一种铟钨氧化物靶材及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种铟钨氧化物靶材及其制备方法，属于光电材料技术领域。本发明专利技术先将化学计量比的氧化铟和氧化钨混合，经过煅烧使二者能够完全固相反应得到In6WO

Indium tungsten oxide target and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种铟钨氧化物靶材及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光电材料
，尤其涉及一种铟钨氧化物靶材及其制备方法。

技术介绍

[0002]透明导电氧化物薄膜(TCO)是一类特殊功能的材料，具有良好的光学性能和导电性，被广泛运用到电子屏幕、触摸屏面板、发光二极管(LED)和太阳能电池等领域。这类材料易于生产，可使用化学气相沉积，磁控溅射和喷雾热解等技术制备。目前最常用的TCO是掺杂锡的氧化铟(铟锡氧化物或ITO)。
[0003]与锡掺杂氧化铟(ITO)和铝掺杂氧化锌(AZO)材料体系相比较，WO3掺杂In2O3材料体系制备的IWO薄膜拥有更高的载流子迁移率，在可见光和近红外波段高透光性和更好的高温及物化稳定性。IWO拥有更高的电子迁移率，因此，可以在不增加载流子浓度(维持高透光率)的情况下进一步提高其优异光电性能。
[0004]同时IWO薄膜还可以用做TFT器件中的沟道层材料，与IGZO薄膜相比，IWO薄膜具有更强耐酸碱的刻蚀性能，因为WO
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除了氢氟酸外不溶于任何酸溶液，IGZO材料中的Ga和Zn原子易被酸溶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铟钨氧化物靶材的制备方法，包括以下步骤：(1)按化学计量比，将氧化铟和氧化钨混合后在氧气氛围中进行煅烧，得到In6WO
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；(2)将所述步骤(1)得到的In6WO
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与氧化铟、水、分散剂和粘结剂混合，得到IWO浆料；(3)将所述步骤(2)得到的IWO浆料进行压力注浆，得到IWO素坯；(4)将所述步骤(3)得到的IWO素坯依次进行脱脂处理和台阶变温烧结，得到铟钨氧化物靶材。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中煅烧的温度为700～1000℃，煅烧的时间为2～20h。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中In6WO
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的质量为氧化铟质量的1～6％。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中分散剂的质量为In6WO
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和氧化铟总质量的1.2～1.8％。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，左仲恒，孙本双，曾学云，王之君，刘苗，陈杰，舒永春，何季麟，
申请(专利权)人：郑州大学，
类型：发明
国别省市：