【技术实现步骤摘要】
一种低温共烧用负温度系数热敏陶瓷材料制备方法
[0001]本专利技术属于电子材料领域,进一步来说涉及电子陶瓷材料领域,具体来说,涉及一种低温共烧用负温度系数热敏陶瓷材料制备方法。
技术介绍
[0002]负温度系数热敏陶瓷材料具备随温度升高电阻值降低的特性,通常由Mn、Co、Ni、Cu、Fe等过渡元素高温烧结而成,利用其阻值
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温度特性,可用作测温及温度补偿,或利用其特有的伏安特性,制备功率计、放大器、低频振荡器,市场需求量较大。该类材料通常由固相法或者液相法制备,烧结温度在1100℃~1300℃之间,烧结温度较高,可与银钯电极等高温烧结电极材料制备多层片式NTC热敏电阻器,但常规烧结浆料如银浆、金浆等金属浆料,烧结温度在850℃左右,很难实现共烧。虽然国内部分热敏材料开发工作者,开展过相关工作,如通过共沉淀法、溶胶凝胶法提高粉体烧结活性,或者添加Bi2O3、B2O3等烧结助剂进行降温烧结,但烧结温度均在1000℃以上,均不能实现850℃~900℃烧结,无法与银电极浆料实现共烧,导致热敏电阻器生产成本较高。有鉴于此,特提出本专利技术。
技术实现思路
[0003]本专利技术所要解决的技术问题是:解决现有技术中负温度系数热敏陶瓷材料烧结温度过高,与烧结温度低的金属电极浆料很难实现共烧的问题。
[0004]本专利技术的专利技术构思是:通过高温熔炼法制备Pb
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Si玻璃,再将玻璃粉作为热敏陶瓷材料烧结助剂进行掺杂,进而制备一种可与电极浆料共烧用 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低温共烧用负温度系数热敏陶瓷材料制备方法,其特征在于,包括如下工艺:(1)制备掺杂用玻璃粉助剂:通过高温熔炼制备Pb
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Si玻璃,经冷却后,再通过气流粉碎进行粉碎,即制备出掺杂用玻璃粉助剂;(2)制备热敏电阻粉体:将碳酸锰、三氧化二钴、氧化锌按一定的比例进行球磨混合、高温合成、过筛,即制备出合成的热敏电阻粉体;(3)将玻璃粉助剂与热敏电阻粉体按一定的比例进行混合、烘干、过筛,即可制备成低温共烧用热敏陶瓷材料。2.如权利要求1所述的一种低温共烧用负温度系数热敏陶瓷材料制备方法,其特征在于,所述高温熔炼是在高温熔炼炉中进行。3.如权利要求1所述的一种低温共烧用负温度系数热敏陶瓷材料制备方法,其特征在于,所述冷却是在双辊冷却轧机中进行。4.如权利要求1所述的一种低温共烧用负温度系数热敏陶瓷材料制备方法,其特征在于,所述气流粉碎是在气流粉碎机中进行。5.如权利要求1所述的一种低温共烧用负温度系数热敏陶瓷材料制备方法,其特征在于,具体工艺为:(1)按质量百分比,将22wt%的氧化铅、5wt%的氧化硼、58wt%的氧化硅、10wt%的氧化钙进行配料,球磨混合4h,出料装入坩埚中;(2)使用高温熔炼炉对混合粉料进行高温熔炼,熔炼温度为1400℃~1600℃,熔炼时间为2h~4h;(3)高温熔炼完成后,熔融玻璃液,直接放入双辊冷却轧机,制备玻璃片;(4)使用气流粉碎机对玻璃进行粉碎,制备掺杂用玻璃细粉,细粉粒径D50为0.5μm~2.0μm;(5)按Mn
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Co
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Zn
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摩尔比,对碳酸锰、三氧化二钴、氧化锌三种材料进行配料,其中x为(1.0~1.3),y为(1.7~1.9),z为(0.01~0.2);(6)称量完成后加入球磨罐中,再添加适量去离子水,进行球磨混合,球磨转速为20r/min~200r/min,球磨时间为10h~50h;(7)球磨完成后,进行喷雾干燥、高温烧结,高温烧结温度为700℃~850℃,烧结时间为2h~4h,制备成热敏陶瓷粉体;(8)热敏陶瓷粉体与玻璃细粉按质量百分比(70%~95%)∶(5%~30%)进行配料,添加适量去离子水,然后使用球磨机进行混合。6.如权利要求5所述的一种低温共烧用负温度系数热敏陶瓷材料制备方法,其特征在于:(1)按质量比氧化铅22w...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨俊,敖来远,罗小芳,邓瑞雪,陈传庆,朱雪婷,班秀峰,
申请(专利权)人:中国振华集团云科电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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