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本发明公开了一种N型MOSFET，包括：形成于半导体衬底表面上的栅极结构；在栅极结构的两侧的形成有嵌入式外延层，嵌入式外延层填充于凹槽中，凹槽形成在半导体衬底中；源区和漏区形成在栅极结构两侧的嵌入式外延层中；N型MOSFET的工艺节点为7n...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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