一种双路输入电源防倒灌电路结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种双路输入电源防倒灌电路结构，属于电力电子技术领域，该电路结构包括新型电路和壳体结构，其中，电路结构包括第一电源输入端、第二电源输入端、第一电源输出端、第二电源输出端、接地端、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一运放控制电路、第二运放控制电路和隔离电路。与现有技术相比，该电路结构采用MOSFET管结合运放控制电路的技术方案，解决了输入损耗过大的问题，实现了双路输入防倒灌小损耗的功能，同时，采用新型壳体结构解决了防倒灌电路的散热问题，提升产品的可靠性。提升产品的可靠性。提升产品的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种双路输入电源防倒灌电路结构


[0001]本技术涉及电力电子布局
，尤其涉及一种双路输入电源防倒灌电路结构。

技术介绍

[0002]高端设备普遍采用具有冗余功能的电源系统，且要求电源输出电流较大，正常工作时，电源板块共同为系统供电，而实现这些需要每个电源模块的输出端均设置有防倒灌电路。部分应用场景中，需要优先选择高压电源。例如：当输入两路直流同时供电，系统需要优先选择电压高的供电，技术人员常用肖特基二极管充当隔离电路，由于肖特基二极管存在漏电流问题，经试验验证，共阴极肖特基二极管温度升高时，漏电流明显增加，损耗率大，存在严重发热问题。

技术实现思路

[0003]本技术采用新型电路和壳体结构，该电路结构采用MOSFET管结合运放控制电路的技术方案，解决了输入损耗过大的问题，实现了双路输入防倒灌小损耗的功能，同时，采用新型壳体结构解决了防倒灌电路的散热问题，提升产品的可靠性。
[0004]为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案：
[0005]一种双路输入电源防倒灌电路结构，包括第一电源输入端、第二电源输入端、第一电源输出端、第二电源输出端、接地端、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一运放控制电路、第二运放控制电路和隔离电路，其中：所述第一电源输入端连接第一MOS管的输入端，第一MOS管的输出端连接第一电源输出端；所述第一MOS管的控制端和输出端通过电阻分别连接第三MOS管的输入端，第三MOS管的输出端接地；所述第一电源输出端通过分压电路连接第一运放控制电路的输入端，第一运放控制电路的输出端连接第三MOS管的控制端；所述第二电源输入端连接第二MOS管的输入端，第二MOS管的输出端连接第二电源输出端；所述第二MOS管的控制端和输出端通过电阻分别连接第四MOS管的输入端，第四MOS管的输出端接地；所述第二电源输出端通过分压电路连接第二运放控制电路的输入端，第二运放控制电路的输出端连接第四MOS管的控制端；所述第一电源输入端通过隔离电路连通接地端，所述第二电源输入端通过隔离电路连通接地端。
[0006]优选的，所述隔离电路包括第一普通二极管、第二普通二极管、第三稳压二极管和双极晶体管，其中：所述第一电源输入端连接第一普通二极管的阳极，第一普通二极管的阴极通过第二十一电阻连接第三稳压二极管的阴极，第三稳压二极管的阳极接地；所述第二电源输入端连接第二普通二极管的阳极，第二普通二极管的阴极分别连接第一普通二极管的阴极和双极晶体管的输入端，双极晶体管的输出端连接模拟电源端、且通过第三电路接地，双极晶体管的控制端连接第三稳压二极管的阴极。
[0007]优选的，所述分压电路包括第一分压电路和第二分压电路，其中：
[0008]所述第一分压电路包括相互串联的第八电阻和第九电阻，第一电源输出端依次通
过第八电阻和第九电阻接地，第一运放控制电路的输入端连接在第八电阻和第九电阻之间；
[0009]所述第二分压电路包括相互串联的第十一电阻和第十二电阻，第二电源输出端依次通过第十一电阻和第十二电阻接地，第二运放控制电路的输入端连接在第十一电阻和第十二电阻之间。
[0010]优选的，所述第一运放控制电路包括LM258运放芯片。
[0011]优选的，所述第二运放控制电路包括LM258运放芯片。
[0012]优选的，还包括安装电路用的盖体和壳体，其中：所述盖体的中部上凹形成上安装腔，盖体的外沿设置有上安装台阶，上安装台阶上开设有上连接孔；所述壳体的中部下凹形成下安装腔，壳体的外沿设置有下安装台阶，下安装台阶上开设有下连接孔；电路板的外沿对应设置有中连接孔，连接螺丝依次穿过上连接孔、中连接孔和下连接孔实现电路的密封安装。
[0013]优选的，所述壳体的底部设置有散热齿。
[0014]优选的，所述盖体上设置有多个连接电路板用的电插头。
[0015]本技术的一种双路输入电源防倒灌电路结构具有以下有益效果：
[0016]该电路结构包括新型电路和壳体结构，其中，电路结构包括第一电源输入端、第二电源输入端、第一电源输出端、第二电源输出端、接地端、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一运放控制电路、第二运放控制电路和隔离电路。与现有技术相比，该电路结构采用MOSFET管结合运放控制电路的技术方案，解决了输入损耗过大的问题，实现了双路输入防倒灌小损耗的功能，同时，采用新型壳体结构解决了防倒灌电路的散热问题，提升产品的可靠性。
附图说明
[0017]图1为本技术的电路结构示意图；
[0018]图2为本技术的壳体内部结构示意图；
[0019]图3为本技术的壳体外部结构示意图。
[0020]图中，1
‑
盖体、101
‑
上安装腔、102
‑
上安装台阶、103
‑
上连接孔、104
‑
电插头、2
‑
壳体、201
‑
下安装腔、202
‑
下安装台阶、203
‑
下连接孔、3
‑
电路板、301
‑
中连接孔、4
‑
散热齿、5
‑
连接螺丝。
具体实施方式
[0021]根据附图所示，对本技术进行进一步说明：
[0022]如图1，第一电源输入端Vin1连接第一MOS管Q1的输入端，第一MOS管Q1的输出端连接第一电源输出端VO1；第一MOS管Q1的控制端和输出端通过电阻分别连接第三MOS管Q3的输入端，第一MOS管Q1的控制端和输出端之间连接有稳压二极管Dz1，第三MOS管Q3的输出端接地；第一电源输出端VO1通过分压电路连接第一运放控制电路的输入端，第一运放控制电路的输出端连接第三MOS管Q3的控制端；第二电源输入端Vin2连接第二MOS管Q2的输入端，第二MOS管Q2的输出端连接第二电源输出端VO2；第二MOS管Q2的控制端和输出端通过电阻分别连接第四MOS管Q4的输入端，第二MOS管Q2的控制端和输出端之间连接有稳压二极管
Dz2，第四MOS管Q4的输出端接地；第二电源输出端VO2通过分压电路连接第二运放控制电路的输入端，第二运放控制电路的输出端连接第四MOS管Q4的控制端；第一电源输入端Vin1通过隔离电路连通接地端GND，第二电源输入端Vin2通过隔离电路连通接地端GND。
[0023]具体的，第一MOS管Q1和第二MOS管Q2为PMOS管，第三MOS管Q3和第四MOS管Q4为NMOS管。
[0024]图中，隔离电路包括第一普通二极管D1、第二普通二极管D2、第三稳压二极管Dz3和双极晶体管Q5，其中：第一电源输入端Vin1连接第一普通二极管D1的阳极，第一普通二极管D1的阴极通过第二十一电阻R21连接第三稳压二极管Dz3的阴极，第三稳压二极管Dz3的阳极接地；第二电源输入端Vin2连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双路输入电源防倒灌电路结构，其特征在于，包括第一电源输入端(Vin1)、第二电源输入端(Vin2)、第一电源输出端(VO1)、第二电源输出端(VO2)、接地端(GND)、第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)、第三MOS管(Q3)、第四MOS管(Q4)、第一运放控制电路、第二运放控制电路和隔离电路，其中：所述第一电源输入端(Vin1)连接第一MOS管(Q1)的输入端，第一MOS管(Q1)的输出端连接第一电源输出端(VO1)；所述第一MOS管(Q1)的控制端和输出端通过电阻分别连接第三MOS管(Q3)的输入端，第三MOS管(Q3)的输出端接地；所述第一电源输出端(VO1)通过分压电路连接第一运放控制电路的输入端，第一运放控制电路的输出端连接第三MOS管(Q3)的控制端；所述第二电源输入端(Vin2)连接第二MOS管(Q2)的输入端，第二MOS管(Q2)的输出端连接第二电源输出端(VO2)；所述第二MOS管(Q2)的控制端和输出端通过电阻分别连接第四MOS管(Q4)的输入端，第四MOS管(Q4)的输出端接地；所述第二电源输出端(VO2)通过分压电路连接第二运放控制电路的输入端，第二运放控制电路的输出端连接第四MOS管(Q4)的控制端；所述第一电源输入端(Vin1)通过隔离电路连通接地端(GND)，所述第二电源输入端(Vin2)通过隔离电路连通接地端(GND)。2.根据权利要求1所述的双路输入电源防倒灌电路结构，其特征在于，所述隔离电路包括第一普通二极管(D1)、第二普通二极管(D2)、第三稳压二极管(Dz3)和双极晶体管(Q5)，其中：所述第一电源输入端(Vin1)连接第一普通二极管(D1)的阳极，第一普通二极管(D1)的阴极通过第二十一电阻(R21)连接第三稳压二极管(Dz3)的阴极，第三稳压二极管(Dz3)的阳极接地；所述第二电源输入端(Vin2)连接第二普通二极管(D2)的阳极，第二普通二极管(D2)的阴极分别连接第一普通二极管(D1)的阴极和双极晶体管(Q5)的输入端...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙明岩，孙传宇，
申请(专利权)人：西安盈科电源有限公司，
类型：新型
国别省市：