出在第一端子处感测的第一输出电压并且输出在第二端子处感测的第二输出电压。该方法还包括基于第一输出电压、第二输出电压、第一测试电压和第二测试电压确定DUT的器件电流。第一电路和第二电路经历相同数量的EMI。通过基于第一输出电压、第二输出电压、第一测试电压和第二测试电压确定DUT的器件电流，该方法能够消除EMI，例如通过减法。
附图说明
[0009]以下将仅以示例的方式并且参考附图来描述装置和/或方法的一些示例，在附图中
[0010]图1是用于测量被测器件的器件电流的常规装置的框图；
[0011]图2示出了根据本公开的第一示例的用于测量被测器件的器件电流的装置的框图；
[0012]图3示出了根据本公开的第二示例的用于测量被测器件的器件电流的装置的框图；
[0013]图4示出了根据本公开的第一示例的用于测量被测器件的器件电流的装置的第三电路框图；
[0014]图5示出了根据本公开的第二示例的用于测量被测器件的器件电流的装置的第三电路框图；以及
[0015]图6示出了根据本公开的第一示例的用于测量被测器件的器件电流的方法的流程图。
具体实施方式
[0016]现在参考附图更详细地描述一些示例。然而，其他可能的示例不限于详细描述的这些实施例的特征。其他示例可以包括特征的修改以及特征的等效物和备选物。此外，本文中用于描述某些示例的术语不应当限制其他可能的示例。
[0017]在整个附图的描述中，相同或相似的附图标记指代相同或相似的元素和/或特征，它们可以相同或以修改的形式实现，同时提供相同或相似的功能。为了清楚起见，图中的线、层和/或区域的厚度也可能被夸大。
[0018]当两个元素A和B使用“或”组合时，这应当理解为公开所有可能的组合，即，仅A、仅B以及A和B，除非在个别情况下另有明确定义。作为相同组合的备选措词，可以使用“A和B中的至少一个”或“A和/或B”。这等效地适用于两个以上元素的组合。
[0019]如果使用单数形式，诸如“一个(a)”、“一个(an)”和“该(the)”，并且没有明确或隐含地将仅使用单个元素定义为强制，则另外的示例也可以使用多个元素来实现相同功能。如果以下将功能描述为使用多个元素来实现，则另外的示例可以使用单个元素或单个处理实体来实现相同功能。还应当理解，术语“包括(include)”、“包括(including)”、“包括
(comprise)”和/或“包括(comprising)”在使用时描述指定特征、整体、步骤、操作、过程、元素、组件和/或其组，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、过程、元素、组件和/或其组的存在或添加。
[0020]图1示出了用于测量DUT 1的器件电流的常规电路10的框图。该电路被配置为借助于运算放大器12为DUT 1的端子11提供测试电压18(V
DUT_R
)并且输出在端子11处感测的输出电压19(V
DUT
)。端子11用于将电路10耦合到DUT 1的连接端子。电路10包括输出测试电压的运算放大器12、电阻元件13、反馈放大器14、接地接触件和第二运算放大器17。运算放大器12被配置为基于参考电压和输出电压生成测试电压。电阻元件13耦合在运算放大器12的输出与端子11之间。跨电阻元件13的电压降借助于第二运算放大器17感测并且用于量化通过DUT 1的电流。反馈放大器14被配置为在反馈放大器14的第一输入处接收参考电压。反馈放大器14的输出耦合到反馈放大器14的第二输入。反馈放大器14的输出进一步耦合到运算放大器12的输出与端子11本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于测量被测器件DUT(1)的器件电流的装置(20，30)，所述装置(20，30)包括：第一电路(21)，包括用于耦合到所述DUT(1)的第一连接端子的第一端子(22)，其中所述第一电路(21)被配置为针对所述第一端子(22)提供第一测试电压并且输出在所述第一端子(22)处感测的第一输出电压；第二电路(31)，包括用于耦合到所述DUT(1)的第二连接端子的第二端子(32)，其中所述第二电路(31)被配置为针对所述第二端子(32)提供第二测试电压并且输出在所述第二端子(32)处感测的第二输出电压；以及第三电路(41，51，61)，被配置为基于所述第一输出电压、所述第二输出电压、所述第一测试电压和所述第二测试电压确定所述DUT(1)的所述器件电流，其中所述第一电路(21)和所述第二电路(31)相同。2.根据权利要求1所述的装置(20，30)，其中所述第一电路(21)和所述第二电路(31)包括以相同方式接线的相同组件。3.根据前述权利要求中任一项所述的装置(20，30)，其中所述第一电路(21)包括第一运算放大器(23)，所述第一运算放大器(23)被配置为基于第一参考电压和所述第一输出电压生成所述第一测试电压，其中第一电阻元件(24)被耦合在所述第一运算放大器(23)的输出与所述第一端子(22)之间。4.根据权利要求3所述的装置(20，30)，其中所述第一电路(21)包括第一反馈放大器(25)，所述第一反馈放大器(25)被配置为在所述第一反馈放大器(25)的第一输入处接收所述第一参考电压，其中所述第一反馈放大器(25)的输出被耦合到所述第一反馈放大器(25)的第二输入，并且其中所述第一反馈放大器(25)的所述输出被耦合到所述第一运算放大器(23)的所述输出与所述第一端子(22)之间的第一节点(26)和以及耦合到所述第一端子(22)与所述第一运算放大器(23)的输入之间的第二节点(27)，所述第一运算放大器(23)的所述输入被配置为从所述第一端子(22)接收所述第一输出电压。5.根据前述权利要求中任一项所述的装置(20，30)，其中所述第二电路(31)包括第二运算放大器(33)，所述第二运算放大器(33)被配置为基于第二参考电压和所述第二输出电压生成所述第二测试电压，其中第二电阻元件(34)被耦合在所述第二运算放大器(33)的输出与所述第二端子(32)之间。6.根据权利要求5所述的装置(20，30)，其中所述第二电路(31)包括第二反馈放大器(35)，所述第二反馈放大器(35)被配置为在所述第二反馈放大器(35)的第一输入处接收所述第二参考电压，其中所述第二反馈放大器(35)的输出被耦合到所述第二反馈放大器(35)的第二输入，并且其中所述第二反馈放大器(35)的所述输出被耦合到所述第二运算放大器(33)的所述输出与所述第二端子(32)之间的第一节点(36)以及耦合到所述第二端子(32)与所述第二运算放大器(33)的输入之间的第二节点(37)，所述第二运算放大器(33)的所述输入被配置为从所述第二端子(32)接收所述第二输出电压(1)。7.根据权利要求5或6所述的装置(20，30)，其中所述第一参考电压和所述第二参考电压表现出相等幅值和不同极性。8.根据权利要求3至7中任一项所述的装置(20，30)，其中所述第三电路(51)被配置为通过以下方式确定所述DUT(1)的所述器件电流：基于所述第一输出电压与所述第一测试电压之间的差值确定第一电压差；
基于所述第二输出电压与所述第二测试电压之间的差值确定第二电压差；确定所述第一电压差和所述第二电压差的总和；基于所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：JP，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：