N型MOSFET制造技术

本发明专利技术公开了一种N型MOSFET，包括：形成于半导体衬底表面上的栅极结构；在栅极结构的两侧的形成有嵌入式外延层，嵌入式外延层填充于凹槽中，凹槽形成在半导体衬底中；源区和漏区形成在栅极结构两侧的嵌入式外延层中；N型MOSFET的工艺节点为7nm以下，栅极结构的宽度为20nm以下；嵌入式外延层由第一SiAs外延层组成或者嵌入式外延层由第二SiAs外延层和第三SiP外延层叠加而成。本发明专利技术能在7nm以下工艺节点的制程中提高器件的载流子迁移率的同时改善短沟道效应，从而能提高器件的性能。从而能提高器件的性能。从而能提高器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
N型MOSFET


[0001]本专利技术涉及一种半导体集成电路，特别涉及一种N型MOSFET。

技术介绍

[0002]随着工艺技术节点不断缩小，MOSFET采用平面晶体管结构时短沟道效应(SCE)越来越显著，在20nm工艺节点以下需要采用鳍式场效应晶体管(FinFET)，FinFET是一种三维结构，栅极结构会覆盖鳍体的顶部表面和侧面，这样在所述鳍体的顶部表面和两个侧面都会形成沟道，栅极结构调解沟道的能力增强，能改善SCE效应。
[0003]在更小的工艺节点如5nm和3nm以下，则需要采用环绕栅极场效应晶体管(Gate
‑
All
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Around FET，GAAFET)，GAAFET中，栅极结构会环绕在纳米线(nano wire)的四个面上。多桥通道场效晶体管(Multi
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Bridge
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Channel FET；MBCFET)则属于GAAFET的一种，是将GAAFET中的纳米线替换为纳米片(nano sheet)即为MBCFET。
[0004]同时，为了提高沟本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种N型MOSFET，其特征在于，包括：形成于半导体衬底表面上的栅极结构；在所述栅极结构的两侧的形成有嵌入式外延层，所述嵌入式外延层填充于凹槽中，所述凹槽形成在所述半导体衬底中；源区和漏区形成在所述栅极结构两侧的所述嵌入式外延层中；N型MOSFET的工艺节点为7nm以下，所述栅极结构的宽度为20nm以下；所述嵌入式外延层由第一SiAs外延层组成或者所述嵌入式外延层由第二SiAs外延层和第三SiP外延层叠加而成。2.如权利要求1所述的N型MOSFET，其特征在于：所述N型MOSFET为FinFET，所述FinFET包括鳍体，所述凹槽形成于所述鳍体中。3.如权利要求1所述的N型MOSFET，其特征在于：所述N型MOSFET为GAAFET，所述GAAFET包括纳米线，所述凹槽形成于所述纳米线中。4.如权利要求1所述的N型MOSFET，其特征在于：所述N型MOSFET为MBCFET，所述MBCFET包括纳米片，所述凹槽形成于所述纳米片中。5.如权利要求1所述的N型MOSFET，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。6.如权利要求1所述的N型MOSFET，其特征在于：所述凹槽呈Σ型。7.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁文寅，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：