一种晶硅太阳能电池用叠层钝化薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种晶硅太阳能电池用叠层钝化薄膜及其制备方法。本发明专利技术所述的叠层钝化薄膜由B2O3层、钝化膜盖层以及含氢盖层组成，并利用激光技术实现p型局部掺杂。通过原子层沉积技术沉积B2O3层，作为钝化层兼掺杂源层，B2O3层分布均匀，因而后续在利用该B2O3层进行激光照射掺杂的时候，使得硼离子在扩散区的分布均匀；本方法直接通过激光照射的方式对硅衬底进行硼p

【技术实现步骤摘要】
一种晶硅太阳能电池用叠层钝化薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，特别涉及一种晶硅太阳能电池用叠层钝化薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]伴随着现在硅生产、提纯技术的进步，硅内部缺陷或杂质存在所引起的载流子复合问题已经影响甚微，现在制约着晶硅太阳能电池能量转换效率的重要因素就是硅表面载流子复合问题。
[0003]目前产业主流的钝化发射极和背面触点(PERC)电池通过掺杂p
‑
n结实现载流子分离与收集，前端和背端分别通过SiN
x
和Al2O3/SiN
x
叠层钝化膜降低载流子复合速率，实现了能量转换效率的提升。同样地，凭借着新钝化薄膜技术的产生，非晶硅异质结电池及隧穿氧化硅钝化接触电池有望成为未来主流的高效晶硅电池。异质结电池使用本征氢化非晶硅作为钝化膜，但是该钝化膜光学寄生吸收较大，且钝化效果对高温敏感；隧穿氧化硅钝化接触电池使用氧化硅/重掺多晶硅叠层来降低表面载流子的复合速率，但是多晶硅薄膜的沉积、掺杂工艺仍存在一些问题。未来光伏产业上的趋势是用更大面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶硅太阳能电池用叠层钝化薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)在一清洗后的晶硅衬底表面沉积B2O3层，所述B2O3层采用ALD制备；(2)在所述B2O3层上依次沉积钝化膜盖层和含氢盖层，形成叠层钝化薄膜；(3)利用皮秒激光技术在所述叠层钝化薄膜上开槽，使得开槽处的至少部分硅表面形成熔融状，并使得所述B2O3层作为硼掺杂源扩散到局部熔融的硅表面中，形成p型重掺杂。2.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池用叠层钝化薄膜的制备方法，其特征在于：所述B2O3层的沉积厚度为1～50nm。3.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池用叠层钝化薄膜的制备方法，其特征在于：所述钝化膜盖层包括Al2O3、TiO2、Ga2O3、Ta2O5中的一种或几种，所述钝化膜盖层沉积方式为ALD或PECVD，沉积厚度为5～100nm。4.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池用叠层钝化薄膜的制备方法，其特征在于：所述含氢盖层包括SiN
x
、SiO
x
、SiC
x
中的一种或几种，所述含氢盖层沉积方式为PECVD，沉积厚度为10～200nm。5.一种晶硅太阳能电池用叠层钝化薄膜，其特征在于：由权利要求1
‑
4任意一项所述的晶硅太阳能电池用叠层钝化薄膜的制备方法制成，包括依次沉积的：所述B2O3层；所述钝化膜盖层；所述含氢盖层；并利用激光技术实现p型局部掺杂。6.根据权利要求5所述的晶硅太阳能电池用叠层钝化薄膜，其特征在于：所述钝化膜盖层为Al2O3，所述含氢盖层为SiN
x
。7.一种晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：制备时使用了如权利要求5
‑
6任意一项所述的晶硅太阳能电池用叠层钝...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨新波，王心雨，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：