一种近红外高透光的TCO靶材及其制备方法技术

本发明专利技术涉及TCO靶材技术领域，具体公开了一种近红外高透光的TCO靶材，其特征在于，所述TCO靶材由铟锡氧化物粉、改性羟基磷灰石、纳米二氧化硅协配剂按照重量比（7

【技术实现步骤摘要】
一种近红外高透光的TCO靶材及其制备方法


[0001]本专利技术涉及TCO靶材
，具体涉及一种近红外高透光的TCO靶材及其制备方法。

技术介绍

[0002]镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。简单说的话，靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，会产生不同的杀伤破坏效应。例如:蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜、铝膜等。更换不同的靶材(如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。
[0003]现有的TCO靶材红外透光性能差，密度大，对于改进红外透光性能，产品的密度对应降低，同时抗折强度性能下降，为了协调改进抗折强度、透光性能是现有技术的难点，基于此，本专利技术提供一种近红外高透光的TCO靶材及其制备方法。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的缺陷，本专利技术的目的是提供一种近红外高透光的TCO靶材及其制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]本专利技术解决技术问题采用如下技术方案：本专利技术提供了一种近红外高透光的TCO靶材，所述TCO靶材由铟锡氧化物粉、改性羟基磷灰石、纳米二氧化硅协配剂按照重量比（7
‑
11）:（2
‑
4）:1混合配制而成。
[0006]优选地，所述铟锡氧化物粉中氧化锡的质量含量为10
‑
15％，其余为氧化铟，粉体纯度不低于99.99％，粉体粒径范围0.02
‑
0.08μm。
[0007]优选地，所述改性羟基磷灰石的改性方法为：S01：将羟基磷灰石送入到研磨机中进行研磨，然后加入羟基磷灰石总重量5
‑
10%的研磨液，于1000
‑
1500r/min的转速下研磨20
‑
30min，研磨结束，得到研磨料；S02：将2
‑
6重量份硫酸镧溶液加入到10
‑
20重量份去离子水中，然后加入1
‑
3重量份羧甲基纤维素钠、0.2
‑
0.6重量份草酸，搅拌混合充分，得到改性分散液；S03：将研磨料送入到3
‑
6重量倍的改性分散液中，于450
‑
550r/min的转速下搅拌20
‑
30min，搅拌结束、水洗、干燥，得到改性羟基磷灰石。
[0008]本专利技术的专利技术人发现未添加改性羟基磷灰石，产品的相对密度显著提高，透射率显著降低，产品的相对密度、平均透射率性能显著变差，同时本专利技术的改性羟基磷灰石采用常规的羟基磷灰石代替，添加羟基磷灰石产品的性能与未添加改性羟基磷灰石的产品性能相差不大，采用未改性的羟基磷灰石对产品的性能影响不大，未经过本专利技术改性的羟基磷灰石对本产品的性能影响甚微，只有采用本专利技术方法制备的改性羟基磷灰石对产品的性能效果改进最显著；改性羟基磷灰石的改性中，研磨液中的碳纳米管采用石墨烯代替，产品的
透射率反而降低更明显，改性羟基磷灰石改性中的碳纳米管原料并不能采用其他原料代替，只能采用本专利技术的碳纳米管原料改性效果最为显著，同时研磨液中的碳纳米管可与纳米二氧化硅协配剂起到协同增效的效果，共同增强产品的透射率。
[0009]优选地，所述硫酸镧溶液的质量分数为3
‑
6%。
[0010]优选地，所述研磨液的制备方法为：将5
‑
10重量份碳纳米管加入到10
‑
20重量份烷基磺酸钠溶液中，然后再加入1
‑
3重量份壳聚糖，搅拌混合充分，得到研磨液。
[0011]优选地，所述烷基磺酸钠溶液的质量分数为10
‑
15%。
[0012]优选地，所述纳米二氧化硅协配剂的制备方法为：将10
‑
15重量份纳米二氧化硅加入到35
‑
40重量份无水乙醇中分散均匀，然后加入氨水，调节pH至10.0
‑
11.0，随后再加入2
‑
6重量份硝酸钇、1
‑
3重量份氨丙基三乙氧基硅烷，搅拌反应处理，反应结束，水洗、干燥，得到纳米二氧化硅协配剂。
[0013]本专利技术的专利技术人还发现未添加纳米二氧化硅协配剂，产品的相对密度和透射率性能同步变差，纳米二氧化硅协配剂能够与改性羟基磷灰石起到协配的效果，共同增强产品的透射率性能，同时纳米二氧化硅协配剂采用纳米二氧化硅代替，纳米二氧化硅协配剂的制备中未加入氨丙基三乙氧基硅烷，产品的性能改进较差，均不如本专利技术的方法制备的纳米二氧化硅协配剂改进效果显著。
[0014]优选地，所述搅拌反应处理的搅拌温度为60
‑
70℃，搅拌时间为1
‑
2h，搅拌转速为500
‑
1000r/min。
[0015]本专利技术还提供了一种近红外高透光的TCO靶材的制备方法，包括以下步骤：将铟锡氧化物粉、改性羟基磷灰石、纳米二氧化硅协配剂进行混合搅拌充分，然后送入到烧结炉中烧结处理，烧结结束，得到近红外高透光的TCO靶材。
[0016]优选地，烧结处理的工艺条件为：先以850
‑
900℃的温度烧结20
‑
30min，然后以1
‑
3℃/min的速率升温至1100
‑
1200℃，继续烧结1
‑
2h，烧结结束，得到TCO靶材。
[0017]与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果：本专利技术TCO靶材采用铟锡氧化物粉、改性羟基磷灰石、纳米二氧化硅协配配合，通过改性羟基磷灰石优化改性，协配纳米二氧化硅，制备的靶材具有低密度、高效的透光性能以及强度性能；原料之间相互协配，共同组合制备的靶材相对于现有技术，可使透光、强度性能实现协调式改进效果。
具体实施方式
[0018]下面结合具体实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0019]本实施例的一种近红外高透光的TCO靶材，所述TCO靶材由铟锡氧化物粉、改性羟基磷灰石、纳米二氧化硅协配剂按照重量比（7
‑
11）:（2
‑
4）:1混合配制而成。
[0020]本实施例的铟锡氧化物粉中氧化锡的质量含量为10
‑
15％，其余为氧化铟，粉体纯度不低于99.99％，粉体粒径范围0.02
‑
0.08μm。
[0021]本实施例的改性羟基磷灰石的改性方法为：
S01：将羟基磷灰石送入到研磨机中进行研磨，然后加入羟基磷灰石总重量5
‑
10%的研磨液，于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种近红外高透光的TCO靶材，其特征在于，所述TCO靶材由铟锡氧化物粉、改性羟基磷灰石、纳米二氧化硅协配剂按照重量比（7
‑
11）:（2
‑
4）:1混合配制而成；所述改性羟基磷灰石的改性方法为：S01：将羟基磷灰石送入到研磨机中进行研磨，然后加入羟基磷灰石总重量5
‑
10%的研磨液，于1000
‑
1500r/min的转速下研磨20
‑
30min，研磨结束，得到研磨料；S02：将2
‑
6重量份硫酸镧溶液加入到10
‑
20重量份去离子水中，然后加入1
‑
3重量份羧甲基纤维素钠、0.2
‑
0.6重量份草酸，搅拌混合充分，得到改性分散液；S03：将研磨料送入到3
‑
6重量倍的改性分散液中，于450
‑
550r/min的转速下搅拌20
‑
30min，搅拌结束、水洗、干燥，得到改性羟基磷灰石；所述纳米二氧化硅协配剂的制备方法为：将10
‑
15重量份纳米二氧化硅加入到35
‑
40重量份无水乙醇中分散均匀，然后加入氨水，调节pH至10.0
‑
11.0，随后再加入2
‑
6重量份硝酸钇、1
‑
3重量份氨丙基三乙氧基硅烷，搅拌反应处理，反应结束，水洗、干燥，得到纳米二氧化硅协配剂。2.根据权利要求1所述的一种近红外高透光的TCO靶材，其特征在于，所述铟锡氧化物粉中氧化锡的质量含量为10
‑
15％，其余为...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志宏，陈常清，周昭宇，杨永添，
申请(专利权)人：广州市尤特新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：