一种新型触发方式的可控硅结构及其制作方法技术

本申请公开了一种新型触发方式的可控硅结构及其制作方法，其中，可控硅结构包括主体结构、电极结构和隔离结构。主体结构包括依次叠加的第一发射极、第一基区、第二基区、第二发射极。电极结构包括位于主体结构两侧的第一电极和第二电极；第一电极与第二电极配合驱动主体结构导通。隔离结构包括门极构件和位于主体结构至少一侧，并与第一发射极和第二基区接触的第三基区。第三基区与第二基区中掺杂元素特性相同；门极构件与第三基区接触设置，门极构件向第三基区中注入电流以触发主体结构导通。上述可控硅结构具有发射极接触面积增大、通态压降降低的作用，适用于晶闸管。适用于晶闸管。适用于晶闸管。

【技术实现步骤摘要】
一种新型触发方式的可控硅结构及其制作方法


[0001]本申请涉及功率半导体器件
，具体而言，涉及一种新型触发方式的可控硅结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。可控硅可应用在冰箱、空调、电风扇、直发器、智能马桶、工业设备、国家电网等各种电器设备，是重要的功率半导体器件。
[0003]相关技术中，如图1所示，晶闸管10
’
通常包括控制极701以及依次叠层设置的第一电极101、第一发射极201、第一基区301、第二基区401、第二发射极501和第二电极601。所述控制极701设置于所述第一发射极201远离所述第二电极601一侧，并与所述第一发射极201相接触。由于控制极701与所述第一电极101同侧设置，这导致第一电极101与第一发射极201之间的接触面积相对减小，这样会使得晶闸管在导通后的通态压降增大，不利于晶闸管的稳定高效运行。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种新型触发方式的可控硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型触发方式的可控硅结构，其特征在于，包括：主体结构，包括沿第一方向依次叠加设置的第一发射层、第一基区、第二基区、第二发射层；其中，所述第一发射层包括第一发射极，所述第二发射层包括第二发射极；电极结构，包括在第一方向上位于主体结构两侧的第一电极和第二电极；所述第一电极被配置为与所述第二电极配合，以驱动所述主体结构导通；隔离结构，包括第三基区和门极构件；所述第三基区覆盖主体结构的至少一侧，所述第三基区在第一方向上与所述第一发射极接触设置，且在第二方向上与所述第二基区接触设置，所述第三基区与所述第二基区中掺杂元素特性相同；所述门极构件与所述第三基区接触设置，所述门极构件被配置为向所述第三基区中注入电流，以触发主体结构导通；其中，所述第一发射极分别与所述第一电极和所述第一基区接触，所述第二发射极分别与第二电极和第二基区接触；第一方向与第二方向交叉设置；所述第一发射极、所述第一基区、所述第二基区和所述第二发射极依次为P发射极、N基区、P基区和N发射极；或者，所述第一发射极、所述第一基区、所述第二基区和所述第二发射极依次为N发射极、P基区、N基区和P发射极。2.根据权利要求1所述的一种新型触发方式的可控硅结构，其特征在于，所述第三基区中的元素掺杂浓度大于所述第二基区中的元素掺杂浓度。3.根据权利要求2所述的一种新型触发方式的可控硅结构，其特征在于，所述第三基区与所述第一基区接触设置。4.根据权利要求3所述的一种新型触发方式的可控硅结构，其特征在于，所述门极构件位于所述第三基区远离所述第二发射极的一侧。5.根据权利要求4所述的一种新型触发方式的可控硅结构，其特征在于，所述可控...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵长海，
申请(专利权)人：吉林华微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：