一种改善光刻胶形貌不对称的辅助图形设计方法技术

本发明专利技术提供一种改善光刻胶形貌不对称的辅助图形设计方法，目标图形两侧存在光刻胶负荷厚度不对称的区域；依据设计规则，设置多个辅助图形环绕在目标图形周围；并且光刻胶负荷厚度不对称的区域较辅助图形远离所述目标图形；其中在光刻胶负荷厚度不对称的区域与目标图形之间设置的辅助图形的数量大于环绕在目标图形周围其他区域的辅助图形的数量，以减弱光刻胶的形变。本发明专利技术通过在目标图形周围放置设计多变的辅助图形，来减弱光刻胶图形周围环境的不对称性，以此消除光刻胶负荷效应所带来的测墙角上的差异，进而改善光刻胶形貌的不对称形变，减少光刻量测误差、提高工艺健康度。提高工艺健康度。提高工艺健康度。

【技术实现步骤摘要】
一种改善光刻胶形貌不对称的辅助图形设计方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种改善光刻胶形貌不对称的辅助图形设计方法。

技术介绍

[0002]光刻作为集成电路制造中的一项先进系统工程，涵盖了材料、设备、工艺等诸多关键技术。光刻后光刻胶图形的质量直接影响后续微纳器件制造工艺的成败。
[0003]随着光刻机、高端光刻胶和光刻量测设备的不断更新迭代，集成电路上的器件得以越做越小，芯片集成度越来越高，显影后PR图形能否精准复刻掩膜版图形，直接影响集成电路的性能和器件良率。评价光刻工艺优劣的重要一环就是通过PR图形检测(metrology)，分析工艺窗口(FEM)、图形线宽(CD)、线宽均匀性(CDU)及套刻误差(OVL)等。而显影后PR profile通常都不是理想的直角长方形，而是一定程度的正梯形或倒梯形，甚至有时因工艺及光罩局部设计等原因会导致光刻胶形貌(PR profile)严重变形，造成左右不对称的现象。这种PR profile的不对称变形会直接影响metrology的准确性，给光刻工艺的有效评价带来诸多困难，以致本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善光刻胶形貌不对称的辅助图形设计方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供目标图形，所述目标图形两侧存在光刻胶负荷厚度不对称的区域；步骤二、提供当层光刻的设计规则，以保证辅助图形的尺寸和位置设计符合所述设计规则；步骤三、依据所述设计规则，设置多个所述辅助图形环绕在所述目标图形周围；并且所述光刻胶负荷厚度不对称的区域较所述辅助图形远离所述目标图形；其中在所述光刻胶负荷厚度不对称的区域与所述目标图形之间设置的所述辅助图形的数量大于环绕在所述目标图形周围其他区域的所述辅助图形的数量，以减弱光刻胶的形变。2.根据权利要求1所述的改善光刻胶形貌不对称的辅助图形设计方法，其特征在于：步骤一中的所述目标图形为套刻标记。3.根据权利要求1所述的改善光刻胶形貌不对称的辅助图形设计方法，其特征在于：步骤一中的所述目标图形位于切割道上。4.根据权利要求1所述的改善光刻胶形貌不对称的辅助图形设计方...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙钰铭，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：