氧化物溅射靶及氧化物溅射靶的制造方法技术

本发明专利技术提供一种氧化物溅射靶，其由氧化物构成，该氧化物含有锆、硅及铟作为金属成分，氧化锆相(11)的最大粒径为10μm以下。化锆相(11)的最大粒径为10μm以下。化锆相(11)的最大粒径为10μm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧化物溅射靶及氧化物溅射靶的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种由含有锆、硅及铟作为金属成分的氧化物构成的氧化物溅射靶及该氧化物溅射靶的制造方法。
[0002]本申请基于2019年12月2日在日本申请的专利申请2019
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217933号主张优先权，在此引用其内容。

技术介绍

[0003]含有锆、硅及铟作为金属成分的氧化物膜的电阻高，例如在液晶显示器、有机EL(Electro Luminescence，电致发光)显示器及触摸面板等显示面板中，用作为了防止由液晶元件、有机EL元件等的带电而引起的故障的屏蔽层。
[0004]在此，在上述屏蔽层适用于内嵌型触摸面板的情况下，对上述屏蔽层也要求发挥一边排除来自外部的噪声，一边使触摸信号到达面板内部的传感器部分的作用。此外，在该屏蔽层中，为了确保显示面板的可视性，也要求可见光的透射性高。
[0005]并且，上述含有锆、硅和铟作为金属成分的氧化物膜还作为用作信息记录介质的相变型光盘的介电质层或保护膜而被利用。
[0006]在此，在专利文献1～4中提出有一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氧化物溅射靶，其由氧化物构成，所述氧化物含有锆、硅及铟作为金属成分，所述氧化物溅射靶的特征在于，氧化锆相的最大粒径为10μm以下。2.根据权利要求1所述的氧化物溅射靶，其特征在于，在将氧化锆相的平均粒径设为D
ZrO
，将其他氧化物相的平均粒径设为D
MO
的情况下，满足0.6≤D
MO
/D
ZrO
≤1.8。3.根据权利要求1或2所述的氧化物溅射靶，其特征在于，在整个靶组织中，最大粒径为7μm以下且平均粒径为4μm以下。4.一种氧化物溅射靶的制造方法，所述氧化物溅射靶由含有锆、硅及铟作为金属成分的氧化物构成，所述氧化物溅射靶的制造方法的特征在于，具有：预粉碎工序，将氧化锆粉末粉碎成最大粒径为4μm以下；烧结原料粉末形成工序，得到将最大粒径为4μm以下的氧化锆粉末...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆田雄也，梅本启太，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：