MOSFET的自动布局方法及装置制造方法及图纸

本申请涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种MOSFET的自动布局方法及装置。其中，该MOSFET的自动布局方法，包括：获取至少一个金属氧化物半导体场效应晶体管MOS参数集合；根据MOS布局Layout模块，基于至少一个MOS参数集合，构建至少两个MOS模块；根据MOS数组Array模块，对至少两个MOS模块进行布局，以得到至少两个MOS模块对应的电路版图。采用上述方案的本申请可以降低MOSFET的布局成本和出错率，提高MOSFET的布局效率，统一MOSFET布局时的摆放标准。准。准。

【技术实现步骤摘要】
MOSFET的自动布局方法及装置


[0001]本申请涉及集成电路
，尤其涉及一种MOSFET的自动布局方法及装置。

技术介绍

[0002]集成电路(Integrated Circuit，IC)，是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的微型电子器件或部件。因此，集成电路具有体积小、重量轻、引脚少、寿命长、可靠性高、成本低、性能好等优点，同时还便于大规模生产。
[0003]随着集成电路的高速发展，单个芯片中包含的金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管(Metal
‑
Oxide
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Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，MOSFET，MOS)的数量越来越多。然而，相关技术中，在芯片中的模拟电路的设计过程中，需要人工手动进行MOSFET布局。但是，人工手动进行MOSFET布局对操作人员的要求较高，需要操作人员懂得大量版图知识，布局成本较高。同时，需要手动控制每个MOSFET的连接，效率较低且出错率较高。另外，人工手动进行MOSFET布局时采用的摆放标准个性化，实现相同的功能的情况下，不同操作人员布局得到的版图不同。

技术实现思路

[0004]本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
[0005]为此，本申请的第一个目的在于提出一种MOSFET的自动布局方法，以降低MOSFET的布局成本和出错率，提高MOSFET的布局效率，统一MOSFET布局时的摆放标准。
[0006]本申请的第二个目的在于提出一种MOSFET的自动布局装置。
[0007]为达到上述目的，本申请第一方面实施例提出的一种MOSFET的自动布局方法，包括：
[0008]获取至少一个金属氧化物半导体场效应晶体管MOS参数集合；
[0009]根据MOS布局Layout模块，基于所述至少一个MOS参数集合，构建至少两个MOS模块；
[0010]根据MOS数组Array模块，对所述至少两个MOS模块进行布局，以得到所述至少两个MOS模块对应的电路版图。
[0011]可选地，在本申请的一个实施例中，所述MOS参数集合包括漏极节点参数、栅极节点参数、源极节点参数、漏极源极偏移参数、漏极源极间距参数、过孔层最小宽度参数，所述过孔层最小参数对应的过孔层用于连接第一金属层和第二金属层，所述根据MOS布局Layout模块，基于所述至少一个MOS参数集合，构建至少两个MOS模块，包括：
[0012]基于所述漏极节点参数、栅极节点参数和源极节点参数，生成漏极节点、栅极节点和源极节点；
[0013]构建漏极矩形，所述漏极矩形包括大小相同的第一有源区层矩形和第一第一金属层矩形，所述第一有源区层矩形和所述第一第一金属层矩形连接至所述漏极节点，所述第
一第一金属层矩形为MOS模块的源极端口；
[0014]构建源极矩形，所述源极矩形包括大小相同的第二有源区层矩形和第二第一金属层矩形，所述第二有源区层矩形和所述第二第一金属层矩形均连接至所述源极节点，所述第二第一金属层矩形为MOS模块的漏极端口；
[0015]构建栅极矩形，所述栅极矩形为多晶硅层矩形，所述多晶硅层矩形连接至所述栅极节点，所述多晶硅层矩形为MOS模块的栅极端口；
[0016]根据所述漏极源极偏移参数、所述漏极源极间距参数和所述过孔层最小宽度参数，构建第三有源区层矩形；
[0017]根据所述漏极矩形、所述源极矩形、所述栅极矩形和所述第三有源区层矩形，确定MOS模块。
[0018]可选地，在本申请的一个实施例中，所述MOS参数集合还包括长度参数、宽度参数和第一金属层最低间距参数；其中，
[0019]所述第一有源区层矩形的长度、所述第一第一金属层矩形的长度、所述第二有源区层矩形的长度和所述第二第一金属层矩形的长度为所述过孔层最小宽度参数；
[0020]所述第一有源区层矩形的宽度、所述第一第一金属层矩形的宽度、所述第二有源区层矩形的宽度和所述第二第一金属层矩形的宽度为所述宽度参数；
[0021]所述多晶硅层矩形的长度为所述长度参数，所述多晶硅层矩形的宽度由所述第一金属层最低间距参数和所述宽度参数确定。
[0022]可选地，在本申请的一个实施例中，所述MOS参数集合还包括长度参数，所述根据所述漏极矩形、所述源极矩形、所述栅极矩形和所述第三有源区层矩形，构建MOS模块，包括：
[0023]控制所述漏极矩形和所述源极矩形水平对齐，以得到漏极源极矩形，所述漏极矩形和所述源极矩形之间的间距由所述长度参数和所述漏极源极间距参数确定；
[0024]控制所述第三有源区层矩形、所述漏极源极矩形和所述栅极矩形居中对齐，以得到MOS模块。
[0025]可选地，在本申请的一个实施例中，所述根据MOS数组Array模块，对所述至少两个MOS模块进行布局，包括：
[0026]控制所述至少两个MOS模块水平对齐摆放，并控制所述至少两个MOS模块并联摆放；
[0027]构建摆放后的所述至少两个MOS模块的端口；
[0028]基于模块参数信息集合，确定所述至少两个MOS模块中每一个MOS模块的MOS类型；
[0029]控制所述至少两个MOS模块转换为与所述MOS类型对应的MOS模块，以得到MOSArray。
[0030]可选地，在本申请的一个实施例中，所述端口包括MOSArray源极端口、MOSArray漏极端口和MOSArray栅极端口，所述构建摆放后的所述至少两个MOS模块的端口，包括：
[0031]若获取到针对第三第一金属层矩形的构建指令，则基于扩展方向参数对所述至少两个MOS模块进行扩展，并构建至少两个第三第一金属层矩形，以控制所述至少两个MOS模块连接至同一节点；
[0032]基于节点类型信息，确定所述端口；
[0033]若未获取到针对第三第一金属层矩形的构建指令，则将所述至少两个MOS模块中每个MOS模块的源极端口、漏极端口和栅极端口，设置为所述MOSArray源极端口、所述MOSArray漏极端口和所述MOSArray栅极端口。
[0034]可选地，在本申请的一个实施例中，所述节点类型信息包括第一节点类型信息和第二节点类型信息，所述基于节点类型信息，确定所述端口，包括：
[0035]若所述节点类型信息为第一节点类型信息，则设置所述第三第一金属层矩形为所述MOSArray栅极端口，设置所述至少两个MOS模块中每个MOS模块的源极端口和漏极端口为所述MOSArray源极端口和所述MOSArray漏极端口；
[0036]若所述节点类型信息为第二节点类型信息，则构建栅极第二金属层矩形、源极第二金属层矩形和漏极第二金属层矩形，所述栅极第二金属层矩形连接至所述至少两个MOS模块中每个MOS模块的栅极端口，所述源极第二金属层矩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET的自动布局方法，其特征在于，包括：获取至少一个金属氧化物半导体场效应晶体管MOS参数集合；根据MOS布局Layout模块，基于所述至少一个MOS参数集合，构建至少两个MOS模块；根据MOS数组Array模块，对所述至少两个MOS模块进行布局，以得到所述至少两个MOS模块对应的电路版图。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述MOS参数集合包括漏极节点参数、栅极节点参数、源极节点参数、漏极源极偏移参数、漏极源极间距参数、过孔层最小宽度参数，所述过孔层最小参数对应的过孔层用于连接第一金属层和第二金属层，所述根据MOS布局Layout模块，基于所述至少一个MOS参数集合，构建至少两个MOS模块，包括：基于所述漏极节点参数、栅极节点参数和源极节点参数，生成漏极节点、栅极节点和源极节点；构建漏极矩形，所述漏极矩形包括大小相同的第一有源区层矩形和第一第一金属层矩形，所述第一有源区层矩形和所述第一第一金属层矩形连接至所述漏极节点，所述第一第一金属层矩形为MOS模块的源极端口；构建源极矩形，所述源极矩形包括大小相同的第二有源区层矩形和第二第一金属层矩形，所述第二有源区层矩形和所述第二第一金属层矩形均连接至所述源极节点，所述第二第一金属层矩形为MOS模块的漏极端口；构建栅极矩形，所述栅极矩形为多晶硅层矩形，所述多晶硅层矩形连接至所述栅极节点，所述多晶硅层矩形为MOS模块的栅极端口；根据所述漏极源极偏移参数、所述漏极源极间距参数和所述过孔层最小宽度参数，构建第三有源区层矩形；根据所述漏极矩形、所述源极矩形、所述栅极矩形和所述第三有源区层矩形，确定MOS模块。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述MOS参数集合还包括长度参数、宽度参数和第一金属层最低间距参数；其中，所述第一有源区层矩形的长度、所述第一第一金属层矩形的长度、所述第二有源区层矩形的长度和所述第二第一金属层矩形的长度为所述过孔层最小宽度参数；所述第一有源区层矩形的宽度、所述第一第一金属层矩形的宽度、所述第二有源区层矩形的宽度和所述第二第一金属层矩形的宽度为所述宽度参数；所述多晶硅层矩形的长度为所述长度参数，所述多晶硅层矩形的宽度由所述第一金属层最低间距参数和所述宽度参数确定。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述MOS参数集合还包括长度参数，所述根据所述漏极矩形、所述源极矩形、所述栅极矩形和所述第三有源区层矩形，构建MOS模块，包括：控制所述漏极矩形和所述源极矩形水平对齐，以得到漏极源极矩形，所述漏极矩形和所述源极矩形之间的间距由所述长度参数和所述漏极源极间距参数确定；控制所述第三有源区层矩形、所述漏极源极矩形和所述栅极矩形居中对齐，以得到MOS模块。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据MOS数组Array模块，对所述至少两
个MOS模块进行布局，包括：控制所述至少两个MOS模块水平对齐摆放，并控制所述至少两个MOS模块并联摆放；构建摆放后的所述至少两个MOS模块的端口；基于模块参数信息集合，确定所述至少两个MOS模块中每一个MOS模块的MOS类型；控制所述至少两个MOS模块转换为与所述MOS类型对应的MOS模块，以得到MOSArray。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述端口包括MOSArray源极端口、MOSArray漏极端口和MOSArra...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶佐昌，王燕，郝晶磊，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：